【課題】ナノ構造を有し、発光効率などの光電変換効率に優れたｐｎ接合素子を提供すること。
【解決手段】ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料のうちの他方の無機成分が、柱状、ジャイロイド状および層状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有しているナノヘテロ構造体と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、を備えており、
前記ナノヘテロ構造体中の前記ｐ型半導体材料と前記ｎ型半導体材料とによって形成されているｐｎ接合面の端部が前記ｐ型半導体層および前記ｎ型半導体層のうちの少なくとも一方の半導体層の表面と接触するように、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層とが前記ナノヘテロ構造体を挟持していることを特徴とするナノヘテロ構造ｐｎ接合素子。 （もっと読む）

【課題】シリコン及びゲルマニウム発光素子として作成可能な、注入キャリアを発光領域に閉じ込めるための素子構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】電極と発光領域の間にキャリアにとって狭い通路、すなわち１次元的または２次元的量子閉じ込め領域を作成する。量子閉じ込めにより、その部分ではバンドギャップが開くため、電子にとっても正孔にとってもエネルギー障壁となり、通常のＩＩＩ−Ｖ族半導体レーザーのダブルへテロ構造と同様の効果が得られる。素子の形状を制御するだけで、通常のシリコンプロセスで使用する元素以外は使わないため、安価に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に減少させることができる新規な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造方法は、成長基板１を提供する工程と、前記成長基板１に複数の溝１ａを形成する工程と、前記成長基板１に半導体素子層２を形成する工程と、前記成長基板１から前記半導体素子層２を分離するように、前記成長基板１及び前記半導体素子層２の温度を変更する工程と、を備えている。成長基板と窒化物半導体基板との間の接触面積を減らし、ウェハ接合工程においての加熱による温度変化工程では、成長基板と窒化物半導体基板とは異なる膨張係数を有しているので、応力が集中して、成長基板と窒化物半導体基板を互いに剥離する。 （もっと読む）

【課題】同一の発光ピーク波長をもつ２層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板１０２の上面側に、中間電極１０４、下側第１導電型半導体層１０６、第１発光層１０８、第２導電型半導体層１１０、第１発光層１０８と同一の発光波長を有する第２発光層１１２、上側第１導電型半導体層１１４および上側電極１１６を順次具え、支持基板１０２の下面側に設けられる下側電極１１８と、上側第１導電型半導体層１１４および第２発光層１１２を貫通する凹部１２０に設けられ、第２導電型半導体層１１０と電気的に接続する基準電極１２２と、を有し、第１発光層１０８の電流が流れる有効領域１０８ａを規制する絶縁部１２６を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好なＰＮ接合を側面に有して、良好な電気的特性を有する半導体素子等を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体コア１１を覆うように第１導電型の半導体シェル１２を形成する。また、第１導電型の半導体シェル１２を覆うように第２導電型の半導体シェル１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を有する発光ダイオード(LED)基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板を含む発光ダイオード(LED)基板を提供する。サファイア基板は、複数の上部三角・下部六角テーパー部からなる表面を有する。上部三角・下部六角テーパー部の各々は、六角テーパー部と、該六角テーパー部上の三角テーパー部とからなる。上部三角・下部六角テーパー部どうしの間隔幅は、10μｍ未満である。このLED基板は、高い発光効率を有する。 （もっと読む）

【課題】既存のシリコン集積回路との親和性の高い薄層シリコン層を用いた発光素子で、発光波長が変更できるようにする。
【解決手段】この半導体発光素子は、シリコンから構成されて量子効果が示される範囲の層厚とされた発光層１０１と、発光層１０１にキャリアを注入するキャリア注入部１０２と、発光層１０１に印加する電界を制御する電界制御部１０３とを備える。こ半導体発光素子では、キャリア注入部１０２によりキャリアを注入することで発光する発光層１０１に、電界制御部１０３により任意の電界を印加し、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）を生じさせることで、発光と同時に発光波長の変調を行う。 （もっと読む）

