【課題】長い時間と多大な電力を要する後工程が不要であり、かつ窒化物半導体のｐｎ接合界面が大気開放されても発光素子を製造可能な方法を提供する。
【解決手段】ｐ型窒化物半導体層上に、主成分元素として亜鉛と酸素、ならびに副成分元素としてアルミニウム、ガリウム、およびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、組成物または混合物を用いて、スパッタリング法または真空蒸着法により、ｎ型酸化亜鉛層を製膜する工程を有するヘテロ接合型発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間にギャップを設けた半導体素子によって良好な発光素子を提供する。
【解決手段】第１基板１０に下部電極２、ｎ型半導体層３を順次形成する。ｎ型半導体層３の表面に局所的に複数のスペーサ６をＭｇＯ薄膜で形成する。第２基板１０‘の表面に上部電極（透明電極）５とｐ型半導体層４を形成する。ｎ型半導体層３とｐ型半導体層４とを、スペーサ６を介して接合することで、両半導体層３、４の間にギャップｓｐを形成する。 （もっと読む）

【課題】 発光素子アレイのボンディング部を樹脂などによってコーティングした場合であっても、樹脂などが発光素子の発光面に流れ出すことを抑制し、発光強度の低下を抑制できる発光素子アレイを提供する。
【解決手段】 基板２に、複数の発光素子３と、複数の電極パッド５とを有する発光素子アレイ１であって、複数の発光素子３は、基板２の一方主面に列状に配置され、複数の電極パッド５は、発光素子アレイ１の一方主面に、発光素子３の配列方向に沿って列状に配置され、複数の発光素子３の列と複数の電極パッド５の列との間における基板２の一方主面に、配列方向に沿った第１の凹部６ａを少なくとも１列有し、第１の凹部６ａの両端は、複数の発光素子３の列および複数の電極パッド５の列における両端よりも外側に位置する。 （もっと読む）

【課題】低温で良好に薄膜形成でき且つホール注入効率の高いｐ型半導体層を有するｐｎ接合素子を提供する。
【解決手段】
基板１の上に、ＺｎＯ層２が形成され、ＺｎＯ層２の上に、ｐ型半導体層３及び電極層６が形成され、ｐ型半導体層３の上に、ＮｉＯ層４、電極層５が順に積層形成されてｐｎ接合素子が形成されている。ｐ型半導体層３は、ＮｉＯとＭｇＯの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることによってＮｉ_1-xＭｇ_xＯ系材料で形成されている。電流を低下させることなくダイオード特性を得るためには、Ｎｉ_1-xＭｇ_xＯにおけるＸの値は０．３２≦ｘ≦０．５７の範囲にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】欠陥を抑制した高効率の半導体発光素子及び半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、４４０ナノメートル以上のピーク波長の光を放出する発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層には、引っ張り歪が印加されている。前記第１半導体層における刃状転位密度は、５×１０^９／ｃｍ^２以下である。前記第１半導体層と前記発光層との間の格子不整合率は、０．１１パーセント以下である。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有し、発光効率などの光電変換効率に優れたｐｎ接合素子を提供すること。
【解決手段】ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料のうちの他方の無機成分が、柱状、ジャイロイド状および層状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有しているナノヘテロ構造体と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、を備えており、
前記ナノヘテロ構造体中の前記ｐ型半導体材料と前記ｎ型半導体材料とによって形成されているｐｎ接合面の端部が前記ｐ型半導体層および前記ｎ型半導体層のうちの少なくとも一方の半導体層の表面と接触するように、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層とが前記ナノヘテロ構造体を挟持していることを特徴とするナノヘテロ構造ｐｎ接合素子。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な方法で製造でき、素子の形態に制約を受けず、十分な紫外発光強度を発揮することが可能な発光素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体であるＣｕＳＣＮ膜６と、ＺｎＯを主成分とし、副成分として、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｉｎから選ばれた一種類以上とＰとを含む紫外発光材料（ｎ型ＺｎＯ焼結体）５を電析法で接合する製造方法を経ることで、発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】良好なＰＮ接合を側面に有して、良好な電気的特性を有する半導体素子等を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体コア１１を覆うように第１導電型の半導体シェル１２を形成する。また、第１導電型の半導体シェル１２を覆うように第２導電型の半導体シェル１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】低温でも良好に薄膜形成できるｐ型ＺｎＯ系半導体材料を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯとＮｉＯの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることにより、Ｚｎ_1-xＮｉ_ｘＯ薄膜を基板上に形成する。Ｚｎ_1-xＮｉ_xＯ（ｘは、ＺｎとＮｉの合計モル数に対するＮｉモル数の比率である）は、ＺｎＯとＮｉＯとが混合した酸化物であり、ｘの値は０．６５以下に設定してＺｎＯに対する価電子帯トップのオフセット量を１ｅＶ以内に抑えることが好ましく、ｘの値は小さい方が好ましい。一方、電気伝導タイプをｐ型とし、電気抵抗を低く抑えることを考慮すると、Ｚｎ_1-XＮｉ_XＯにおけるＸの値は０．１３以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高効率で発光し、薄型に適した発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子１は、紫外光放射部１５と蛍光体層２１とからなり、ＺｎＯをベースとし、Ｇａ、Ｐが添加された半導体材料で形成された紫外発光層１１と、ＺｎＯをベースとするｐ型半導体層１２とがｐｎ接合され、紫外発光層１１に第１電極１３が、ｐ型半導体層１２に第２電極１４が接続されている。第１電極１３と第２電極との間に電圧を印加することによって、紫外発光層１１からピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光が放射される。蛍光体層２１は、紫外光放射部１５から放射される紫外光を吸収し可視光に変換する。この可視光は基板２２を透過して外部に出射される。 （もっと読む）

