【課題】白色ＬＥＤ用の励起光源に適したＧａＮ系発光ダイオード素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオード素子は、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板と、該ｍ面ＧａＮ基板のおもて面上にＧａＮ系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成されたｎ側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が２０ｍＡのときの順方向電圧が４．０Ｖ以下である。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度に疎密を設けて全体として発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体積層体１１は第１シート抵抗を有する第１半導体層１２、発光層１３、第２半導体層１４乃至１６が順に積層され、第１半導体層１２の一部を露出するように、一端側に形成された切り欠き部１８と、切り欠き部１８から−Ｘ方向に延在し、＋Ｙ方向に分岐または曲折し且つ−Ｙ方向に曲折または分岐した湾入部１９を備える。第１半導体層１２上であって、切り欠き部１８に形成された第１パッド電極２１から湾入部１９に沿って第１細線電極２２が形成されている。半導体積層体１１上に第１シート抵抗より低い第２シート抵抗を有する透明導電膜２０が形成されている。透明導電膜２０上であって、他端側に形成された第２パッド電極２３から±Ｙ方向に延在し、曲折して＋Ｘ方向に延在する第２細線電極２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光吸収率を増加することなくチップ全体に電流を広げることができる電極構造を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、光取り出し面としての第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有し、発光層６３を有するIII−Ｖ族化合物半導体からなる積層構造１０と、支持基板３と第２の面との間に設けられ発光層６３の発光光を第１の面側に反射する反射金属膜４と、第１の面の一部に複数設けられて積層構造１０と導電する第１電極７０と、第１の面に設けられ第１電極７０と導電する透明導電膜７１と、透明導電膜７１の上に設けられる電極パッド９とを有する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を十分に抑制した半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光部２３を含む積層体２０と、積層体２０の第１主面２０ａに選択的に設けられた第１電極３０と、積層体２０の第１主面２０ａとは反対側の第２主面２０ｂに選択的に設けられた第２電極４０と、積層体２０の第２主面２０ｂの側に、接合金属６１を介して接合された支持基板６０と、積層体２０において、第２主面２０ｂを除く少なくとも側面２０ｃに設けられた保護膜８０と、第２主面２０ｂにおける第２電極４０が設けられていない領域と、接合金属６１と、の間、及び保護膜８０における第２主面２０ｂの側の保護主面８０ａと、接合金属６１と、の間に設けられた誘電体膜５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】大電流が印加されることにより高い発光出力が得られる半導体発光素子を製造できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に、第１ｎ型半導体層１２ａを積層する第１工程と、第２有機金属化学気相成長装置において、第１ｎ型半導体層１２ａ上に、第１ｎ型半導体層１２ａの再成長層１２ｄと第２ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第２工程とを具備し、第２工程において、第２ｎ型半導体層１２を形成する際の基板温度を、発光層１３を形成する際の基板温度よりも低くする半導体発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】電源回路にトライアックを使用した位相制御型調光器が使用されていても、LEDランプの明るさを調光でき、かつ、LEDランプを安定に点灯することができるようにすること。
【解決手段】電源回路から供給される交流電圧は整流回路5で全波整流される。
入力電圧が低く、LED４に電流が流れない領域では、バイパス回路6に一定の電流が流れる。入力電圧が高くLED4に電流が流れる領域では、LED4 に流れる電流を電流制御回路8が検出して、バイパス回路6に流れる電流を減少させ、電源効率を良くすることができる。また、フィルタ回路7は、入力電圧にパルス電圧が重畳されていても、パルス電圧を吸収し、平滑化するため、LED4 が不連続点灯をすることがない。つまり、電源回路にトライアックを使用した位相制御型調光器が使用されていても、その全出力に亘り点灯回路3に電流が流れる為、位相制御型調光器の動作を不安定にすることがない。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、放射線を生じさせるのに用いる活性層（ａｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）、ｐ型導電層、透明導電層（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ， ＴＣＬ）、そして非ｐ型オーミック（ｏｈｍｉｃ）接触層を含む、放射線を発する半導体素子を提供する。
