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【課題】光取り出し効率および輝度が高められた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、III-V族化合物半導体からなる発光層と、反射金属層を有する第1電極と、開口部を有する絶縁層と、第1導電形層と、第2導電形層と、第2電極と、を有する。前記第1導電形層は、前記第1電極の上であり前記発光層の下に設けられ、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる。第1導電形層は、第1コンタクト層、組成傾斜層、第1クラッド層を含む。前記第2導電形層は、前記発光層と前記第2電極との間に設けられ、電流拡散層および第2コンタクト層を有する。前記第2電極は、パッド部と、前記パッド部から外方に向かい前記第2コンタクト層の上に延在する細線部、とを有する。上方からみて、前記絶縁膜の前記開口部と、前記第2コンタクト層とは、重ならない。 (もっと読む)


【課題】高い信頼性を保ちつつ輝度が高められた半導体発光素子および量産性に富むその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、反射層と、支持基板と、第1接合電極と、第2接合電極と、を有する。前記反射層は、前記半導体積層体の側の第1の面および前記第1の面の反対の側の第2の面を有し、金属からなる。前記第1接合電極は、前記第2の面と前記支持基板との間に設けられ、前記支持基板の側に突出した凸部と、平面視で前記凸部の周囲に設けられた底部と、を有する。前記第2接合電極は、前記第1接合電極の前記凸部と嵌合する凹部を有し、前記支持基板と、前記第1接合電極と、を接合することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板の上にCVDでLEDのための結晶成長させるとき、結晶成長の種結晶を形成することと、基板と結晶層の界面にランダムな凹みを設けることを同時に満たす基板を提供する。
【解決手段】結晶の粉を付着させた基板の上にCVDで結晶層を成長をさせる。結晶の粉が種結晶となり、それが大きくなり結晶グレインを形成する。結晶欠陥の数または密度が当該結晶粉に依存してグレインが安定に成長する。従って、当該粉を水溶液から安定に再現性よく付着させることで、結晶の成長層のグレイン密度を制御できる。また、前記粉をマスクにしてプラズマエッチングし、ランダムに凹みを形成したサファイア基板91にLEDのためのGaN結晶層85を成長させる。 (もっと読む)


【課題】熱劣化による変色が小さく耐熱変色性に優れ、長寿命で、バリ取りが非常に容易で、比較的安価でしかも材料の保存安定性、ハンドリング性、加工性に優れた表面実装型発光装置を提供する。
【解決手段】乾式不飽和ポリエステル樹脂成形体からなる第1の樹脂体40と、発光素子10を被覆する第2の樹脂体50とを備え、第1の樹脂体40の凹部40cの底面部40aには、発光素子10を載置した第1のリード20が露出され、かつ第1のリード20と第2のリード30とを絶縁する樹脂絶縁部45が設けられ、乾式不飽和ポリエステル樹脂成形体は、不飽和アルキッド樹脂と架橋剤が混合された不飽和ポリエステル樹脂14〜40質量%、無機充填剤と白色顔料の合計44〜74質量%、無機充填剤と白色顔料の合計に占める白色顔料の割合30質量%以上の樹脂組成物を成形したものである。 (もっと読む)


【課題】LED光源モジュールと金属回路基板との間の熱膨張係数を有する応力緩和板を搭載することによって、熱膨張係数差によって発生する応力を緩和し、信頼性の優れたLED光源パッケージを提供する。
【解決手段】絶縁性のセラミックス基板表面にLEDチップが2個以上結線されたLED光源モジュールと金属回路基板との間に、ヤング率が70GPa以下、25℃〜150℃の熱膨張係数が5×10−6〜12×10−6/K、熱伝導率が150W/mK以上である平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体からなる応力緩和板が実装されてなるLED光源パッケージ。
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【課題】本発明は、横方向エピタキシャル成長方式によって半導体構造内の積層欠陥と転位密度の低下を抑制するのに有効であり、発光層の結晶品質を高め、漏れ電流を減少させ、同時に半導体構造表面に粗化構造を形成して外部量子効率を高めることができるナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードは、基板と、基板上に位置する接合金属層と、接合金属層上に位置する第一電極と、第一電極上に位置し横方向エピタキシャル成長により形成される半導体構造と、半導体構造上に位置する第二電極であり、上述の半導体構造は第二電極によって被蓋していない上表面にナノスケール粗化構造を形成する第二電極と、を含む。 (もっと読む)


