【課題】Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体上にＧａＮ層が形成された積層体の製造時において、ＧａＮ層の形成直後から、その表面が平滑にされたIII族窒化物積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＮ層１５とＧａＮ層１６とを有し、ＡｌＧａＩｎＮ層を組成式Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮで表した場合に、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０である関係を満足するIII族窒化物積層体を製造する方法であって、ＡｌＧａＩｎＮ層１５上にＧａＮ層１６を形成する工程を有し、ＧａＮ層を形成する工程において、ＧａＮ層の成長速度が０．２〜０．６μｍ／ｈ、III族原料に対するＶ族原料のモル比を示すＶ／III比が４０００以上である。このようにすることで、Ａｌ含有率が高いＡｌＧａＩｎＮ層１５上において、ＳＫモードではなく、疑似ＦＭモードでＧａＮ層１６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 電極の断線等を抑制するとともに、発光部の上面からの電極の引き出し方向の制約を低減することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光装置１は、基板３と、基板３の上に複数の半導体層を積層して形成されており、Ｇａを含む燐化物半導体からなるコンタクト層１５が最上層に設けられている発光部５と、コンタクト層１５の上面に接続されている電極７と、を備えている。そして、コンタクト層１５は、上面と底面とを結ぶ側面がコンタクト層１５の上面から底面に向かうにつれて広がるように全周に亘って傾斜している。この電極７は、コンタクト層１５の上面から側面の上を介して基板３の上に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】基板側へ向かう光の反射率が高められ、光取り出し効率が改善された発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、放出光を放出可能な発光層と、コンタクト層と、を有する半導体層と、前記コンタクト層の第１の面の側に設けられた第１の電極と、少なくとも２つの媒質からなり、前記放出光の媒質内波長の４分の１から４分の３の範囲内のピッチの周期構造を有し、かつ前記放出光を反射可能なフォトニック結晶層と、前記基板上に設けられ、前記第１の電極と接着された接着金属層と、を備えたことを特徴とする発光素子及びその製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に高品質なＳｂ系結晶を成長させた半導体素子を提供することを可能にする。
【解決手段】本発明の一態様による半導体素子は、Ｓｉ基板１１上に設けられ、Ｓｂと、Ｓｂ以外のＶ族元素を含み、膜厚が１ｎｍ以上２００ｎｍ以下の、第１の層１２と、第１の層上に設けられＳｂを含む第２の層１３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 交流駆動型発光装置を提供する。
【解決手段】 交流駆動型発光装置において、リードフレームと、少なくとも一つの主要な発光ダイオードチップと、少なくとも一つの補償回路とを含む。該主要な発光ダイオードチップは少なくとも両組の発光グループを有し、交流電源の正負波により駆動される時、順次に発光される。該補償回路は、もう一組のブリッジ接続手段の発光ダイオードチップから構成されるものであり、該発光装置の主要な発光ダイオードチップの稼働電圧と演色性に基づいて、分離式配置を採用することにより、電圧補償と演色効果の高めることを達成し、発光効率を向上する効果も達成できる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体層を支持基板上に有する基板生産物を製造するために、異種基板同士を貼り合わせる工程を含む方法において、所望の半導体デバイスに適した基板を選択可能な方法を提供する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体から成る第１の基板１０の表層と、窒化物系化合物半導体とは異なる材料から成る第２の基板２０の表面２０ａとを互いに接合させる。第１の基板１０のうち表層を含む部分を層状に残して他の部分を除去することにより、窒化物系化合物半導体層３０を第２の基板２０上に形成する。窒化物系化合物半導体層３０の表面３０ａと、窒化物系化合物半導体層３０及び第２の基板２０の双方と異なる材料から成る支持基板４０の表面４０ａとを互いに接合させたのち、第２の基板２０を窒化物系化合物半導体層３０から剥離させる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が改善された発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、発光層１４を有する半導体層１７を結晶成長する工程と、前記半導体層の表面に、前記発光層からの放出光を透過可能な導電膜を形成するためのコート材１８を塗布する工程と、凹凸を有するモールド２６を前記コート材に押しつけることにより前記凹凸を転写する工程と、前記コート材を焼成して、前記導電膜１８、１８ａを形成する工程と、を備えたことを特徴とする発光素子の製造方法及びこれを用いた発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】青、緑及び赤の色再現性を損なうことなく液晶ディスプレイの輝度を向上させることのできるバックライト用光源、液晶ディスプレイのバックライト及び液晶ディスプレイを提供する。