【解決手段】 ｐ型導電層は活性層上に形成し、透明導電層はｐ型導電層上に形成し、非ｐ型オーミック接触層はｐ型導電層と透明導電層の間に位置する。この非ｐ型オーミック接触層は、放射線を発する半導体素子の操作電圧を下げるのに用いられる。その他、本発明が提供する非ｐ型オーミック層はＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎ４元合金であり、上述の４元合金が含むアルミニウム成分は、非ｐ型オーミック接触層のバンドギャップを活性層より大きくし、これによって非ｐ型オーミック接触層の吸光効果を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子において、ドライエッチングにより生じたダメージ層を除去することにより、電気特性、光学特性が改善された窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、窒素プラズマを含む雰囲気中で、前記ドライエッチングにより露出した面を、プラズマ処理する工程（Ａ）を含むことを特徴とする。工程（Ａ）の前にドライエッチングにより露出した面の清浄化を行なうアッシング工程（Ｂ）を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は高い透過率を有する同時にp型GaN層との接触抵抗の問題を改善できる窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明によれば、p-GaNから成る上部クラッド層の上部にMIO、ZIO、CIO(Mg、Zn、Cu中いずれかを含むIn₂O₃)でオーミック形成層をさらに形成した後、ITO等で具現される透明電極層と第2電極を形成することにより、上記上部クラッド層と第2電極との接触抵抗の問題を改善し、高い透過率を得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光出力を制御する駆動電流のダイナミックレンジを圧縮してドライブ回路を簡素化すると共に、半導体発光素子の自己発熱に起因する光出力変動を補償した光源装置を実現する。
【解決手段】半導体発光素子の駆動電流及び光出力の相関関係に基づく特性データを保持する特性データ保持手段４２を有し、前記特性データに基づいて前記半導体発光素子１１の駆動電流を制御する光源装置において、 前記半導体発光素子と並列接続され、前記半導体発光素子に流れる駆動電流を分流する分流手段１０１を備える。 （もっと読む）

活性層を含む複数のエピタキシャル層と、エピタキシャル層の第１の側にある反射層およびオーミックコンタクト電極の少なくとも一方と、エピタキシャル層の第２の側にあり、発光表面を有する導電金属層とを有する発光デバイスが開示される。発光表面上に端子があり、この端子は、電流を拡散して光出力への影響を最小化するアレイを備える。アレイは、ボンディングパッドと、外側部分と、ボンディングパッドおよび外側部分を接続する接合部分とを有してもよく、外側部分および接合部分は、電流を放散するためのものである。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型窒化物半導体層上に形成した電極とｎ型窒化物半導体層との間の接触抵抗を低下させた、窒化物半導体層を有する半導体装置を提供し、高電圧、高周波で動作する高電子移動度電界効果トランジスタ等の半導体装置を提供する。
【解決手段】 ｎ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層に接する側から順に、第一の金属層と、第二の金属層とを備え、ｎ型窒化物半導体層の不純物は１×１０^１９ｃｍ^−３以上であり、第二の金属層の仕事関数が４．２ｅＶ以下であるものとする。 （もっと読む）

【課題】発光層の結晶性を良好に維持しつつ、ｐ型層の結晶性を良好にし、発光出力を低下させることなく、順方向電圧（駆動電圧）が低く、且つ、順方向電圧の時間的な変化量が少ない信頼性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造に有用なＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型下地層、活性層、ｐ型クラッド層およびｐ型コンタクト層をこの順序で有するＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法において、ｐ型コンタクト層成長時の基板温度を２つ以上の温度域で成膜し、後の温度域が最初の温度域より高いことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 光電変換効率を向上したＬＥＤモジュールの実現。
