【課題】活性層の内部量子効率を向上させた窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に設けられたバッファ層および活性層と、を備え、バッファ層は、交互に積層された、Ｉｎ_x1Ｇａ_1-x1Ｎ（０＜ｘ１≦１）の式で表わされる第１のバッファ層と、Ｉｎ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０≦ｘ２＜１、ｘ２＜ｘ１）の式で表わされる第２のバッファ層と、を有しており、第１のバッファ層のＩｎ組成ｘ１は変化し、第１のバッファ層の少なくとも１層のＩｎ組成ｘ１が、活性層のＩｎ組成よりも大きい窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】長い時間と多大な電力を要する後工程が不要であり、かつ窒化物半導体のｐｎ接合界面が大気開放されても発光素子を製造可能な方法を提供する。
【解決手段】ｐ型窒化物半導体層上に、主成分元素として亜鉛と酸素、ならびに副成分元素としてアルミニウム、ガリウム、およびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、組成物または混合物を用いて、スパッタリング法または真空蒸着法により、ｎ型酸化亜鉛層を製膜する工程を有するヘテロ接合型発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間にギャップを設けた半導体素子によって良好な発光素子を提供する。
【解決手段】第１基板１０に下部電極２、ｎ型半導体層３を順次形成する。ｎ型半導体層３の表面に局所的に複数のスペーサ６をＭｇＯ薄膜で形成する。第２基板１０‘の表面に上部電極（透明電極）５とｐ型半導体層４を形成する。ｎ型半導体層３とｐ型半導体層４とを、スペーサ６を介して接合することで、両半導体層３、４の間にギャップｓｐを形成する。 （もっと読む）

【課題】上部に反射部材を備え側面から光を放射するＬＥＤ装置において、色度を容易に管理できるＬＥＤ装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ装置１０は、回路基板３上に実装したＬＥＤダイ２０を所定の厚みを持った蛍光体層１６で被覆している。さらに蛍光体層１６は透明層１２で覆われており、透明層１２の上部に反射部材１１が接している。ＬＥＤ装置１０の色度は実用的な精度においてＬＥＤダイ２０の発光スペクトルと蛍光体層１６の蛍光物質濃度及び厚みで決まるので、透明層１２を調節してＬＥＤ装置１０のサイズを変更しても色度は変わらない。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第２導電型の第２の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるＡｇを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第１キャップ層と、該第１キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第２キャップ層との積層を少なくとも２セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】 発光素子アレイのボンディング部を樹脂などによってコーティングした場合であっても、樹脂などが発光素子の発光面に流れ出すことを抑制し、発光強度の低下を抑制できる発光素子アレイを提供する。
【解決手段】 基板２に、複数の発光素子３と、複数の電極パッド５とを有する発光素子アレイ１であって、複数の発光素子３は、基板２の一方主面に列状に配置され、複数の電極パッド５は、発光素子アレイ１の一方主面に、発光素子３の配列方向に沿って列状に配置され、複数の発光素子３の列と複数の電極パッド５の列との間における基板２の一方主面に、配列方向に沿った第１の凹部６ａを少なくとも１列有し、第１の凹部６ａの両端は、複数の発光素子３の列および複数の電極パッド５の列における両端よりも外側に位置する。 （もっと読む）

【課題】活性層の端面での非発光再結合が抑制され、発光効率の向上した発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層がこの順に設けられ、前記第２導電型半導体層に光取り出し面を有する積層体と、少なくとも前記活性層の端面近傍に設けられ、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する再結合抑制構造とを備えた発光素子。 （もっと読む）

