【課題】ＬＥＤチップと配線との接続不良を防ぎつつ、白色レジストにより光出力を向上させた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る発光装置１は、基板３と、基板３上に形成された配線４ａ、４ｂと、配線４ａ及び配線４ｂに接続され、基板３上にフリップチップ実装されたＬＥＤチップ２と、基板３の配線４ａ、４ｂが形成されていない露出した領域のうちの、ＬＥＤチップ２の直下の領域以外の領域上に形成された白色レジスト５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第２導電型の第２の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるＡｇを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第１キャップ層と、該第１キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第２キャップ層との積層を少なくとも２セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】ダイシングカット時の金属片等付着による上部端子電極パターン間の電気的短絡を防いだサイドビュー型発光装置の提供。
【解決手段】多面取り絶縁基板１ａにスルーホールTH₁〜TH_４を形成し、スルーホールの全体もしくは内壁に導電層を形成し、表面に端子電極パターンP₁₁〜P_１４を形成し、裏側に端子電極パターンP₂₁〜P_２４を形成し、ＬＥＤチップ２−１、２−２を表面側の端子電極パターンP₁₂、P₁₃上にダイボンディングし、表面側の端子電極パターンP₁₁とＬＥＤチップ２−１とをボンディングワイヤ３−１によって接続し、端子電極パターンP₁₃とＬＥＤチップ２−２とをボンディングワイヤ３−２によって接続し、多面取り絶縁基板及び封止樹脂層４ａをサイドビュー型ＬＥＤ装置毎に分割し、絶縁基板の一側面を含むプリント基板７に対する実装面である分割面に対向する他の側面を含む露出した領域に、有機樹脂絶縁層６を塗布する。 （もっと読む）

【課題】マザー基板に直接的にＬＥＤダイを実装しようとするときに絶縁膜のピンホールが課題となる。そこでこのピンホールに係わる不具合が発生しにくい半導体発光装置を提供する。
【解決手段】このＬＥＤ装置１０はフリップチップ実装用のＬＥＤダイ２０を蛍光体キャップ１１で被覆したものである。ＬＥＤダイ２０は、マザー基板４３に直接的にフリップチップ実装するため、絶縁膜１４上に大きなサイズの突起電極１２，１３を備えている。蛍光体キャップ１１は、透光性の樹脂等に蛍光体を混練したものであり、ＬＥＤダイ２０の上面及び底面、並びに底部に形成した折り返し部でＬＥＤダイ２０のｐ型及びｎ型半導体層１７，１６の角部を覆い、ピンホールが発生しやすい部位を保護する。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置において金属部にマイグレーションが発生し難い光半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置１は、リードフレーム２と、リードフレーム２上に搭載された光半導体素子３と、リードフレーム２上に配置された成形体４とを備える。成形体４が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られている。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含む。該酸化防止剤の分子量は６００以上、２０００未満である。上記酸化防止剤を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。 （もっと読む）

【課題】欠陥修復後に新たな短絡が発生するのを防止し得る半導体素子の修復方法を提供する。
【解決手段】欠陥を検出する欠陥検出工程と、欠陥の上面に位置する透明導電膜８、ｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５、活性化層４及びびｎ型窒化ガリウム（ｎ−ＧａＮ）層３を上側から除去加工する除去加工工程とを含む。除去加工工程においては、透明導電膜８の残渣Ｒの垂下長さＬがｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５と活性化層４との合計膜厚Ｈよりも短くなるように透明導電膜８が除去加工される。 （もっと読む）

【課題】内部リード端子と外部リード端子間の断線防止、及び基板角部の金属膜の断線防止を図る。
【解決手段】ＬＥＤチップ１２と、ＬＥＤチップ１２が載置されるセラミック支持体１４とを備えた発光装置１０Ａであって、セラミック支持体１４は、ＬＥＤチップ１２が載置される載置面１４ｄ及び載置面１４ｄに設けられた内部端子２２ａ，２２ｂと、載置面１４ｄに対向する裏面１４ｃと、載置面１４ｄと裏面１４ｃとの間に設けられた実装面１４ｂ及び実装面１４ｂに設けられた外部端子２８ａ，２８ａとを備え、内部端子２２ａ，２２ｂは、少なくとも一つの内部ビア２４ａ，２４ｂを介して外部端子２８ａ，２８ｂと接続されている。 （もっと読む）