【解決手段】 白色不透明の基板１２をケース１３の中段に設け、基板１２の表側（ケースの開口部に面する側）にＬＥＤ素子１１を搭載し、裏側に電気配線と部品を配置する。そして、透明な樹脂１６を用いてケース１３の開口部を閉塞する。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎ及びＯを主要な構成元素とする活性層へのＬｉ等の活性化率の大きい不純物拡散を抑え、活性層の特性を改善する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、ＺｎＯからなる活性層１０２と、活性層１０２上に形成され、ＺｎＯからなり、不純物元素としてＬｉ以外の元素がドーピングされている第１のｐ型半導体層１０３と、第１のｐ型半導体層１０３上に形成され、ＺｎＯからなり、不純物元素として少なくともＬｉがドーピングされている第２のｐ型半導体層１０４とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ａｌの結合による発光効率の低下を抑制する、窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子の製造方法は、基板上に、少なくとも１層以上のｎ型半導体層を形成する工程と、ｎ型半導体層上に、活性層を形成する工程と、活性層上に、キャリアガスとしてＨ₂よりもＮ₂の流量が大きい条件で、Ａｌを供給し、ｐ型ＡｌＧａＮ層を形成する工程と、ｐ型ＡｌＧａＮ層上に、ｐ型ＡｌＧａＮ層を形成する条件と同様の条件で、Ａｌの供給のみを停止し、第１のｐ型ＧａＮ層を形成する工程と、第１のｐ型ＧａＮ層上に、キャリアガスとしてＨ₂よりもＮ₂の流量が小さい条件で、第２のｐ型ＧａＮ層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】素子の動作を安定化することが可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】この半導体素子は、少なくとも裏面の一部に転位の集中している領域８を有するｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の表面上に形成された窒化物系半導体各層（２〜６）と、転位の集中している領域８上に形成された絶縁膜１２と、転位の集中している領域８以外のｎ型ＧａＮ基板１の裏面の領域に接触するように形成されたｎ側電極１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体層に直接接する透明導電膜層からなる正極を有し、駆動電圧が低く、かつ、発光出力が高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層をこの順序で含み、負極および正極がそれぞれｎ型半導体層およびｐ型半導体層に接して設けられており、該正極の少なくとも一部が透明導電膜で形成され、該透明導電膜の少なくとも一部がｐ型半導体層と接しており、該透明導電膜の半導体側表面にＩＩＩ族金属成分を含む半導体金属混在層が存在し、該半導体金属混在層の厚さが０．１〜１０ｎｍである窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】高い電流に密度においても外部量子効率の低下が小さい半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１１では、窒化ガリウム系クラッド層１３は、１×１０^７ｃｍ^−２以下の貫通転位密度を有する。活性領域１７は、複数の井戸層１９および障壁層２１を含む量子井戸構造１７ａを有しており、また量子井戸構造１７ａは４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられている。井戸層１９の各々は、アンドープＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０＜Ｘ＜０．１４、Ｘは歪み組成）領域を含む。障壁層２１は、アンドープＩｎ_ＹＧａ_１−ＹＮ（０≦Ｙ≦０．０５、Ｙは歪み組成、Ｙ＜Ｘ）領域を含む。ここで、本実施の形態では、インジウム組成Ｘは、歪み組成で示されており、緩和組成ではない。 （もっと読む）

【課題】注入される電流の電流密度に対する発光効率の依存性を調整可能にする構造を有する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１１では、発光領域１７は、量子井戸構造１９を有しており、ｎ型窒化ガリウム系半導体領域１３とｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５との間に位置する。量子井戸構造１９は、Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮからなる複数の第１の井戸層２１、Ｉｎ_ＹＧａ_１−ＹＮからなる一または複数の第２の井戸層２３、およびバリア層２５を含む。第１および第２の井戸層２１、２３とバリア層２５とは交互の配列されている。第２の井戸層２３は、第１の井戸層２１とｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５との間に位置している。第２の井戸層２３のインジウム組成Ｙは第１の井戸層２１のインジウム組成Ｘより小さく、また第２の井戸層２３の厚さＤ_Ｗ２は第１の井戸層２１の厚さＤ_Ｗ１より厚い。 （もっと読む）