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Fターム[5F041CA08]の内容

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Fターム[5F041CA08]に分類される特許

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【課題】
複数の領域に異なる特性を有するシリコン量子ドットを有するシリコン量子ドット装置を提供する。
【解決手段】
シリコン量子ドット装置は、基板と、基板上方に配置され、第1の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第1酸化シリコンマトリクス層と、第1酸化シリコンマトリクス層を挟む1対の第1酸化シリコン層とを含む、第1量子ドット構造と、基板上方に配置され、第1の平均ドットサイズと異なる第2の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第2酸化シリコンマトリクス層と、第2酸化シリコンマトリクス層を挟む1対の第2酸化シリコン層とを含む、第2量子ドット構造と、を有する。 (もっと読む)


【課題】チップサイズを変えること無く、出力を下げることもなく、順方向電圧のみを下げることが可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】1つの発光素子に1つのピーク波長を発する2つの発光層を具え、第1導電型の半導体層に接続する電極に対し、2つの第2導電型の半導体層に接続する2つの電極による並列回路を形成し、2つの発光層を並列で発光させることで、擬似的に発光層の面積を増やし、順方向電圧を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】製造過程でエピタキシャル層の表面部に形成されるエッチピットに起因するリーク電流を抑えること。
【解決手段】ダイオードの製造方法は、エピタキシャル層の表面にキャップ層を形成するキャップ層形成工程(S3)と、キャップ層が形成されている状態でドーパントを活性化させるアニール工程(S4)と、キャップ層を除去するキャップ層除去工程(S5)と、エッチング技術を利用してエピタキシャル層の表面を洗浄する洗浄工程(S6)と、エピタキシャル層の表面に第2エピタキシャル層を結晶成長させる工程と(S7)と、エピタキシャル層の表面に形成されている第2エピタキシャル層を研磨する研磨工程(S8)と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】既存のシリコン集積回路との親和性の高い薄層シリコン層を用いた発光素子で、発光波長が変更できるようにする。
【解決手段】この半導体発光素子は、シリコンから構成されて量子効果が示される範囲の層厚とされた発光層101と、発光層101にキャリアを注入するキャリア注入部102と、発光層101に印加する電界を制御する電界制御部103とを備える。こ半導体発光素子では、キャリア注入部102によりキャリアを注入することで発光する発光層101に、電界制御部103により任意の電界を印加し、量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)を生じさせることで、発光と同時に発光波長の変調を行う。 (もっと読む)


【課題】寄生抵抗が低減されたダイオード構造が形成できるようにする。
【解決手段】 この半導体素子は、n型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がC面方向とされている第1半導体層101と、第1半導体層101とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がC面方向とされて第1半導体層101の上に形成された第2半導体層102と、第2半導体層102とは格子定数が異なるn型の窒化物半導体から構成され、主表面がC面方向とされて第2半導体層102の上に形成された第3半導体層103とを少なくとも備える。また、第2半導体層102は、臨界膜厚より薄く形成されている。加えて、第1半導体層と第2半導体層との格子定数の大小関係と、第3半導体層と第2半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされている。 (もっと読む)


【課題】バイアス方向によって発光波長を変えることができる半導体発光素子において、波長分離性を向上させること。
【解決手段】半導体発光素子はサファイア基板10を有し、サファイア基板10上に、n−GaN層11、n+ −GaN層12、p+ −GaN層13、第1発光層14、第2発光層15、p+ −GaN層16、n+ −GaN層17、n−GaN層18が順に積層されている。n−GaN層18上には第1電極19が形成されている。また、n−GaN層18表面の一部領域はn−GaN層11に達する深さの溝が形成されていて、その溝により露出したn−GaN層11上に第2電極20が形成されている。さらに、第1発光層14と第2発光層15との間には、第1発光層14および第2発光層15よりもバンドギャップの大きな波長分離層21が設けられている。 (もっと読む)


【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第1の層と、該第1の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第2の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第の層に含まれるシリコン原子の量は、第の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第1の層と前記第2の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 (もっと読む)


【課題】グラフェン発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラフェン発光素子及びその製造方法に係り、該グラフェン発光素子は、p型ドーパントがドーピングされたp型グラフェンと、n型ドーパントがドーピングされたn型グラフェンと、発光する活性グラフェンと、が水平配列されている。 (もっと読む)


【課題】両極性発光電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】トランジスタのチャネル長を規定する長さLによって分離される電子注入電極及び正孔注入電極と接触する有機半導体層を備え、発光元の有機半導体層の領域は、電子注入電極及び正孔注入電極の両方からL/10より離れている両極性発光トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】発光効率を向上可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子10は、半導体基板1と、シリコン量子ドット2〜4と、絶縁膜5と、電極6を備える。半導体基板1は、n型単結晶シリコンからなる。絶縁膜5は、二酸化シリコン膜からなり、半導体基板1上に形成される。シリコン量子ドット2は、半導体基板1との間にキャリアがトンネル可能な膜厚を有する絶縁膜が存在するように絶縁膜5中に形成される。シリコン量子ドット3は、シリコン量子ドット2上に形成される。シリコン量子ドット4は、シリコン量子ドット3上に形成される。電極6は、ppoly−Siからなり、絶縁膜5上に形成される。 (もっと読む)


