【課題】全方位出射型発光デバイスにおいて、透明封止樹脂内から、発光素子より出射された光の光路を遮る要因となる物を極力排除し、さらなる光取出し効率の向上を図ること。
【解決手段】発光デバイスを、発光素子と、該発光素子を埋設する透光性部材と、一端が前記発光素子に接続され、他端が前記透光性部材の外部へと引き出された１対の接続線とを有する構成とすることで、光取出し効率の低下を極限まで防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】素子の光取出面積をより拡大することができ、ひいては光取出効率の更なる向上を図ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子を構成する積層体の側面に孔ＬＰを分散形成し、その孔ＬＰの内面に異方性エッチング処理による微細な面粗し突起部を分散形成する。側面を平坦に形成する場合と比較して、面粗し対象面の総面積が孔ＬＰを形成する分だけ増大し、これにさらに面粗し突起部Ｆを重畳形成することによって、面粗し突起の総形成量を増加させることができる。その結果、異方性エッチングによる面粗し処理のみを行なう従来の手法と比較して、素子の光取出面積をより拡大することができ、ひいては光取出効率の更なる向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０は、基板１１の表面に半導体層１２が積層されて構成されている。基板１１は、少なくとも１つの側面１１ａが中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、素子駆動用の配線配置による光取り出しロス低減を可能とし、しいては素子面積の縮小によるパッケージの小型化を可能とする。
【解決手段】サファイア基板４、バッファ層、Ｎ型ドーパントがドープされたＡｌＧａＮからなるＮ型窒化物半導体層３，ノンドープＩｎＧａＮからなる活性層２およびＰ型ドーパントがドープされたＡｌＧａＮからなるＰ型窒化物半導体層１がこの順序で積層され、サファイア基板４に傾斜面を形成し、その傾斜面に形成された反射膜８ｂにより結晶成長基板の側面から光を取り出す。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤモジュールの前面側に位置する者と、背面側に位置する者に対して同時に表示を行うことができるＬＥＤモジュールを提供する。
【解決手段】取付基板２と、取付基板２に縦横に所定間隔を開けて形成される開口３と、取付基板２の開口３近傍に取り付けられ、開口３の各々に向かって光を照射するＬＥＤ部４と、開口３内に配設され、ＬＥＤ部４の照射光を少なくとも取付基板２の前面側と背面側とに出射させる光制御部５とを備えるＬＥＤモジュール１であり、好適には、光制御部５を透光性樹脂５１内に拡散片５２を分散して構成し、略球形若しくは略卵形とする。 （もっと読む）

本発明は、光学的に結合される２つの部分組立品を有する側面放射照明装置に関する。各部分組立品は、基板と、前記基板に配置される少なくとも１つの光源と、前記少なくとも１つの光源に光学的に結合される発光板とを有する。前記光源は、前記発光板からルミネセンス光を励起することが可能な波長の光を放射する。前記２つの部分組立品は、前記発光板の自由表面を互いに向き合わせて配設される。前記側面放射照明装置は、例えば、ＴＦＦＣ（Thin Film Flip Chip）技術を用いて配設されるむきだしのチップ又はレーザダイオードを有する光源に適用可能である。
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【課題】改良型液晶ディスプレイ・システム及びこれを使用する方法を提供する。
【解決手段】ＬＣＤパネルにバックライトを当てるように配置された少なくとも１つの導波路素子に異なる入光領域を介して光学的に結合された複数の光源を含むＬＣＤシステム。ＬＣＤパネルにバックライトを当てるように配置された導波路システムを備える２つ以上の導波路の入光領域に結合された複数の光源を含むＬＣＤシステム。種々の構成の、関連するＬＣＤパネルの均一な照明を促進する導波路が提供される。結果として生じるＬＣＤシステムは、１２〜１４インチを超える対角線測定値を有する均一に照明されるパネルを可能にするが、本発明はいかなる特定サイズのパネルにも限定されない。 （もっと読む）

【課題】波長変換層を備えた活性領域を有するオプトエレクトロニクスデバイスを提供すること
【解決手段】・第１の電極を含み、・第１の電極上の、活性領域を有するビーム放射層列を含み、活性領域は面法線を備えた主延在面を有しており、非ランベルト放射特性を有する電磁一次ビームを放出し、・ビーム放射層列上の、一次ビームに対して透過性の第２の電極を含み、・一次ビームのビーム路内にある波長変換層を含み、波長変換層は一次ビームの少なくとも一部を電磁二次ビームに変換し、・第１の電極は一次ビームに対して反射性であり、・非ランベルト放射特性は、ビーム放射層列の一次ビームの強度によって、面法線に対して測定された放射角度αに依存して定められ、・角度が最大角度まで上昇するにつれて増大し、・波長変換層内での電磁一次ビームの変換率は、放射角度が上昇するにつれて増大する、オプトエレクトロニクスデバイス。 （もっと読む）