【課題】面発光する発光体の薄型化、排熱の効率化、輝度ムラの低減のうち、少なくとも１つを実現すること。
【解決手段】発光体１は、第１の半導体層４Ａと第２の半導体層４Ｂとで構成され、第２の半導体層４Ｂは、同一組成かつ連続した層であり、第１の半導体層４Ａは、連続した絶縁物の層４Ｉに、第２の半導体層４Ｂとは異なる組成で構成された複数の半導体領域４Ｓが、それぞれ別個独立して等間隔で配置された構造を持つ半導体・絶縁体複合層であり、第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとは接合し、前記接合部近傍に発光部２が形成され、さらに、第１の半導体層４Ａと第２の半導体層４Ｂとの接合面とは異なる面はそれぞれ第１電極５Ａと第２電極５Ｂが接合している。 （もっと読む）

【課題】成形または加工操作に先立つプラスチック部品の非接触熱処理のためのシステムで、改善された赤外線エネルギー変換効率を有する特定の熱赤外線（ＩＲ）波長放射又はエネルギーを物品に直接注入するシステムを提供する。
【解決手段】電流を光子に直接変換する工程を通じてプラスチック部品に所望の吸収特性と一致する狭波長領域の放射エネルギーを放射する１つ以上のレーザーダイオードを含み、かつ熱監視制御セクションを含むシステム。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率が高くかつ放熱性のよい発光装置を提供することにある。
【解決手段】棒状のｎ型ＧaＮからなる半導体コア１１と、上記半導体コア１１の一部を覆うように形成されたｐ型ＧaＮからなる半導体層１２とを有すると共に、半導体コア１１の一部の外周面が露出した棒状構造発光素子１０と、棒状構造発光素子１０の長手方向が実装面に平行になるように棒状構造発光素子１０が実装された絶縁性基板１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で十分な発光強度が得られる発光素子を提供する。
【解決手段】この発光素子１００は、ｎ型ＧａＮ半導体基部１１３と、ｎ型ＧａＮ半導体基部１１３上に立設状態で互いに間隔を隔てて形成された複数のｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１と、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１を覆うｐ型ＧａＮ半導体層１２３とを備えた。ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１は棒状半導体１２１にｎ型を与える不純物量を増やすことにより容易に低抵抗化できる。それゆえ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の長さを長くしても、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の抵抗の増大が抑えられ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の根元部から先端部にわたって一様に発光させることができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加や製造歩留まりの低下を招くことなく、コアに所望の特性を持たせることができるダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード５は、ＳｉＣで作製された棒状コア１と、ｎ型のＧａＮで作製された第１のシェル２と、ｐ型のＧａＮで作製された第２のシェル３とを備える。ダイオードの２極の役割は、ｎ型の第１のシェル２とｐ型の第２のシェル３とが担うので、コア１の材質として第１,第２のシェル２,３とは異なるＳｉＣを選択できる。棒状コア１の屈折率(３〜３.５)が第１のシェル２の屈折率(２.５)よりも大きいので、第１,第２のシェル２,３のｐｎ接合面で発生した光が第１のシェル２から棒状コア１内へ入射し易いと共に棒状コア１内へ入射した光は、棒状コア１と第１のシェル２との界面で全反射し易い。よって、発生した光をコア１へ導波してコア１で強く発光させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＤＨ構造を有するＧａＮ系の半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０として、主面が（１−１０２）面（Ｒ面）となっているサファイア基板、主面が（１１−２０）面（Ａ面）となっているＧａＮ基板、または主面が（１１１）面となっているＳｉ基板が用いられる。そして、そのような基板１０上に、マスク層１７を利用してメサ状突起１１が形成され、さらに結晶成長速度の違いを利用して、メサ状突起１１の両脇に電流ブロック層１５が形成される。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造方法により発光波長を多様化させ、特に高精細な画像表示装置に用いて好適な半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、所定の光を放出させる第１の半導体発光層１７と、前記第１の半導体発光層１７とは異なる結晶系からなる半導体層から構成され前記第１の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出する第２の半導体発光層１１を有し、前記第１の半導体発光層１７を有する半導体構造部に前記第２の半導体発光層１１が貼り合わされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１０は、半導体基板１と、シリコン量子ドット２〜４と、絶縁膜５と、電極６を備える。半導体基板１は、ｎ^＋型単結晶シリコンからなる。絶縁膜５は、二酸化シリコン膜からなり、半導体基板１上に形成される。シリコン量子ドット２は、半導体基板１との間にキャリアがトンネル可能な膜厚を有する絶縁膜が存在するように絶縁膜５中に形成される。シリコン量子ドット３は、シリコン量子ドット２上に形成される。シリコン量子ドット４は、シリコン量子ドット３上に形成される。電極６は、ｐ^＋ｐｏｌｙ−Ｓｉからなり、絶縁膜５上に形成される。 （もっと読む）

