【課題】発光層内を伝搬して半導体膜の端面に至る光を効率的に外部に取り出すことができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置１は、III族窒化物半導体からなる発光層を含む半導体膜２０と、半導体膜の光取り出し面とは反対側の面に設けられた反射電極４０と、反射電極に接合層を介して接合された支持基板６０と、を含む。半導体膜２０は、光取り出し面に対して斜め方向に傾斜したテーパー状端面２０ａを有する。光取り出し面は、半導体膜の結晶構造に由来する形状の複数の突起からなる凹凸構造を有し、光取り出し面のエッジ部周辺の第１領域１０１における複数の突起の平均サイズが、第２領域１０２における複数の突起の平均サイズよりも小である。 （もっと読む）

【課題】半極性面上に設けられ発光に必要なバイアス電圧の上昇が抑制された窒化物半導体発光素子と、この窒化物半導体発光素子の作製方法とを提供すること。
【解決手段】半極性面の主面１３ａを有する六方晶系窒化物半導体からなる支持基体上に設けられた発光層１７の多重量子井戸構造は、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃとバリア層１７ｂとからなり、バリア層１７ｂは、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃの間に設けられ、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃは、ＩｎＧａＮからなり、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃは、０．１５以上０．５０以下の範囲にあるインジウム組成を有し、六方晶系窒化物半導体のｃ面に対する主面１３ａの傾斜角αは、５０度以上８０度以下の範囲、及び、１３０度以上１７０度以下の範囲、の何れかの範囲にあり、バリア層１７ｂの膜厚の値Ｌは、１．０ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に窒化物半導体層を形成するに際し、基板に被着した堆積物の除去が容易な窒化物半導体積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体積層構造体の製造方法では、第１および第２の面１１ａ、１１ｂと第１熱膨張係数α１を有する基板１１の第２の面１１ｂに、第1保護膜３１を形成する。第１保護膜３１が形成された基板１１の第１の面１１ａに、第１熱膨張係数α１と異なる第２熱膨張係数α２を有する第１窒化物半導体層１２を形成する。第１窒化物半導体層１２に、第２保護膜３４を形成する。第１保護膜３１を除去し、基板１１の第２の面１１ｂを露出させる。露出した基板１１の第２の面１１ｂに、第２熱膨張係数α２に略等しい第３熱膨張係数α３を有する第２窒化物半導体層１３を形成する。第２保護膜３４を除去し、第１窒化物半導体層１２を露出させる。 （もっと読む）

【課題】凸パターンを覆うｎ型窒化物半導体層を良好に形成できながら、外部量子効率を向上させることができる発光素子およびこれを含む発光素子ユニットを提供すること
【解決手段】基板２の表面３に互いに第１ピッチｐ_１を空けて離散して配置された複数の凸部１９の集合体からなる凸パターン２０において、凸部１９は、互いに第１ピッチｐ_１よりも小さい第２ピッチｐ_２を空けて当該凸部１９の頂部に離散して形成された複数の微細凸部３５の集合体からなる微細凸パターン３６と、当該微細凸パターン３６を支持するベース部３７とを含む。 （もっと読む）

【課題】ガラスやセラミック等の非単結晶基板上に単結晶エピタキシャル層の成長を可能にする。
【解決手段】結晶成長させようとする単結晶の薄膜と格子整合の取れた下地層を調整する自己組織化方法であって、非単結晶基板上に有機−無機ハイブリッド材料の溶液を塗布するステップと、前記塗布された有機−無機ハイブリッド材料を予め定められた温度及び雰囲気下で処理して、規則的に配列された格子を自発的に生成させるステップと、を行なうものである。 （もっと読む）

【課題】シリコン及びゲルマニウム発光素子として作成可能な、注入キャリアを発光領域に閉じ込めるための素子構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】電極と発光領域の間にキャリアにとって狭い通路、すなわち１次元的または２次元的量子閉じ込め領域を作成する。量子閉じ込めにより、その部分ではバンドギャップが開くため、電子にとっても正孔にとってもエネルギー障壁となり、通常のＩＩＩ−Ｖ族半導体レーザーのダブルへテロ構造と同様の効果が得られる。素子の形状を制御するだけで、通常のシリコンプロセスで使用する元素以外は使わないため、安価に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】発光波長に応じて発光層の障壁層のＡｌ組成比を最適化して、発光効率を向上させること。
【解決手段】ＩｎＧａＮからなる井戸層、ＡｌＧａＮからなる障壁層、が順に繰り返し形成されたＭＱＷ構造の発光層を形成するに当たり、障壁層１３１のＡｌ組成比をｘ（％）、障壁層１３１のバンドギャップエネルギーと井戸層１３０のバンドギャップエネルギーとの差をｙ（ｅＶ）として、１２．９≦−２．８ｘ＋１００ｙ≦３７、かつ、０．６５≦ｙ≦０．８６、の範囲を満たすように井戸層１３０と障壁層１３１を形成する。あるいは、障壁層１３１のＡｌ組成比をｘ（％）、井戸層１３０のＩｎ組成比をｚ（％）として、１６２．９≦７．１ｘ＋１０ｚ≦２１６．１、かつ、３．１≦ｚ≦９．２、の範囲を満たすように形成する。 （もっと読む）