【解決手段】液晶ディスプレイのバックライト用光源３において、青色光を発する第１ＬＥＤ素子４１と、青色光により励起される黄色蛍光体４３と、を有し、第１白色光を発する第１ＬＥＤ装置４と、第１ＬＥＤ素子４１と同じ構成で第１ＬＥＤ素子４１と同じピーク波長の青色光を発する第２ＬＥＤ素子５１と、青色光により励起される緑色蛍光体５３と、青色光により励起される赤色蛍光体５４と、を有し、第１白色光よりも輝度が小さく演色性が高い第２白色光を発する第２ＬＥＤ装置５と、第１ＬＥＤ素子４１及び第２ＬＥＤ素子５１へ電力を供給する電力供給部と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】発光素子に供給すべき電流が反射体にリークするのを抑制する。
【解決手段】表面および裏面を有し配線が形成された基板２０と、基板２０の表面側において配線と接続され、配線を介した給電によって発光する発光素子を備えた発光装置６０と、内壁面３３ａおよび外壁面３３ｂを有し、内壁面３３ａによって一端から他端に貫通する開口が形成された筒状の形状を備え、基板２０の表面側において開口の一端側が発光装置６０の周囲に位置するように配置され、発光装置６０から出力される光に対する透過性を有する基材３３と、基材３３の外壁面３３ｂに積層され、発光装置６０から出力される光に対する反射性を有する反射層３４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性を大きく改善し、さらに良好な電子移動度を有するインジウム系化合物半導体薄膜を備えた半導体素子及びそれを備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子は、ガリウム砒素からなる基板１上に形成されるインジウム系化合物半導体薄膜を備えている。ガリウム砒素の表面が、ガリウム砒素（１００）面又はこのガリウム砒素（１００）面と結晶学的に等価な面に対して（０−１−１）方向、又はガリウム砒素（１００）面と結晶学的に等価な方向に、０．２度以上２．４度以下の角度で傾斜している。インジウム系化合物半導体薄膜は、ｐ型インジウム系化合物半導体薄膜３とｎ型インジウム系化合物半導体薄膜２との積層構造を有する。この半導体素子は各種の光デバイスに適用可能である。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光装置は、凹部３ｂと凸部３ａとを有する第１の主面と、第１の主面の反対側に形成された第２の主面とを有する基板３と、第１の主面に設けられた第１の電極４、５と、第１の電極４、５上に設けられ、第１の電極４、５と接続された半導体発光素子２０と、基板３の第２の主面に設けられた第２の電極１１、１２と、基板３の凹部３ｂを貫通して設けられ、第１の電極４、５と第２の電極１１、１２とを接続する貫通電極１８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長の半導体層の光取り出し面において、臨界角内光の透過光はフレネル係数によって制限されて低く、従って、臨界角内光Qの光取り出し効率は低かった。
【解決手段】発光部を形成する発光半導体層１１〜１４の光取り出し面に屈折率の異なる半導体層１０１１、１０１２、…を交互に積層形成した半導体交互積層体１０１を設けた。半導体交互積層体１０１は反射防止作用をする。 （もっと読む）

【課題】リードフレーム上に固定した発光ダイオード素子をガラス管の中に封止する際、ガラス管の軸と発光ダイオード素子の光軸との間に、ズレが生じないようにする。
【解決手段】リードフレーム１の素子設置部２の下方に、ガイド部７を固定し、これと中空ガラス部５とが接するようにした。この結果、中空ガラス部５に対するリードフレーム１の相対的位置が固定されるため、中空ガラス部５の封止作業時の軸のズレを抑制することができた。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を備えるとともに、降伏電圧の経時変化の抑制及び順方向電圧の低減を図ることができ、高輝度、且つ、高い信頼性を備える半導体発光装置を製造すること。
【解決手段】