【課題】硫化速度が従来の銀皮膜の半分以下であり、初期の光の反射率に優れる光半導体装置用リードフレームを提供する。また、硫化速度が従来の銀皮膜の半分であることから長期信頼性が従来の銀皮膜よりも倍以上に優れ、かつワイヤボンディング性は従来の銀皮膜と同等であり、さらに外部に露出した箇所における半田付け性に優れるため外装めっきを必要としない、光半導体用リードフレームを提供する。
【解決手段】基体１上に銀−インジウム合金、銀−錫合金、又は銀−インジウム−錫合金からなる反射層２が形成されており、該反射層２上にインジウム及び／又は錫の酸化物層３が厚さ０．０００４〜０．００１μｍで最表層に形成されていることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】放熱性が良好で、かつ近くに放熱板等の導電性部材を配置した場合であっても短絡するおそれが小さい半導体発光素子取付用モジュール、半導体発光素子モジュール、半導体発光素子取付用モジュールの製造方法、及び、半導体発光素子モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面に形成した半導体発光素子８０を接続可能な少なくとも一つの接続面２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄを有する金属からなる導通板１７と、接続面と離間しかつ該接続面と電気的に導通するように接続可能な一対の端子部６０、６４と、上記接続面を除いた該導通板の表面全体を覆う樹脂材からなる表面絶縁部３５、７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電子部品の電気的接続に関する信頼性を向上させつつ電子部品の放熱性を向上させた電子部品搭載用部材および電子装置を提供すること。
【解決手段】電子部品搭載用部材１は、絶縁基体11と、絶縁基体11の上面に設けられており電子部品２が搭載される搭載用導体層12と、絶縁基体11の上面に設けられておりボンディングワイヤ３によって電子部品２に電気的に接続される接続用導体層13とを備えている。搭載用導体層12は、接続用導体層13よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】硬化物の表面のべたつきを抑制でき、更に光半導体装置における熱衝撃によるワイヤーの接続不良の発生を抑制できる光半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用封止剤は、オルガノポリシロキサン成分とヒドロシリル化反応用触媒とを含む。上記オルガノポリシロキサン成分は、珪素原子に結合したアリール基及び珪素原子に結合したアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサンと、珪素原子に結合したアリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンとを含有する。上記オルガノポリシロキサン成分の珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率は６．０〜９．０個数％であり、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は５．０〜７．０個数％である。上記光半導体装置用封止剤の硬化物のゲル分率は８５重量％以上、９５重量％以下である。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子用リードフレーム基板において、切断時に発生するタイバーの切り口のダレを防止することができるようにする。
【解決手段】ＬＥＤチップが搭載されるパッドを有するＬＥＤチップ搭載部２と、ＬＥＤチップ搭載部２と離間して配置されＬＥＤチップに電気的に接続されるリードを形成する電気的接続エリア部３とが、タイバー部６０、７０、８０によって複数連結されたリードフレーム１と、ＬＥＤチップ搭載部２および前記電気的接続エリア部３の一部を除くリードフレーム１の部位を覆う樹脂部とを備え、樹脂部とともにタイバー部６０、７０、８０を切断して個片基板を製造するためのＬＥＤ素子用リードフレーム基板であって、タイバー部６０、７０、８０は、切断代よりも長く延ばされ、樹脂部に外周を囲まれて形成された構成とする。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード素子の実装効率を低下させることなく、電線同士が交差して短絡する虞がより少ない発光ダイオードモジュールを実現する。
【解決手段】配線基板１０は、絶縁基板１と、絶縁基板１の一面側に設けられた第１電極配線パターン２及び第２電極配線パターン３と、第１電極配線パターン２と第２電極配線パターン３との間の領域に、第１電極配線パターン２又は第２電極配線パターン３に沿う配列方向へ複数並設され、第１電極配線パターン２に接続された第１ボンドパッド２１〜２８及び第２電極配線パターン３に接続された第２ボンドパッド３１〜３８からなり、第１ボンドパッドに対する第２ボンドパッドの位置が少なくともその配列方向へずれているボンドパッド対と、発光ダイオード素子４を実装可能な素子実装領域１１、１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】保護膜及びその上の電極膜が均一な膜厚で形成された発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、上部に平坦部と傾斜側面及び頂面を有するメサ型構造部とを有し、平坦部及びメサ型構造部はそれぞれ、少なくとも一部は保護膜、電極膜によって順に覆われ、傾斜側面はウェットエッチングによって形成されてなると共に頂面に向かって水平方向の断面積が連続的に小さく形成され、保護膜は、平坦部の少なくとも一部と、傾斜側面と、頂面の周縁領域とを覆うとともに、平面視して周縁領域の内側に化合物半導体層の表面の一部を露出する通電窓を有し、電極層は、前記通電窓から露出された化合物半導体層の表面に直接接触すると共に、前記平坦部上に形成された保護膜の一部を少なくとも覆い、前記メサ型構造部の頂面上に光射出孔を有するように形成された連続膜である、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板全体の反り量が低減された凹部を有するセラミックス発光素子用基板およびこれを用いた光の指向性や電気的な接続等に信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】第１の無機絶縁組成物の焼結体からなる主面が平坦な基板本体と、前記基板本体の上面に接合された第２の無機絶縁組成物の焼結体からなる枠体とを有し、前記基板本体の上面に形成された凹部の底面に発光素子の搭載部を有する発光素子用基板であって、下面側配線層が、ＴＭＡによる収縮開始温度が前記第１の無機絶縁組成物の収縮開始温度に対して＋５０℃乃至＋１５０℃の範囲にあり、かつＴＭＡによる最終収縮量が前記第１の無機絶縁組成物の最終収縮量の−７５％乃至＋１０％の範囲にある金属ペーストの焼成により形成されていることを特徴とする発光素子用基板。 （もっと読む）