【課題】放射パターンが良好で、高出力かつ小型化を図りつつ、出射面の間隔を大きく形成することができる発光装置を提供する。
【解決手段】第1利得領域160は垂線Pに対して一方側に傾いて第1面130と接続され、第2利得領域170は垂線Pに対して他方側に傾いて第1面130と接続され、第3利得領域180は第1利得領域160または第2利得領域170に沿って形成されている。第1利得領域160および第2利得領域170は、同じ傾きで第2面132と接続され、第1利得領域160の端面190と第2利得領域170の端面192とは、第1面130において重なり、第1利得領域160は第1の曲率を備えた第1利得部分162を有し、第2利得領域170は第2の曲率を備えた第2利得部分172を有し、第3利得領域180において共振する光は、第1利得領域160または第2利得領域170を導波する光に結合し第2面132から出射される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に真性半導体エピタキシャル層を成長させる第三ステップと、前記真性半導体エピタキシャル層の上に、ドープされた半導体エピタキシャル層を成長させる第四ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】大口径かつ反りが少ない13族窒化物結晶の製造方法、13族窒化物結晶基板の製造方法、13族窒化物結晶および13族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】下地基板の主面上において、三角格子の格子点位置となるよう13族窒化物結晶の成長開始領域105を配置する第1の工程と、前記各成長開始領域105から結晶方位を揃えて前記13族窒化物結晶106を成長させる第2の工程と、結晶成長を継続させて、隣り合う前記成長開始領域から結晶成長した複数の前記13族窒化物結晶13を連結させて、前記下地基板の主面上に13族窒化物結晶層1100を形成する第3の工程と、前記13族窒化物結晶層1100の冷却過程において、前記13族窒化物結晶層1100と前記下地基板とを剥離させる第4の工程と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置100では、第1領域160と第2領域162とは、第1反射部181,183にて接続され、第1領域160と第3領域164とは、第2反射部182,185にて接続され、第2領域162と第3領域164とは、出射面となる第1層106の側面131に接続され、第1領域160は、第1領域160の長手方向が出射面131に対して平行になるように設けられ、第2領域162と第3領域164とは、同じ傾きで傾いて第1面131と接続され、第1領域160、第2領域162、および第3領域164の少なくとも1つと、第4領域166と、の間の距離は、エバネッセント結合が生じる距離であり、第4領域166は、共振器を構成する。 (もっと読む)


【課題】反射電極層の、反射率向上による高輝度化、接触抵抗の低減、剥がれの防止及び経時劣化に対する耐性の向上。
【解決手段】反射電極を有する半導体発光素子の製造方法であって、第1の導電型の第1半導体層、活性層および第2の導電型の第2半導体層を順次積層して半導体膜を形成する工程と、第2半導体層上に金属反射層と半導体膜との格子不整合を緩和する金属バッファ層を形成する工程と、金属バッファ層上に金属反射層を形成する工程と、金属反射層上に金属反射層の脱離を防止する金属パッシベーション層と、金属パッシベーション層上に金属パッシベーション層の酸化を防止する酸化防止層を形成する工程と、金属パッシベーション層と酸化防止層との間で相互拡散が生じるように熱処理を行って、これらの層の界面に合金層を形成する工程と、合金層の少なくとも一部を合金層上に形成された層とともに除去することにより反射電極を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタなどの素子動作層をなす導電性インジウム含有酸化物半導体層に電気的接触抵抗が小さい金属電極を形成できるようにする。
【解決手段】インジウム含有酸化物半導体層とその層の上方に設けた素子動作電流を流通させる金属電極層との間に、酸化物半導体層をなすインジウム酸化物などを化学的に還元でき、且つ易酸化性の金属からなる金属膜を素材とした金属酸化物層と金属層とを設け、更に、金属酸化物層と金属層との境界には還元されたインジウムを蓄積したインジウム濃化層を設ける構成とする。 (もっと読む)


