【課題】出力平滑コンデンサの低耐圧化（延いては大容量化）を実現する。
【解決手段】ＬＥＤドライバモジュール１０は、交流電源が接続される入力端子ＬＰ１及びＬＰ２と、入力端子ＬＰ１及びＬＰ２に接続されて後段の回路部を保護する保護部１１と、入力端子ＬＰ１及びＬＰ２から保護部１１を介して入力される交流電圧を整流する整流部１２と、整流部１２の出力からノイズ成分を除去するフィルタ部１３と、フィルタ部１３の出力から所望の直流電圧を生成するＤＣ／ＤＣ変換部１４と、ＤＣ／ＤＣ変換部１４の出力を平滑してＬＥＤ駆動電圧を生成する出力平滑部１５と、ＬＥＤモジュールが接続される出力端子ＬＰ３及びＬＰ４と、を有し、出力平滑部１５は、出力端子ＬＰ３にＬＥＤモジュールが接続されていないときには出力端子ＬＰ３と絶縁されており、出力端子ＬＰ３にＬＥＤモジュールが接続されたときに出力端子ＬＰ３と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】低温で良好に薄膜形成でき且つホール注入効率の高いｐ型半導体層を有するｐｎ接合素子を提供する。
【解決手段】
基板１の上に、ＺｎＯ層２が形成され、ＺｎＯ層２の上に、ｐ型半導体層３及び電極層６が形成され、ｐ型半導体層３の上に、ＮｉＯ層４、電極層５が順に積層形成されてｐｎ接合素子が形成されている。ｐ型半導体層３は、ＮｉＯとＭｇＯの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることによってＮｉ_1-xＭｇ_xＯ系材料で形成されている。電流を低下させることなくダイオード特性を得るためには、Ｎｉ_1-xＭｇ_xＯにおけるＸの値は０．３２≦ｘ≦０．５７の範囲にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 昇圧回路と降圧回路とで構成され、昇圧電圧を発生するコンデンサの小容量化による応答性の向上および低コスト化を図りながら、リプル電圧の低減を可能にすることができるＬＥＤ駆動装置、照明装置、および照明器具を提供する。
【解決手段】 ＬＥＤ駆動装置Ａ１は、直流電源Ｅ１の直流電圧Ｖ１を昇圧した昇圧電圧Ｖ２をコンデンサＣ１に発生させる昇圧チョッパ回路Ａ１１と、直流電圧Ｖ２を降圧した直流電圧Ｖ３をＬＥＤユニット３に出力する降圧チョッパ回路Ａ１２と、昇圧チョッパ回路Ａ１１の昇圧動作および降圧チョッパ回路Ａ１２の降圧動作を制御する制御回路Ａ１３とを備え、制御回路Ａ１３は、降圧チョッパ回路Ａ１２がコンデンサＣ１を放電させる期間の少なくとも一部に、昇圧チョッパ回路Ａ１１がコンデンサＣ１を充電する期間が重複するように、昇圧チョッパ回路Ａ１１の昇圧動作および降圧チョッパ回路Ａ１２の降圧動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】活性層の端面での非発光再結合が抑制され、発光効率の向上した発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層がこの順に設けられ、前記第２導電型半導体層に光取り出し面を有する積層体と、少なくとも前記活性層の端面近傍に設けられ、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する再結合抑制構造とを備えた発光素子。 （もっと読む）

【課題】 構成が単純で、放熱特性に優れ、かつＬＥＤ発光装置として要求される各種電源電圧の要求に対応できるＬＥＤモジュール求められていた。
【解決手段】 少なくとも３個の金属部材間に２層以上の絶縁部材を挟んで一体化した基体部材を形成し、前記基体部材の複数の面には前記絶縁部材を挟んだ金属部材間に複数のＬＥＤを実装し、前記基体部材を構成する２個の金属部材を駆動電圧供給用の電源端子としたことで、ＬＥＤの接続を、直列と並列の組み合わせを可能とした。 （もっと読む）

