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Fターム[5F041AA40]の内容

発光ダイオード (162,814) | 目的 (29,379) | その他 (13,445) | 応力、歪の除去、結晶性改善 (1,343)

Fターム[5F041AA40]に分類される特許

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【課題】薄膜半導体発光素子における反りやクラックの発生を防止し、歩留まりを向上することを目的とする。
【解決手段】半導体発光装置100は、基板109と、基板109上に実装された複数の薄膜半導体発光素子101とを備える。各薄膜半導体発光素子101は、アノード接続パッド111およびカソード接続パッド115を有する。アノード接続パッド111およびカソード接続パッド115の少なくとも一方は、微細加工された部分(例えば、メッシュ形状、縞模様、渦巻模様、回折模様など)を有している。 (もっと読む)


【課題】活性層の内部量子効率を向上させた窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に設けられたバッファ層および活性層と、を備え、バッファ層は、交互に積層された、Inx1Ga1-x1N(0<x1≦1)の式で表わされる第1のバッファ層と、Inx2Ga1-x2N(0≦x2<1、x2<x1)の式で表わされる第2のバッファ層と、を有しており、第1のバッファ層のIn組成x1は変化し、第1のバッファ層の少なくとも1層のIn組成x1が、活性層のIn組成よりも大きい窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】n型半導体層とp型半導体層の間にギャップを設けた半導体素子によって良好な発光素子を提供する。
【解決手段】第1基板10に下部電極2、n型半導体層3を順次形成する。n型半導体層3の表面に局所的に複数のスペーサ6をMgO薄膜で形成する。第2基板10‘の表面に上部電極(透明電極)5とp型半導体層4を形成する。n型半導体層3とp型半導体層4とを、スペーサ6を介して接合することで、両半導体層3、4の間にギャップspを形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子に接合されている部材に起因して半導体発光素子に生じる応力を低減できる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置100は、半導体発光素子10と、半導体発光素子10を支持する基板20と、半導体発光素子10と基板20との間に位置するシリコーンエラストマー層30と、を含み、半導体発光素子10とシリコーンエラストマー層30とは、接合されている。 (もっと読む)


【課題】絶縁部材における熱膨張の影響を低減させた発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、長尺の板状に形成された実装基板10の表面に1乃至複数の発光ダイオードが実装されてなる光源部1と、少なくとも一部が実装基板10の裏面に接触する放熱部材2と、絶縁材料によって長尺の板状に形成され、光源部1の長手方向に沿って並べられて、光源部1と放熱部材2との間に介装される複数の絶縁部材3A,3Bとを備える。そして光源部1は、少なくとも隣接する2つの絶縁部材3A,3Bに跨るようにして配置される。 (もっと読む)


【課題】半導体膜に対するコンタクト層として機能するITO膜を有する半導体発光装置において、ITO膜と半導体膜との接触の増大を抑制することができる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置1は、発光層を含む半導体膜20と、半導体膜上に設けられたITO膜30と、ITO膜30の上面の一部および側面を覆う酸素吸着性を有する酸素吸着部80と、ITO膜30の上面に設けられた光反射性を有する反射電極40と、ITO膜30、酸素吸着部80および反射電極40からなる積層体を覆うキャップ層50と、キャップ層50上に接合層61を介して接合された支持基板60と、を含む。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子(窒化物半導体素子)1は、主面10aを有する基板10と、n型層20a、n型コンタクト層20bおよびp型層20dを含む半導体層20と、を備える。主面10aはm面に対してa軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層20は、傾斜領域21と非傾斜領域22とを含む。傾斜領域21において、n型層20aおよびn型コンタクト層20bの所定領域上にn電極40が形成されている。 (もっと読む)


【課題】Ga基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体及びその製造方法、並びにその結晶積層構造体を含む低電圧駆動の半導体素子を提供する。
【解決手段】一実施の形態においては、Ga基板2と、Ga基板2上のAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなるバッファ層3と、バッファ層3上の、AlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなる窒化物半導体層4と、を含み、Ga基板2の表面の窒化物半導体層4の直下の領域をバッファ層3が被覆する割合が10%以上、100%未満であり、窒化物半導体層4の一部がGa基板2の表面に接触する、結晶積層構造体1を提供する。 (もっと読む)


【課題】低転位密度の窒化物半導体を成長することが可能な窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板のC面である主面に、前記主面に対して90°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが0.5μm以上3μm以下で、隣接する前記凸部間の距離が1μm
以上6μm以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さRMSが10nm以下である窒化物半導体成長用基板である。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル層に残存する転位の数を少なくする。
【解決手段】第2エピタキシャル層200は、第1エピタキシャル層100上にエピタキシャル成長している。第1エピタキシャル層100は、エピタキシャル成長層110及び欠陥層120を有している。欠陥層120は、エピタキシャル成長層110の上、かつ、第1エピタキシャル層100の表層に位置している。欠陥層120の欠陥密度は、5×1017cm−2以上である。欠陥層120を突き抜けた欠陥は、第2エピタキシャル層200の内部でループを形成している。 (もっと読む)


