【課題】レーザー光で切削して半導体素子用ウェハをチップ化するときのデブリの飛散による汚染を防止する。
【解決手段】半導体積層部と、前記半導体積層部の第二の面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記半導体積層部の第一の面側に設けられ前記半導体積層部に電気的に接続される第一電極と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられ前記半導体積層部に電気的に接続される第二電極と、前記半導体積層部の前記第一の面側および前記半導体積層部における素子加工により露出した前記半導体積層部の表面を被覆する絶縁性保護膜と、を備える半導体素子用ウェハにおいて、前記絶縁性保護膜は、前記半導体素子用ウェハをチップ化するレーザー光が照射される切削領域上には形成されず、前記半導体積層部の表面の一部が露出していることを特徴とする半導体素子用ウェハである。 （もっと読む）

【課題】フェイスダウン（ＦＤ）実装に用いられる半導体チップを、より容易に製造できる半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の一例である発光素子２０は、基板１０上に発光素子２０を形成する半導体素子形成工程と、発光素子２０の第１電極１７０上に第１突出電極２１０および第２電極１８０上に第２突出電極２２０を形成する突出電極形成工程と、基板１０の分割予定面内に脆弱領域３２１を形成する脆弱領域形成工程（図７（ａ））と、基板１０上に発光素子２０が形成されたウエハ３０を、脆弱領域３２１を起点として、発光チップ１に分割する分割工程（図７（ｂ）および（ｃ））とを含んで製造される。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子で発生する熱を効率よく放熱する。
【解決手段】ランプは、筺体１１０と、ＬＥＤ３２１が実装された基板３１０とを備える。筺体１１０は、第１筺体２００および第２筺体４００から構成される。基板３１０は、第２筺体４００に載置される。第２筺体４００は、長尺状の金属板を塑性変形させたものであり、第２筺体４００は、基板３１０の熱伝導率よりも大きい熱伝導率の材料で構成される。 （もっと読む）

【課題】遠視野像の水平方向における光強度分布形状を単峰化することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光層を有する半導体発光素子１００であって、発光層からの第一の光を出射する第一の光出射面１３１ａおよび発光層からの光を反射する後端面１００ｂを両端とする第一の光導波路１２１と、発光層からの第二の光を出射する第二の光出射面１４１ａおよび後端面１００ｂを両端とする第二の光導波路１２２とを備え、第一の光導波路１２１と第二の光導波路１２２とは、後端面１００ｂで接続されており、第一の光出射面１３１ａと第二の光出射面１４１ａとは、第一の光の光軸と第二の光の光軸とが近づくように、互いに非平行である。 （もっと読む）

【課題】長寿命、低抵抗で、高い発光効率（特に内部量子効率）を保持した発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ型クラッド層と、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（０≦ｘ≦０．６，０．４≦ｙ≦０．６）からなる３層以上の活性層及び該活性層よりＡｌ含有率ｘが高い２層以上の障壁層が交互に積層された多重活性層部と、ｎ型クラッド層とを有する化合物半導体基板を用いて製造された発光素子であって、障壁層は、ｎ型クラッド層に近い側の障壁層に比べ、ｐ型クラッド層に近い側の障壁層の方がバンドギャップが小さく、かつ、化合物半導体基板は、多重活性層部とｎ型クラッド層の間に、又は、ｎ型クラッド層中に、超格子障壁層を有するものである発光素子。 （もっと読む）

【課題】反射率の高いＡｌ層をｎ側電極に使用してｎ型導電層とのコンタクト層に使用した場合でも、加熱によるｎ側電極のコンタクト性の悪化を抑制して、電圧低下を抑制することができる窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体材料により形成されたｎ型導電性基板と、ｎ型導電性基板に、ｎ型導電層、発光層、ｐ型導電層、ｐ型半導体層上に設けられたｐ側電極と、ｐ型導電層とは反対側のｎ型導電性基板上に設けられたｎ側電極とを備えている。ｎ側電極をｎ型導電性基板上に設けるときには、まず、ｎ型導電性基板にＳｉを含む塩素系化合物ガスの雰囲気中でプラズマ照射してｎ型導電性基板にイオン照射層を形成する（照射工程、ステップＳ５２）。次に、イオン照射層上に、Ａｌ電極とボンディング電極とを含む電極を形成してｎ側電極とする（電極形成工程、ステップＳ６０）。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、サファイア基板にバッファ層として形成したＡｌＮ膜に含まれるこれらの不純物により、該ＡｌＮ膜上に形成されるＧａＮ層の結晶性が劣化するのを低減することができ、これにより歩留まりの向上を図る。
【解決手段】サファイア基板１１と、該サファイア基板１１上に格子不整合を緩和するバッファ層として形成されたＡｌＮ膜１２と、該ＡｌＮ膜１２上に形成されたノンドープＧａＮ層１３と、該ノンドープＧａＮ層１３上に形成され、発光領域を含む積層構造を有する半導体発光素子１０において、サファイア基板１１上にＡｌＮ膜１２をその炭素濃度が０．２ａｔ％以下になり、かつ塩素濃度が０．０１ａｔ％以下になるよう形成している。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光抽出効率を改善して、光効率を向上させること。
【解決手段】実施例は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下部に形成されて、前記活性層から放出される光を放出する透明支持層と、前記透明支持層の下部に形成され、前記透明支持層を取り囲む反射層と、前記反射層の下部に形成され、前記反射層を取り囲む伝導層と、を含む発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】反り量を低減できる窒化物半導体の積層体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体の積層体は、主面に凸部を有する基板と、前記基板の前記主面上に直接設けられて前記凸部を覆う単結晶層と、前記単結晶層上に設けられた窒化物半導体層と、を備えている。前記基板は窒化物半導体を含まない。前記単結晶層はクラックを内在している。 （もっと読む）