【課題】発光素子駆動回路の起動時間の短縮、およびＡＰＣ動作の高速化を要する。
【解決手段】発光素子と、制御端子を有し、前記制御端子の電位に応じて前記発光素子を駆動する駆動部と、前記制御端子に接続されたノードと、前記発光素子の発光光量を監視するモニタと、前記発光素子の発光光量が目標値に近づくように前記ノードの電位を制御する制御部と、前記発光素子の発光光量と前記目標値との差が基準量より大きい場合に、前記制御部による前記ノードの電位の制御を補助する補助制御部と、を備える発光素子駆動回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】 負荷回路の両端のうちいずれが地絡した場合でも、構成を複雑にすることなく負荷回路への電力供給を低減できる非絶縁型の電源装置、およびＬＥＤ駆動装置を提供する。
【解決手段】 負極をグランドラインＧ１に接地した直流電源Ｅ１からの入力電力を所望の直流電力に変換して負荷回路Ｙ１へ供給する非絶縁型の電源装置Ａ１であって、負荷回路Ｙ１の一端と直流電源Ｅ１の負極との間に電気的に接続したコンデンサＣ１と、負荷回路Ｙ１の他端と直流電源Ｅ１の正極との間に電気的に接続したコンデンサＣ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 負荷回路の両端のうちいずれが地絡した場合でも、構成を複雑にすることなく負荷回路への電力供給を低減できる非絶縁型の電源装置、およびＬＥＤ駆動装置を提供する。
【解決手段】 負極をグランドラインＧ１に接地した直流電源Ｅ１からの入力電力を所望の直流電力に変換して負荷回路Ｙ１へ供給する非絶縁型の電源装置Ａ１であって、負荷回路Ｙ１の一端と直流電源Ｅ１の負極との間に電気的に接続したインピーダンス要素Ｚ１と、負荷回路Ｙ１の他端と直流電源Ｅ１の正極との間に電気的に接続したコンデンサＣ１とを備え、コンデンサＣ１と負荷回路Ｙ１とインピーダンス要素Ｚ１との直列回路は、直流電源Ｅ１の両端間に接続される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子（窒化物半導体素子）１は、主面１０ａを有する基板１０と、ｎ型層２０ａ、ｎ型コンタクト層２０ｂおよびｐ型層２０ｄを含む半導体層２０と、を備える。主面１０ａはｍ面に対してａ軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層２０は、傾斜領域２１と非傾斜領域２２とを含む。傾斜領域２１において、ｎ型層２０ａおよびｎ型コンタクト層２０ｂの所定領域上にｎ電極４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成された低接触抵抗のｎ側電極を有するＧａＮ系発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法は、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板である基板１１０と、基板１１０上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体からなりｐｎ接合型の発光構造を含むエピ層１２０と、を有するエピウェハを準備する第１ステップと、前記エピウェハに含まれる基板１１０の裏面をポリッシングする第２ステップと、前記第２ステップでポリッシュされた基板１１０の裏面全体にｎ側オーミック電極を形成する第３ステップと、前記第３ステップで形成された前記ｎ側オーミック電極をエッチングによりパターニングする第４ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＺｎＯ系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体層の製造方法は、（ａ）下地層上方に、Ｚｎ、必要に応じてＭｇ、Ｏ、Ｎ、及びＴｅを供給して、ＮとＴｅが共ドープされたＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と（ｂ）Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜上に、Ｚｎ及びＭｇの少なくとも一方、Ｔｅ、及びＮを供給して、ＮがドープされたＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＴｅ（０≦ｙ≦１）単結晶膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
ｐ側窒化物半導体層における電流拡散性を向上させた窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体素子であって、前記ｐ型窒化物半導体層において、ｐ型コンタクト層と、前記ｐ型コンタクト層と組成の異なるＡｌＮ層とを有し、前記ｐ型コンタクト層と前記ＡｌＮ層とが接していることを特徴とする窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ＭＨｚ以上の高速スイッチングが可能となるとともに小型化が可能となる集積化スイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】集積化スイッチング電源装置１００は、スイッチング素子Ｑ１と、定電流素子Ｑ２と、ダイオードＤ１とが直列に接続される直列接続体ＳＣＢと、定電流素子を駆動制御する駆動制御素子１０１と、直列接続体の一端側に位置する素子の主端子から導出された第１の外部端子ｔ１と、直列接続体の他端側に位置する素子の主端子から導出された第２の外部端子ｔ２と、スイッチング素子のいずれかの主端子とダイオードの主端子との接続点から導出された第３の外部端子ｔ３と、スイッチング素子の制御端子から導出された第４の外部端子ｔ４と、駆動制御素子に電源を供給する第５の外部端子ｔ５と、駆動制御素子に基準電位を入力する第６の外部端子ｔ６と、駆動制御素子に外部から信号を入力する第７の外部端子ｔ７とを含む外部端子とを持つ。 （もっと読む）