【課題】 発光装置等における素子と配線パターンとを接続するワイヤーの断線が起き難いワイヤーボンディング構造を提供することにある。
【解決手段】 このワイヤーボンディング構造のワイヤー１７，１８は、発光素子１５から発光素子近傍の基板１１の表面に接近した位置まで垂れ下がる降下部１７ａ，１８ａと、この降下部の先端から基板１１の表面近くで且つ基板１１の表面に沿って延伸する延伸部１７ｂ，１８ｂを有している。このため、封止樹脂１９の上部に位置する部分が減り、ワイヤー１７，１８は封止樹脂１９の変形による影響を受けにくくなる。また、延伸部１７ｂ，１８ｂは、封止樹脂１１の変形が最も少ない下部内に位置しているので、ワイヤー１７，１８が動くことを防いでいる。 （もっと読む）

【課題】より確実に光源のカソード側とグランドとの短絡から保護することを課題とする。
【解決手段】光源（８１）のアノード側８０ａに電源電圧ＶＢ１を供給する電源電圧供給回路（２０）と、前記光源（８１）のカソード側８０ｃに接続されて該光源（８１）の点灯のオンオフを繰り返すスイッチング回路３０とを備える点灯制御回路１０において、前記スイッチング回路３０がオフであり、かつ、前記光源（８１）のカソード側８０ｃの電圧ＶＣ１がローレベルである時に、前記スイッチング回路３０をオフに維持する保護回路４０を備える。 （もっと読む）

【課題】支持基板上に絶縁膜を介して半導体素子を搭載した半導体装置において、絶縁膜の絶縁性能が改善された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、支持基板と、支持基板上に設けられた第１の金属層と、第１の金属層上に設けられた絶縁体層と、絶縁体層上に第２の金属層を介して設けられ半導体膜と、を含む。絶縁体層と第１の金属層との間および絶縁体層と第２の金属層との間にはそれぞれ金属酸化物導電体層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、光取り出し効率を高めた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、無機膜とを備えている。半導体層は、第１の面と、その反対側に形成された第２の面と、発光層とを有し、窒化ガリウムを含む。ｐ側電極は、第２の面における発光層を有する領域に設けられている。ｎ側電極は、第２の面における発光層を含まない領域に設けられている。無機膜は、第１の面に接して設けられ、窒化ガリウムの屈折率と空気の屈折率との間の屈折率を有し、かつシリコンと窒素とを主成分とする。 （もっと読む）