【課題】出力を向上可能な発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１００において、成長基板１０は、第１レーザー加工面１０C_１と、第１割断面１０C_２と、を含む第１側面１０Ｃを有する。第１割断面１０C_２には、成長基板１０を構成する材料の結晶格子面が露出している。垂直方向における第１レーザー加工面１０C_１の高さαは、垂直方向における成長基板１０の厚みβ_１と素子本体２０の厚みβ_２との和の２５％以上４０％以下である。 （もっと読む）

【課題】ｐ型伝導性のＮドープＺｎＯ系半導体膜の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体膜製造方法は、Ｚｎソースガン、Ｏラジカルガン、Ｎラジカルガン、Ｍｇソースガンを備え、Ｎラジカルガンが、ラジオ周波が印加されｐＢＮまたは石英を用いた無電極放電管を含む結晶製造装置により、ＮドープＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ膜を成長させる方法であって、基板法線方向から見て、膜の成長表面側上方に、Ｚｎソースガン、Ｏラジカルガン、Ｎラジカルガン、Ｍｇソースガンが円周方向に並んで配置されており、ＮラジカルガンとＺｎソースガンのビーム照射方向の方位角同士のなす角θ_ｃを９０°≦θ_ｃ≦２７０°とするとともに、ラジオ周波パワーを、無電極放電管からスパッタリングされたＢまたはＳｉが膜中に取り込まれない程度に低くする。 （もっと読む）

【課題】面発光する発光体の薄型化、排熱の効率化、輝度ムラの低減のうち、少なくとも１つを実現すること。
【解決手段】発光体１は、第１の半導体層４Ａと第２の半導体層４Ｂとで構成され、第２の半導体層４Ｂは、同一組成かつ連続した層であり、第１の半導体層４Ａは、連続した絶縁物の層４Ｉに、第２の半導体層４Ｂとは異なる組成で構成された複数の半導体領域４Ｓが、それぞれ別個独立して等間隔で配置された構造を持つ半導体・絶縁体複合層であり、第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとは接合し、前記接合部近傍に発光部２が形成され、さらに、第１の半導体層４Ａと第２の半導体層４Ｂとの接合面とは異なる面はそれぞれ第１電極５Ａと第２電極５Ｂが接合している。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド薄膜内に存在する結晶欠陥、不純物等を減少させ、高品質なダイヤモンド薄膜を作製可能なダイヤモンド薄膜作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンドが安定な高圧力下でアニールを行う。これにより、結晶中に含まれる格子欠陥等が回復、除去され、ダイヤモンド結晶薄膜を高品質化する事ができる。「（ダイヤモンドが）安定な、安定に」とは、ダイヤモンドがグラファイト化せずにダイヤモンドの状態を保つ状態を指す。ダイヤモンドが安定にアニール出来る領域内でアニールを行う温度（アニール温度、とも呼ぶ）Ｔおよびアニールを行う圧力（アニール圧力、とも呼ぶ）Ｐが決定される。この領域は、図２１に示される、Ｐ＞０．７１＋０．００２７ＴまたはＰ＝０．７１＋０．００２７Ｔを満たし、なおかつＰ≧１．５ＧＰａの領域である。このような領域は、図２１中の斜線部分である。 （もっと読む）