【課題】商用電源等からの入力電圧が無くなった場合に出力電圧をすみやかに降下させることで、安全に取り扱うことができるＬＥＤ点灯回路を提供する。
【解決手段】入力電圧を所望の直流電圧に変換してＬＥＤに供給するＬＥＤ点灯回路であって、少なくとも一次巻線および二次巻線を有するトランスと、スイッチング素子と、制御器と、出力コンデンサと、入力電圧検出器と、放電器と、を備え、前記入力電圧検出器は、前記入力電圧を検出し、検出された前記入力電圧の高さに応じた放電信号を前記放電器に出力し、前記放電器は、前記出力コンデンサの両端に接続され、前記入力電圧検出器から出力される前記放電信号に応じて前記出力コンデンサに蓄えられた電荷を放電することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧による破損を防止できる発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する複数の発光セルと、前記発光セル同士の間に位置する境界領域に区分される発光構造物と、前記複数の発光セルのそれぞれの上部に配置された第１電極と、前記複数の発光セルの下に配置された第１導電層と、前記第１導電層の下に配置された少なくとも一つの第２導電層と、前記第１導電層同士の間、及び前記第１導電層と前記少なくとも一つの第２導電層との間に配置された第１絶縁層と、前記第１電極と前記少なくとも一つの第２導電層とを接続させた接続電極とを備え、前記第２導電層と前記接続電極との接続により前記発光セルは互いに直列接続する。 （もっと読む）

【課題】光源として複数のＬＥＤを直列接続したＬＥＤ列を備え、ＬＥＤ列を脈流で駆動するＬＥＤ駆動回路において、回路電流波形に含まれる比較的低次の高調波成分を低減させる。
【解決手段】ＬＥＤ列１２０の脈流電圧を印加する端子（アノード）に接続する第１のバイパス回路１１０を備える。この第１のバイパス回路はＬＥＤ列１２０に電流が流れない期間では脈流電圧とともに第１のバイパス電流を増減させる。またＬＥＤ列１２０に電流が流れる期間では第１のバイパス電流が無くなる。 （もっと読む）

【課題】ｎ側メタル電極の延伸部を通してｎ型導電層に流れる電流を増加させたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１００は、複数のＧａＮ系半導体層を含む半導体積層体１２０を有し、該複数のＧａＮ系半導体には、上面および底面を有するｐ型導電層１２３と、ｐ型導電層１２３の底面側に配置された活性層１２２と、ｐ型導電層１２３とで活性層１２２を挟むように配置されたｎ型導電層１２１とが含まれ、ｐ型導電層１２３の上面にはｐ側電極が設けられ、ｐ型導電層１２３側に一部露出したｎ型導電層１２１の表面にはｎ側電極が設けられる。該ｎ側電極は、接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該ｎ側電極の該接続部とｎ型導電層１２１との間に形成されるオーミック接触界面の面積が、該接続部の面積よりも小さい。 （もっと読む）