【課題】成長用基板の剥離の際の半導体層の損傷を抑制した半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子用ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、凹凸が設けられた主面を有する第１基板の主面上に、発光層を含む窒化物半導体層を形成する工程と、窒化物半導体層と第２基板とを接合する工程と、第１基板を介して窒化物半導体層に光を照射して第１基板を窒化物半導体層から分離する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体層を形成する工程は、凹凸の凹部の内壁面上に窒化物半導体層の少なくとも一部と同じ材料を含む薄膜を形成しつつ、凹部の内側の空間内に空洞を残すことを含む。分離する工程は、薄膜に光の少なくとも一部を吸収させて、窒化物半導体層のうちで凹部に対向する部分に照射される光の強度を、窒化物半導体層のうちで凹凸の凸部に対向する部分に照射される光の強度よりも低くすることを含む。 （もっと読む）

【課題】 電極と半導体層の接触抵抗を下げることで電極を小型化した場合であっても消費電力の増加が抑制された半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｐ型の導電型を有する半導体層に隣接して金属層が設けられた構造を有する半導体素子であって、前記金属層は、前記半導体層に隣接し、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｚｎ及びＰｄのうち少なくとも一つの金属を含む第一金属層と、該第一金属層に隣接し、少なくともＢｅ及びＡｕを含む第二金属層と、を有するものであることを特徴とする半導体素子。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成される、低転位密度で結晶品質が優れた窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、機能層と、を備えた窒化物半導体層が提供される。下地層は、シリコン基板の上に形成されたＡｌ含有窒化物半導体層の上に形成され、不純物濃度が低く、ＧａＮを含む。機能層は、下地層の上に設けられる。機能層は、下地層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し第１導電形のＧａＮを含む第１半導体層を含む。Ａｌ含有窒化物半導体層は、多層構造体を含む。多層構造体は、Ａｌを含む窒化物半導体を含む複数の第２層と、複数の第２層の間に設けられ第２層におけるＡｌ組成比よりも低いＡｌ組成比を有する窒化物半導体を含む第１層と、を含む。下地層の厚さは、第１層の厚さよりも厚く、第１半導体層の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子の駆動電圧を低減すること。
【解決手段】ｐクラッド層１５は、厚さ０．５〜１０ｎｍのｐ−ＡｌＧａＮ層と、ＩｎＧａＮ層とを繰り返し成長させて積層させた超格子構造とする。ｐ−ＡｌＧａＮ層の成長温度は８００〜９５０℃とする。ｐ−ＡｌＧａＮ層上にＩｎＧａＮ層を形成する際、ｐ−ＡｌＧａＮ層の成長温度を保持したまま、ＴＭＡの供給を停止してＴＭＩを供給し、Ｇａ源ガスの供給量を増やし、厚さ１〜２分子層のＩｎＧａＮ層を形成する。ｐクラッド層１５の結晶品質を良好に保ちつつ、厚さを薄くできるため、駆動電圧を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】クラッド層中に取り込まれるＡｓを低減し、発光出力の安定性を高めて信頼性を向上させる。
【解決手段】ｎ型基板１０の上に、Ａｌを含有するＰ系結晶からなるｎ型クラッド層３０と、Ａｓ系結晶からなる量子井戸構造を有する発光層４０と、Ａｌを含有するＰ系結晶からなるｐ型クラッド層７０とが、この順に積層され、発光層４０とｐ型クラッド層７０との間に、ｐ型クラッド層７０とはＡｌ組成比が異なる（Ａｌ_xＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙ
Ｐ（但し、０．０５≦ｘ≦０．２５，０．４７≦ｙ≦０．５２）からなる挿入層５０を備える。 （もっと読む）

【課題】静電耐圧が高い窒化物半導体発光素子を歩留まりが高く製造する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、成長用基板と、該成長用基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたｐ型窒化物半導体層とを有し、ｎ型窒化物半導体層の発光層と接する側の表面から基板に向けて略垂直に延び、直径が２ｎｍ〜２００ｎｍであるパイプ穴を５０００個／ｃｍ²以下有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体上にＰ型ＧａＮ層が形成された積層体において、その表面が極めて平滑であり、電極特性が良好な積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮ（Ｘ、ＹおよびＺが、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０である）層と、不純物原子がドープされたＧａＮ層と有するIII族窒化物積層体を製造する方法であって、Ｐ型ＧａＮ層１６が、層厚みをＴ[ｎｍ]とし、Ｐ型ＧａＮ層の層厚み方向における成長速度をＧＲ[ｎｍ／分]とし、Ｐ型ＧａＮ層を形成するために用いられるＧａ原料の流量をＦ_Ｇａ［μｍｏｌ／分］とし、不純物原子原料の流量をＦｉ[μｍｏｌ／分]としたときに、ＧＲが０．１５以上２．０以下、（Ｆｉ／Ｆ_Ｇａ）×ｌｎ（Ｔ）が０．１を超え０．４以下となるように成長させる。 （もっと読む）