【課題】光出力の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、半導体積層体１５は、第１導電型の第１半導体層１２と、半導体発光層１３と、第２導電型の第２半導体層１４がこの順に積層されている。半導体積層体１５は、第２半導体層１４および半導体発光層１３を貫通して第１半導体層１２に到る複数の柱状のトレンチ１６を有している。複数の柱状のトレンチ１６は、周期的に配列されている。半導体発光層１３から放射される光に対して透光性を有する絶縁膜２０が、トレンチ１６内に埋め込まれている。第１電極１８は、第１半導体層１２に電気的に接続されている。第２電極１９は、第２半導体層１４の上面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】
高抵抗領域と低抵抗領域が隣接して形成されると、境界部に電流集中が生じる。
【解決手段】
窒化物半導体発光素子は、基板と、基板上に配置され、ｐ型層、活性層、ｎ型層を含む窒化物半導体積層と、ｐ型層と基板との間に形成されたｐ側電極と、ｎ型層上の限定された領域に形成されたｎ側電極と、ｎ側電極に対向する領域を含んで、ｐ型層内、またはｐ型層表面に形成され、実質的に電流を流さない高抵抗領域と、高抵抗領域外側のｐ型層に形成され、ｐ側電極との間に電流を流す低抵抗領域と、高抵抗領域と低抵抗領域の間に形成され、制限された電流を流すグレーデッド領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ホールの供給を促して、発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１０では、第１導電型の第１不純物濃度を有する井戸層と第１不純物濃度より高い第１導電型の第２不純物濃度を有する障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層１３が、第１半導体層１２上に部分的に設けられている。バンドギャップが略一様で単一の組成を有する第２導電型の第２半導体層１５、１６が発光層１３上に設けられている。第１電極２１、２２は、第１半導体層１３上に設けられている。第２電極２３、２４が、第２半導体層１６上に設けられている。発光層１３に平行な方向における第１電極２２と第２電極２４の間の第１の距離Ｌ１が、発光層１３に垂直な方向における第１電極２１、２２と第２電極２３、２４の間の第２の距離Ｌ２より大きい。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板を電流経路として有効利用した発光ダイオード素子を用いて、高信頼性化および発光効率の向上を図った発光装置を提供する。
【解決手段】この発光装置は、下記（Ａ）の発光ダイオード素子と、該発光ダイオード素子に印加される電流が最大電流Ｉ_ｍａｘを超えないように制御する制御回路と、を備え、（ａ）Ｉ_ｍａｘ／Ａ_Ａ≧２２０〔Ａ／ｃｍ^２〕；かつ（ｂ）下記（Ａ）の発光ダイオード素子のＩ−Ｖ曲線が、２０（ｍＡ）〜Ｉ_ｍａｘ（ｍＡ）の範囲内に、該曲線の傾きの変化率が減少から増加に転じる点を有さない、ことを特徴とする。（Ａ）活性層を含む複数のＧａＮ系半導体層を有する積層構造がＧａＮ系半導体基板の主面上に設けられ、ｎ側電極が該ＧａＮ系半導体基板の表面または該ＧａＮ系半導体基板上に積層されたコンタクト層の表面の一部に形成され、該ｎ側電極の面積Ａ_Ｅが該活性層の面積Ａ_Ａの２０％以下である、発光ダイオード素子。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に対するコンタクト層として機能するＩＴＯ膜を有する半導体発光装置において、ＩＴＯ膜と半導体膜との接触の増大を抑制することができる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置１は、発光層を含む半導体膜２０と、半導体膜上に設けられたＩＴＯ膜３０と、ＩＴＯ膜３０の上面の一部および側面を覆う酸素吸着性を有する酸素吸着部８０と、ＩＴＯ膜３０の上面に設けられた光反射性を有する反射電極４０と、ＩＴＯ膜３０、酸素吸着部８０および反射電極４０からなる積層体を覆うキャップ層５０と、キャップ層５０上に接合層６１を介して接合された支持基板６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】発光むらが低減された半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ型半導体層及びｐ型半導体層が積層された半導体層と、前記ｎ型半導体層に接続されたｎ側電極と、前記ｐ型半導体層上にｐ側透光性電極を有し、該ｐ側透光性電極に接続されたｐ側電極と、を備えた半導体発光素子であって、前記半導体発光素子を上面から見て、前記ｐ側電極は、前記ｎ側電極を囲むように形成されたｐ側延伸部とｐ側パッド電極とを有し、前記ｎ側電極は、ｎ側パッド電極と、前記ｐ側パッド電極方向に延びるｎ側第１延伸部と、を有し、前記ｐ側延伸部は、前記ｐ側パッド電極から延伸するｐ側第１延伸部と、前記ｐ側第１延伸部から延伸するｐ側第２延伸部と、前記ｐ側第２延伸部から分岐して延伸するｐ側第３延伸部と、前記ｐ側第３延伸部から延伸するｐ側第４延伸部と、を備え、前記ｐ側第２延伸部と、前記ｐ側第４延伸部と、前記ｎ側第１延伸部とが平行である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子（窒化物半導体素子）１は、主面１０ａを有する基板１０と、ｎ型層２０ａ、ｎ型コンタクト層２０ｂおよびｐ型層２０ｄを含む半導体層２０と、を備える。主面１０ａはｍ面に対してａ軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層２０は、傾斜領域２１と非傾斜領域２２とを含む。傾斜領域２１において、ｎ型層２０ａおよびｎ型コンタクト層２０ｂの所定領域上にｎ電極４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光素子と、蛍光体を含む波長変換層との組み合わせにより所望の発光色の混合光を得る半導体発光装置において、発光素子の発光面内における不均一な輝度分布または不均一な発光波長分布に起因する混合光における色ムラを抑制することができる半導体発光装置、およびこのような半導体発光装置を備えた車両用灯具を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、発光動作時における発光層内の電流密度に不均一性を有する。波長変換層６０ｓ，６０ｌは、発光動作時における発光層内の電流密度の不均一性に起因する光取り出し面内における混合光の色度差を減じるように、半導体発光素子の発光動作時の電流密度が相対的に高い領域を覆う部分と電流密度が相対的に低い領域を覆う部分で異なる波長変換特性を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子と光学素子との高い位置合わせ精度を有し、かつ、半導体発光素子の出射部へのダメージを抑制できる光源モジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る光源モジュール１００は、出射部１１を有する半導体発光素子１０と、出射部１１から出射される光Ｌ１が入射する光学素子２０と、を含み、光学素子２０は、出射部１１を避けて、半導体発光素子１０に接合されている。 （もっと読む）