【課題】発光又は受光の効率を向上させることができ、しかも、広帯域でかつ所望のスペクトル形状を得る。
【解決手段】電光変換又は光電変換を行う複数の変換部3と、複数の前記変換部3が集積して配置された基板本体2とを備えている。複数の前記変換部3は、電光変換の場合の出力特性又は光電変換の場合の入力特性が異なるものを含み、当該出力特性又は入力特性が異なる変換部3が基板本体1の集積面に沿った方向で分散して配列されている。 (もっと読む)


【課題】全注入電流領域で高効率の発光特性を備えることができる発光素子、発光素子パッケージ及び照明システムを提供すること。
【達成手段】本発明の実施形態による発光素子は、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層及び前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に活性層を含めて、前記活性層は、前記第2導電型半導体層に隣接する第1活性層と前記第1導電型半導体層に隣接する第2活性層及び第1活性層と前記第2活性層との間にゲート量子壁を含む。 (もっと読む)


【課題】実装される発光装置の耐環境性及び信頼性を樹脂封止のものに対して向上させつつ、製造コストの低減を図ることのできる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子1において、電流の注入により発光する半導体積層部20と、半導体積層部20から発せられる光により励起されると、波長変換光を発する微結晶を含有する微結晶層40と、を備え、ウェハの状態での白色光の評価、選別等を可能とし、製造コストの低減を図ることができた。 (もっと読む)


【課題】発光デバイスにおいて、多重量子井戸での発熱を抑制する。
【解決手段】発光デバイスは、n型層と、p型層と、活性領域と、基板とを含む。n型層は、活性領域に横方向で電子を注入するために、活性領域に実質的に垂直な第1の接触領域で活性領域と接している。基板は、GaN、サファイア、シリコン、シリコンカーバイド、石英、酸化亜鉛、ガラスおよびガリウムヒ素を含むグループから選択される材料からなる。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが形成できるようにする。
【解決手段】ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層101と、第1半導体層101の上に形成されたアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層102と、第2半導体層102の上に接して形成された第2窒化物半導体からなる第3半導体層103とを少なくとも備える。また、第2半導体層102を構成する第1窒化物半導体は、第3半導体層103を構成する第2窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。 (もっと読む)


【課題】内部電界0となる面を主面とするIII 族窒化物半導体発光素子の発光効率を向上させること。
【解決手段】発光素子100は、複数のストライプ状の凹部が形成されたサファイア基板10と、サファイア基板10の凹部形成側の表面上に形成されたnコンタクト層11と、nコンタクト層11上に形成された発光層12と、発光層12上に形成された電子ブロック層13と、電子ブロック層13上に形成されたpコンタクト層14と、p電極15、n電極16と、によって構成されている。電子ブロック層13は、厚さ2〜8nm、Al組成比20〜30%のMgドープAlGaNからなる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、2つの基板を接合する際の割れやクラックを抑制し、製造歩留りを向上させる半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第1の基板、半導体層及び第1の金属層を有する第1の積層体と、第2の基板及び第2の金属層を有する第2の積層体と、を貼り合わせる半導体発光素子の製造方法であって、前記第1の積層体の劈開方向と前記第2の積層体の劈開方向とをずらし、前記第1の金属層と前記第2の金属層とを接触させて重ね合わせる工程と、前記第1の積層体と前記第2の積層体との間に加重を加えた状態で所定の温度に昇温し、前記第1の積層体と前記第2の積層体とを貼り合わせる工程と、を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が10乃至100nmの微細多結晶からなる第1のβ−FeSi層2を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第1のβ−FeSi層2上に粒径が10乃至100μmの第2のβ−FeSi層3を形成する。 (もっと読む)


【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約200nm未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも2つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー(LOHN)及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー(COHN)を含む。 (もっと読む)


【課題】ウェーハボンディングまたはメタルボンディングを利用したモノリシック白色発光素子を提供する。
【解決手段】白色発光素子130は、上面にp側リード端子132aとn側リード端子132bが形成されたサブマウント基板131と、下からp型窒化物半導体層126、第1活性層124,125、n型窒化物半導体層123及び絶縁性基板121が順次に積層されて成り、前記p型及びn型窒化物半導体層はそれぞれ前記p側及びn側リード端子に各々連結された第1発光部120と、前記絶縁性基板の上面の一領域上に形成された金属層138と、前記金属層の一領域上に接合され、下からp型AlGaInP系半導体層146、第2活性層145及びn型AlGaInP系半導体層142が順次に積層されて成る第2発光部140と、前記金属層の他領域と前記n型AlGaInP系半導体層上にそれぞれ形成されたp側電極148及びn側電極149とを含む。 (もっと読む)


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