【課題】高い光取出し効率を実現でき、かつ、製造が容易で低コストな発光ダイオード用基板及び発光ダイオードを提供する。
【解決手段】表面ｓに発光層７を含む半導体層３が形成される発光ダイオード用基板であって、サファイア基板からなり、表面ｓには、発光層７が発光する光を乱反射するランダムに配置された凹凸が形成され、かつ、凹凸は結晶方位を反映して形成されており、凹凸の高さが１μｍ以上５μｍ以下であり、表面のＸ線回折ロッキングカーブ半値幅が６０秒以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体層の劣化及び破壊を抑制した半導体発光素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、Ｉｎ含有中間層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、シリコン基板の上に下地層を介して形成され、窒化物半導体を含み第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、複数の障壁層どうしの間に設けられＧａ_１−ｚ１Ｉｎ_ｚ１Ｎを含む井戸層と、を含む。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み第２導電形である。Ｉｎ含有中間層は、第１半導体層と発光部との間、及び、第２半導体層と発光部との間の少なくともいずれかに設けられ、上記ｚ１とは異なる組成比でＩｎを含む窒化物半導体を含み、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】低転位密度と良好な表面平坦性とを両立した、高効率な半導体発光素子、窒化物半導体層、及び、窒化物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光層は下地層と第１半導体層との間に設けられる。第２半導体層は下地層と発光層との間に設けられる。下地層は、第２半導体層の側の第１主面と、第１主面とは反対側の第２主面と、を有する。下地層は、第２主面に設けられ、凹部と側部と凸部とを有する凹凸を有する。凸部に繋がる転位の少なくともいずれかは、側部に繋がる。凸部に繋がる転位のうちで第１主面に到達する転位の割合は、凹部に繋がる転位のうちで第１主面に到達する転位の割合よりも低い。第１主面のうちで凹部と重なる領域に繋がる転位は、凹部に繋がる転位よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】温度むらを生じることなく材料ガスの冷却を行うことができる冷却機構を備えた材料ガス供給用ノズル、該ノズルを備えた気相成長装置および該気相成長装置を用いた半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
材料ガス流通層は、材料ガスの吹き出し口と、吹き出し口に連通するガス流通通路とを有する。冷却媒体循環層は、ガス流通通路を覆う冷却媒体の循環通路を有する。材料ガス流通層は、吹き出し口側の端部において材料ガス流の上流側に凹んだ第１の凹部を有し、吹き出し口は、第１の凹部の端面に沿って設けられている。冷却媒体循環層は、第１の凹部と外縁が重なる第２の凹部と、第２の凹部を挟む両側の第２の凹部の周辺部にガス流通通路よりも外側に張り出した拡張部と、を有する。冷却媒体の循環通路は、第２の凹部の材料ガス流の上流側端部よりも下流側であって拡張部内に冷却媒体の循環の折り返し点を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成したクラックが少ない高品位の窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層下地層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。積層下地層は、シリコン基板の上に形成されたＡｌＮバッファ層の上に形成され、交互に積層された複数のＡｌＮ下地層と複数のＧａＮ下地層とを含む。機能層は、積層下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み低Ｓｉ濃度の機能部低濃度層と、機能部低濃度層の上に設けられ、高Ｓｉ濃度の機能部高濃度層と、を含む。複数のＧａＮ下地層のうちでシリコン基板に最も近い基板側ＧａＮ下地層は、低Ｓｉ濃度の第１、第２低濃度下地部と、高Ｓｉ濃度で、第１、第２低濃度下地部の厚さの合計よりも薄い局所高濃度下地部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体の無極性面または半極性面を機械的に加工する工程を含みながらも、該加工に起因する発光効率の低下が防止される、無極性または半極性の窒化物系ＬＥＤの製造方法を提供する。
【解決手段】無極性または半極性の窒化物半導体基板を含む窒化物半導体積層体を準備する第１工程と、該窒化物半導体積層体の底面を機械的に削ることによって該窒化物半導体積層体の厚さを減じる第２工程と、該第２工程で生じる着色部が除去されるように該窒化物半導体積層体の底面をドライエッチする第３工程と、を有し、該第３工程では、エッチバック法を用いることによって該窒化物半導体積層体の底面の平坦性を改善する、窒化物系ＬＥＤの製造方法が提供される。 （もっと読む）