【課題】垂直に位置がずれた活性領域を備えた三次元のLED構造を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップは、基板１０と、基板１０の上に形成されたメサ２５と、メサ２５により露出した基板１０の上面に形成された第１のＬＥＤ構造１と、メサ２５の上面に形成された第２のＬＥＤ構造２とを有する。ＬＥＤ構造１、２は、それぞれｎ型層３０１、３０２、活性領域４０１、４０２及びｐ型層５０１、５０２を含む。基板１０は、一体領域１０２、分離領域１９２及び傾斜領域１２２を備え、ＬＥＤ構造１、２は、分離領域１９２においては互いに分離しているが、一体領域１０２においては、各層が１つに結合している。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体層接合基板の製造方法は、第１基板２の上面２Ａに、第１基板２と異なる熱膨張係数を有する第１半導体層３を成長させる準備工程と、第１半導体層３の上面３Ａに、第１基板２よりも第１半導体層３に近い熱膨張係数を有する第２基板４を接合した後、第１基板２を除去して第２基板４および第１半導体層３が接合された接合体６を形成する接合体形成工程と、第１基板２が除去された側の第１半導体層３の露出面７に、第１半導体層３と同じ組成系の第２半導体層５をさらに成長させる成長工程とを有している。そのため、第１半導体層３上に第２半導体層５を成長させる際に、第２基板４と第１半導体層３の界面において、第１半導体層３に発生するクラックを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】長波長においても発光効率が高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層１０、ｐ形半導体層２０及び発光部３０を備えた半導体発光素子が提供される。発光部は、以下を含む。第１発光層ＬＥ１は、III族元素中のＩｎ組成比が２０％以上の第１井戸層領域ＷＲ１と、第１非井戸層領域ＮＲ１と、を含む。第１障壁層ＢＬ１は第１発光層とｐ形半導体層との間に設けられる。第２発光層ＬＥ２は、第１障壁層とｐ形半導体層との間に設けられ、Ｉｎ組成比が第１井戸層領域と同じ第２井戸層領域ＷＲ２と、第２非井戸層領域ＮＲ２と、を含む。第２障壁層ＢＬ２は第２発光層とｐ形半導体層との間に設けられる。ｎ側障壁層ＢＬｎは第１発光層とｎ形半導体層との間に設けられる。第１井戸層領域及び第２井戸層領域の少なくともいずれかは幅が５０ｎｍ以上の部分を有する。 （もっと読む）

【課題】パッケージコストおよび実装コストを抑制できる発光装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１電極２５１と、第２電極２５２とを有する第１基板２５０を準備する基板準備工程を行った後、液体２５７と、その液体２５７内に位置する複数の発光素子２６０とを有する素子含有液体を、第１基板２５０上に位置させる素子供給工程を行う。その後、第１電極２５１と第２電極２５２とに電圧を印加して、二以上の発光素子２６０を、電圧の印加によって生成される電場に基づいて決定される予め定められた位置に、静電誘導により配列する素子配列工程を行う。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード（ＬＥＤ）の製造との関連において金属窒化物のエピタキシャル成長に用いられるテクスチャー化単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶１０の上に被着された金属層１１を、熱処理によりパッド１２を形成する。次に、シリカの保護層を被着させ、保護層の細孔１３を通して第１の化合物によるエッチングで金属パッドを素早く溶解し、金属パッドに対応する容積の空のキャビティ１５を形成する。次いで第２の化合物によるエッチングで単結晶の表面をエッチングし、テクスチャーキャビティ１６を形成する。つづいて、ＨＦによるエッチングで単結晶からシリカの保護層を取り除くことにより、所望のテクスチャー化単結晶１７が得られる。 （もっと読む）