本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、成長用基板の上に第１導電型クラッド層、アンドープの活性層、平均キャリア濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3乃至１×１０¹⁸ｃｍ^-3の第２導電型拡散制御層及び第２導電型クラッド層を順次成長して積層構造体を形成する工程と、積層構造体の成長温度より高い成長温度で第２導電型半導体層を成長し、第２導電型拡散制御層から活性層に第２導電型不純物を拡散させて活性層の平均キャリア濃度を２×１０¹⁶ｃｍ^-3乃至４×１０¹⁶ｃｍ^-3に制御する第２導電型半導体層形成工程と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】反射層と基板との間への接着層の材料の移動を防止する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１００は、第１主面と第２主面とを備える透光性の基板１の第１主面上に、発光層３を有する半導体発光素子構造２０を有する半導体発光素子であって、第２主面上に、半導体発光素子構造２０の発光層３から放出された光を反射する反射層８と、反射層８の基板１と反対側の上面及び側面を被覆する絶縁層９と、絶縁層９の反射層８と反対側の上面に設けられた中間層１０及び接着層１１とを有し、反射層８を基板１と絶縁層９とによって隠蔽する。 （もっと読む）

【課題】
巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。
【解決手段】
本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。 （もっと読む）

【課題】発光素子表面を粗面化して光出力を向上させるとともに、静電気による故障発生率を低減させた発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓと格子整合し、ＡｌＧａＩｎＰにて表される組成を有する化合物にて各々構成された第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層がこの順序で積層されたダブルへテロ構造を有し、第二導電型クラッド層上に積層された透明半導体層とを有する発光素子ウェーハをダイシングすることで発光素子チップを形成し、その表面を、酢酸と弗酸と硝酸とヨウ素と水とを、その合計が９０質量％以上となるように含有し、酢酸と弗酸と硝酸とヨウ素との合計質量含有率が水の質量含有率よりも高い第一のエッチング液にて第一のエッチング工程を行い、その後、等方性エッチング液を用いて発光素子チップ表面のエッチング取り代が０．１２μｍ以下の第二のエッチング工程を行うことを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内においてＬＥＤチップからの発光のロスを低減すると共に、パッケージからの光取り出し効率を向上することが可能な高輝度の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光層９を有する発光部８を含む化合物半導体層２と基板３とを備え、基板３の側面には、基板３よりも反射率が高い外部反射層４が設けられていることを特徴とする発光ダイオード１を採用する。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、接合の際の基板の割れを抑制でき、高電圧を印加して、高輝度で発光させることのできる発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び発光ダイオードの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発光層２を含む発光部３にヒートシンク基板５が接合された発光ダイオード１であって、ヒートシンク基板５は、第１の金属層２１と第２の金属層２２とが交互に積層されてなり、第１の金属層２１は、熱伝導率が１３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であって、熱膨張係数が発光部３の材料と略等しい材料からなり、第２の金属層２２は、熱伝導率が２３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である材料からなる発光ダイオード１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】発光出力を向上させることのできる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、第１半導体層と、第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる活性層１０５とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面に設けられる中心電極と、中心電極の外周から延びる細線電極とを有する表面電極１１０と、半導体積層構造１０の他方の面の表面電極１１０の直下を除く部分に細線電極に沿って平行に設けられ、細線電極との間の最短の電流経路である第１電流経路を形成する複数の第１領域と、複数の第１領域を接続する第２領域とを有するコンタクト部１２０とを備え、表面電極１１０とコンタクト部１２０との間の最短の電流経路は第１電流経路であり、第１電流経路の割合が、第１電流経路を除く表面電極１１０とコンタクト部１２０との間の電流経路である第２電流経路の割合より大きい。 （もっと読む）