【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置100は、電極により得られる光の導波路は、帯状の第1領域160および帯状の第2領域162を有し、第1領域160は曲率を備える第1部分162を有し、第2領域170は曲率を備える第2部分172を有し、第1領域160と第2領域170とは、第1層の側面130に設けられる反射部180,184にて接続され、反射部180,184が設けられる側面130に対向し、出射面となる第1層の側面132において第1領域160から出射される第1の光20と、出射面130において第2領域170から出射される第2の光22とは、同じ方向に出射される。 (もっと読む)


【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置100は、第1領域150と第2領域160とは、第1層の側面132に設けられる第1反射部181,183にて接続され、第1領域150と第3領域170とは、第1層の側面133に設けられる第2反射部182,185にて接続され、第2領域160と第3領域170とは、出射面となる第1層の側面131に接続され、第1領域150は、第1領域150の長手方向が出射面131に対して平行になるように設けられ、出射面131において第2領域160から出射される第1の光20と、出射面131において第3領域170から出射される第2の光22とは、同じ方向に出射される。 (もっと読む)


【課題】結晶性及び輝度の向上した窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成されるp―タイプの窒化物層と、前記p―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるn―タイプのZnO層とを含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】良好な結晶品質のp―タイプの窒化物層を含む窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成されるパウダータイプの窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に形成されるp―タイプの窒化物層と、前記p―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるn―タイプのZnO層とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光取り出し効率が高く、高出力、高効率で信頼性に優れた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】AlGaInP多重量子井戸からなる活性層13を有する発光ダイオードにおいて、光取り出し層であるn型AlGaInPクラッド層12の表面に光取り出し効率向上のための凹凸構造を設ける。凹凸構造は臭化水素酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、マスクを形成する工程を用いることなく異方性エッチングにより形成する。 (もっと読む)


【課題】支持基板との接合を容易にすることが図られた半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置の製造方法は、基板上方に、第1導電型の第1半導体層を形成する工程と、第1半導体層上方に、第1導電型と反対の第2導電型の第2半導体層を形成する工程と、第2半導体層及び第1半導体層をエッチングして、深さが基板に達し、基板の面内に複数の発光素子領域を画定する第1分離溝を形成する工程と、第2半導体層をエッチングして、深さが第1半導体層に達し、各々の発光素子領域の内部に複数の発光部分と電極配置部分とを画定する第2分離溝を形成する工程と、各々の発光部分の第2半導体層上に、第1電極を形成する工程と、第2分離溝の底に露出した第1半導体層上から、電極配置部分の第2半導体層上に延在した形状で、第2電極を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハレベル発光素子パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光構造物10とパッケージ基板50とをボンディングするポリマー層30を含むことができ、かつポリマー層30及びパッケージ基板50は複数のビアホール40、60を含むことができるウェーハレベル発光素子パッケージ100であり、発光構造物10上にポリマー層30を形成し、ポリマー層30上にパッケージ基板50を、熱と圧力を加えてボンディングする段階を含むことができ、かつポリマー層30及びパッケージ基板50に複数のビアホール40、60を形成する段階を含むことができるウェーハレベル発光素子パッケージ100の製造方法。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子のFC(フリップチップ)実装技術における光の取り出し効率を改良する。
【解決手段】第1の導電型を有する第1の(n型)半導体層140、発光層150及び第1の導電型とは逆の第2の導電型を有する第2の(p型)半導体層160が積層された積層半導体層100と、積層半導体層100のn型半導体層140の表面に形成された第1の電極180と、積層半導体層100のp型半導体層160の表面に形成された第2の電極170と、を備え、第2の電極170は、積層半導体層100のp型半導体層160上に、p型半導体層160側と反対側の膜面が凹凸形状を有するように形成された、又はp型半導体層160を覆わない不連続な部分を設けるように形成された、光に対して透過性且つ導電性の透明導電層171と、透明導電層171上に設けられ光に対して反射性を有する金属反射層172と、を有することを特徴とする半導体発光素子10。 (もっと読む)


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