【課題】光電半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電半導体素子は、基板と、前記基板に形成され、第一シート抵抗値と、第一厚みと、第一ドーパント濃度とを有する第一ウィンドウ層と、第二シート抵抗値と、第二厚みと、第二ドーパント濃度とを有する第二ウィンドウ層と、前記第一ウィンドウ層と前記第二ウィンドウ層との間に形成される半導体システムと、を含み、前記第二ウィンドウ層及び前記半導体システムは、異なる半導体材料を含み、前記第二シート抵抗値は、前記第一シート抵抗値より低く、前記第二厚みは、前記第一厚みより大きい。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子に関し、複雑な設計を要することなく、ＧａＡｓ基板を用いた長波長発光素子を実現する。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板上に第一導電型半導体層と、少なくとも一層のＧｅ_１−ｘＳｉ_ｘ層（但し、０≦ｘ≦０．５）と少なくとも一層のＩｎ_１−ｙＧａ_ｙＡｓ層（但し、０≦ｙ≦０．７）とのヘテロ接合を有する発光層と、第一導電型半導体層とは反対の導電型の第二導電型半導体層とを設ける。 （もっと読む）

【課題】導通信頼性の高い電子装置、およびそれを用いた、画像形成装置並びに画像入力装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、基板１０２と、基板１０２の一表面上に形成された電子素子１０３と、電子素子１０３が形成された領域とは異なる領域に、所定間隔をあけて列状に配列され、第一の接続配線１０４を介して電子素子１０３と電気的に接続された、第一のパッド１０６と、電子素子１０３が形成された領域および第一のパッド１０６が形成された領域とは異なる領域に設けられ、第一のパッド１０６間を横切る第二の接続配線１０５を介して電子素子１０３と電気的に接続された、第二のパッド１０７と、を具備しており、第一のパッド１０６間において、第二の接続配線１０５の基板１０２とは反対側の表面が、第一のパッド１０６の基板１０２とは反対側の表面よりも基板１０２側に位置している。 （もっと読む）

【課題】発光素子の駆動電圧は発光素子のバンドギャップ電圧に依存して赤色発光ダイオードでは約２ボルト、白色発光ダイオードでは４から６ボルトの電圧である。いずれも商用電源で利用する場合には低い電圧へ変換して使う必要があり変換損失や変換器が必要となる。
【解決手段】本発明は一つの発光ダイオード基板上に複数個の発光素子を電気的に分離される様に構成して、この複数個の発光素子を直列に接続することにより発光ダイオードの駆動電圧を高くすることを可能にするものである。 （もっと読む）

【課題】異種基板上へＺｎＯ系半導体結晶を高温で成長可能なヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】異種基板４０上に酸化物または窒化物の配向膜からなるバッファ層４２を形成する工程と、バッファ層上にハロゲン化ＩＩ族金属と酸素原料を用いて、ＺｎＯ系半導体層４４，４６を結晶成長する工程とを有するヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】無機材料で形成されたＬＥＤ薄膜を金属基板上に一体化してドットマトリクス配置にすることによって、高輝度で寿命が長く、かつ、構造が簡単で、組み立て時に破損することがなく、小型化することができるようにする。
【解決手段】ヘッドアップディスプレイ装置に使用される光源装置であって、金属基板と、金属基板上に形成された平坦化膜と、平坦化膜上に形成された反射膜と、反射膜に分子間力により接合されている二次元状に配列された複数のＬＥＤ薄膜と、ＬＥＤ薄膜の第１の電極に接続された複数の第１配線と、ＬＥＤ薄膜の第１の電極に接続され、第１配線と略直交する複数の第２配線と、複数のＬＥＤ薄膜のうち第１の方向に配列されたＬＥＤ薄膜を選択的に駆動する第１の駆動素子と、複数のＬＥＤ薄膜のうち第１の方向と直交する第２の方向に配列されたＬＥＤ薄膜を選択的に駆動する第２の駆動素子とを有する。 （もっと読む）