【課題】ナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体を用いる半導体発光装置において、電極形成工程の困難さを回避する。
【解決手段】ナノコラム２を、ｎ型ＧａＮから成るコア部２１を、それよりバンドギャップエネルギーが大きいｎ型ＡｌＧａＮから成る筒状のシェル部２２で囲んだ同軸形状のヘテロ構造に形成し、コア部２１自体を活性層とする。そして、成長基板から分離して、ｎ型電極となるＡｌ基板５上に多数散布し、その上にｐ型電極となる透明な有機金属から成る封止部材４をスピンコートで被せる。ただし、スピンコートの前に窒素ラジカルを照射し、任意の位置に散布されたナノコラム２に対して、その自己整合によって、Ａｌ基板５の表層部において、ナノコラム２の影になっていない部分５ａを絶縁性の窒化アルミニウム層として前記有機金属との短絡を回避する。こうして、電極を容易に形成できる。 （もっと読む）

【課題】小型化ができ、また構造が簡単なために製造が容易で、大きな発光効率を長期間安定して得ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１は、その厚み方向とそのＧａＮ基板１面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域５１を有し、そのＧａＮ基板１内の板状結晶反転領域５１と、ＧａＮ基板１上に形成されたｎ型およびｐ型窒化物半導体層２、６に伝播した板状結晶反転領域５１とが、ｐ型窒化物半導体層６側からｎ型窒化物半導体層２を経てＧａＮ基板１内にいたる位置まで除去され、その除去されたあとに残ったｐ型窒化物半導体層６に接して、各ｐ型窒化物半導体層６ごとに前記ｐ電極１２が設けられている。 （もっと読む）

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。特に本発明は、ナノワイヤを活性部分として有するＬＥＤに関する。本発明にかかるナノ構造のＬＥＤは、基板と、該基板から突出した直立したナノワイヤとを含む。活性領域(120)に光を生成する能力を与えるｐｎ接合は、この構造内に存在する。前記ナノワイヤ(110)、または、前記ナノワイヤから構成される構造は、前記活性領域で生成された光の少なくとも一部を、前記ナノワイヤ(110)により与えられる方向に向ける導波管(116)を形成する。
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【課題】ＬＥＤの特長である薄型という点を生かしつつ、見栄え良く、１個の発光素子で大面積を照射することができ、高い外部放射効率が得られること。
【解決手段】発光素子６に電力を供給する電気系５ａ，５ｂ，７と、発光素子６及び電気系５ａ，５ｂ，７を封止する光透過性材料８とを具備し、発光素子６上に形成された上面の中央の平坦面９ａと、平坦面９ａから続く光透過性材料８により発光素子６から発せられた光を上下方向に拡げることなく、放物線の一部からなる形状の側面方向へ反射する反射面９と、前記側面方向へ反射された光を上下方向へ拡げることなく外部放射する楕円の一部からなる形状の側面放射面１０とが、その焦点位置に発光素子６をモールドしている。 （もっと読む）

【課題】 光取出し効率を向上させることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 発光層構成部３０と、発光層構成部３０のｐ型の主面に一体的に接合し、発光層構成部３０に近い側で幅が広く遠い側で狭くなるように傾斜した外側面を有し、電流を流せる透明なｐ型ＧａＰウェーハ１１と、ｐ型ＧａＰウェーハ１１の発光層構成部３０に接合した面とは異なる面に配設されたｐ側電極４１と、発光層構成部３０のｎ型の主面に一体的に接合し、発光層構成部３０に近い側で幅が広く遠い側で狭くなるように傾斜した外側面を有し、電流を流せる透明なｎ型ＧａＰウェーハ１２と、ｎ型ＧａＰウェーハ１２の発光層構成部３０に接合した面とは異なる面に配設されたｎ側電極４２と、ｐ型ＧａＰウェーハ１１に、ｐ側電極４１とｎ側電極４２とを介して発光層構成部３０の接合した面の中央部に集中的に電流を流すように形成された反転層２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 従来技術の上述したような欠点を排除したＬＥＤ光源を提供すること及びＬＥＤ光源の価値及び魅力を高めることである。
【解決手段】 伝熱性の、しかし電気絶縁性の絶縁部材１９が支柱１４の第１表面１６に固定され得、単一の発光ダイオード１８が絶縁部材１９に、例えば伝熱性セメントによって作動上固定され得る。最適効果を得るために、発光ダイオードは支柱１４の軸方向に中心を合わせたサイドエミットＬＥＤとされる。反射体２０は発光ダイオード１８と光学的に連通され、またベース部１２に機械的に固定される。前記機械的固定は反射体２０とベース部１２とを共にインサート成型することに達成され得、インサート成型により、十二分な機械的強度と共に、優れた防水シールが提供される。 （もっと読む）

光線の光子エネルギーに対応する1または2以上のエネルギー遷移を有するバンドギャップ特性を示す、1または2以上の半導体材料で少なくとも一部が製作された、少なくとも一つの細長構造部（120）を有する、整調放射線放射半導体装置（50）を示した。少なくとも一つの構造部（120）は、該構造部を流れる電流に応じて、光線を放射するように作動する。また、前記少なくとも一つの構造部（120）は、十分に狭く製作され、電流の流れに対応する電荷キャリアの量子閉じ込めが生じる。また、前記少なくとも一つの構造部（120）は、さらに該少なくとも一つの細長構造部（120）に電場を印加する電極配置（190）を有し、バンドギャップ特性に歪が生じ、前記構造部（120）を流れる前記電流の流れに応じて、前記少なくとも一つの細長構造部（120）から作動時に放射される前記光線の波長が変調される。

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