【課題】Ga基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、Ga基板2と、Ga基板2上のAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなるバッファ層3と、バッファ層3上の、酸素を不純物として含むAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなる窒化物半導体層4と、を含む結晶積層構造体1を提供する。窒化物半導体層4のGa基板2側の200nm以上の厚さの領域4aの酸素濃度は、1.0×1018/cm以上である。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第1下側層と、第1ドープ層と、第1上側層と、を含む。第1下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ、下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第1ドープ層は、第1下側層の上に設けられ、第1下側層の格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm−3以上1×1021cm−3未満の濃度で不純物を含有する。第1上側層は、第1ドープ層の上に設けられ、第1ドープ層の格子定数以上で第1下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 (もっと読む)


【課題】欠陥を抑制した高効率の半導体発光素子及び半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、440ナノメートル以上のピーク波長の光を放出する発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第1半導体層には、引っ張り歪が印加されている。前記第1半導体層における刃状転位密度は、5×10/cm以下である。前記第1半導体層と前記発光層との間の格子不整合率は、0.11パーセント以下である。 (もっと読む)


【課題】窒化珪素層を形成した場合でも、窒化物半導体層の転移密度を低減することができるとともに、窒化物半導体層の表面モフォロジーを優れたものとすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】斜めファセットを有する第2の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程において、有機金属気相成長装置の成長室に供給されるIII族元素ガスに対するV族元素ガスのモル流量比が240以下である窒化物半導体素子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】平坦な表面を有し、結晶性の高い窒化物半導体下地層を、反りを抑えて、大きな成長速度で成長させることができる窒化物半導体構造の製造方法を提供する。
【解決手段】第3の窒化物半導体下地層を形成する工程において、第3の窒化物半導体下地層の成長時に単位時間当たりに供給されるV族原料ガスのモル量と単位時間当たりに供給されるIII族原料ガスのモル量との比であるV/III比を700以下とし、第3の窒化物半導体下地層の成長時の圧力を26.6kPa以上とし、第3の窒化物半導体下地層の成長速度を2.5μm/時以上とする、窒化物半導体構造の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】数種類の材料を組み合わせてLED発光素子搭載用リードフレームを作製するにおいて、反りがないものを簡便に作製する。
【解決手段】LED発光素子用の素子搭載部、LED発光素子と電気的接続を行うための電気接続エリアを有するリード部を備えたベースとなる基板が、LED光源の高い光反射率を得るための樹脂製リフレクターを併設する場合において、該素子搭載部およびリード部を構成する層が金属材料で構成され、リフレクターは例えば熱硬化性樹脂などの絶縁材料を用いて数種類の材料が組み合わされて作製されており、使用する材料によって線膨張係数が異なっていたとしても、LEDパッケージを個片化する際に機械的に切断する部分にあらかじめ溝部が設けられており、それはリフレクター成型時に、一括で成型されている。 (もっと読む)


【課題】非極性面または半極性面を主面とする大型で良質なIII族窒化物半導体結晶をより簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】極性面を主面とする下地基板10上に、極性面以外のファセット面11〜18を含む凸状ライン部21〜24を2500μm以上のピッチで複数本形成し、前記主面に垂直な方向にIII族窒化物半導体結晶を成長させる。 (もっと読む)


【課題】キャップ層表面でのひび割れの発生を抑制することが可能な、半導体発光デバイス及び半導体発光デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光デバイスは、所定の基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されたn型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層上の一部に形成された量子井戸層と、量子井戸層上に形成された、p−GaNからなるp型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層上に形成された、p−InGaNからなるキャップ層と、キャップ層上、及び、量子井戸層の形成されていないn型窒化物半導体層上にそれぞれ形成されたコンタクト電極と、を備える。本発明に係る半導体発光デバイスのキャップ層では、当該キャップ層とp型窒化物半導体層との間の界面からコンタクト電極の形成された側の面に向かうにつれて、キャップ層に含まれるInの割合が増加する。 (もっと読む)


【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板101は、基板110の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜120と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第1の窒化物半導体層111と、各第1の窒化物半導体層111の側面上にのみ成長により形成された複数の第2の窒化物半導体層112と、複数の第1の窒化物半導体層111及び複数の第2の窒化物半導体層112を覆うように成長により形成された第3の窒化物半導体層113とを有している。複数の第2の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第3の窒化物半導体層は、第2の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 (もっと読む)


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