【課題】放熱効率および光の取り出し効率の向上を図ることができる発光素子、これを含む発光素子ユニット、発光素子ユニットを樹脂パッケージで覆った発光素子パッケージならびに発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】発光素子１は、発光層４の発光波長に対して透明な基板２と、基板２上に積層されたｎ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層３上に積層された発光層４と、発光層４上に積層されたｐ型窒化物半導体層５と、ｐ型窒化物半導体層５上に積層され、発光層４の発光波長に対して透明な透明電極層６と、銀と白金族金属と銅とを含む合金からなり、透明電極層６に接触した状態で透明電極層６上に積層され、透明電極層６を透過した光を反射させる反射電極層７とを含む。 （もっと読む）

【課題】遠赤外領域の光を扱うことができるなど、直接遷移型の半導体を用いて半導体装置で新たな機能が発現できるようにする。
【解決手段】第１障壁層１０２と、チャネル層１０３と、第２障壁層１０４と、基板１０１の平面方向に対向して配置されてチャネル層１０３を挟んで形成され、チャネル層１０３にオーミック接続する第１電極１０５および第２電極１０６と、第１電極１０５および第２電極１０６で挟まれた領域を第１電極１０５の側の第１領域１５１および第２電極１０６の側の第２領域１５２とに２分割した第１領域１５１の第２障壁層１０４の上で第１電極１０５の上部領域に接して形成され、第１領域１５１のチャネル層１０３に電界を印加する電界印加電極１０７とを備える。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、支持基板２０と、支持基板２０の側から第１導電型の第１導電型層と、光を発する活性層１５と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２導電型層とを有する発光部１０と、支持基板２０と発光部１０との間に設けられ、光を発光部１０の側に反射する反射部４０と、反射部４０と発光部１０との間に設けられ、光を透過し、電気絶縁性を有する絶縁層５０と、絶縁層５０と発光部１０との間の一部に設けられる界面電極６０と、第２導電型層の活性層１５の反対側の表面に設けられ、界面電極６０の直上とは異なる領域に設けられる第１電極７２と、第１電極７２が設けられる側に第１電極７２とは別に設けられ、第１電極７２が接触している第２導電型層とは異なる発光部１０の部分、又は界面電極６０に電気的に接続する第２電極７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】良好なエッチングの制御性を提供できる化合物半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板上１０１にＧａを構成原子として含むコンタクト層１０５を形成し、コンタクト層１０５上にＧａを構成原子として含まないエッチングモニタ層１０６を形成し、エッチングモニタ層上にＧａを構成原子として含むカバー層１０７を形成する半導体層形成工程と、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、カバー層１０７及びエッチングモニタ層１０６を連続してエッチングするエッチング工程と、を含み、エッチング工程では、Ｇａの発光プラズマの波長成分の有無を観察することにより、ドライエッチングを停止するタイミングを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サイアロン系蛍光体を用いた高効率な発光装置を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する発光素子と、発光素子上に配置された蛍光体層を備え、蛍光体層が下記一般式（１）で表わされる組成を有し、かつ、平均粒径が１２μｍ以上の蛍光体を含む発光装置である。
（Ｍ_１−ｘ１Ｅｕ_ｘ１）_３−ｙＳｉ_１３−ｚＡｌ_３＋ｚＯ_２＋ｕＮ_２１−ｗ （１）
（上記一般式（１）中、ＭはＩＡ族元素、ＩＩＡ族元素、ＩＩＩＡ族元素、Ａｌを除くＩＩＩＢ族元素、希土類元素、およびＩＶＢ族元素から選択される元素である。ｘ１、ｙ、ｚ、ｕ、ｗは、次の関係を満たす。０＜ｘ１＜１、−０．１＜ｙ≦０．３、−３＜ｚ≦１、−３＜ｕ−ｗ≦１.５） （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップから放射される光を高い効率で外部に出射することができるＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】本発明のＬＥＤ素子は、基板(10)と、この基板(10)の表面上に配置されたＬＥＤチップ(15)と、前記基板(10)の表面上に、少なくとも前記ＬＥＤチップ(15)の周辺領域を覆うよう形成された樹脂層(20)と、この樹脂層(20)上に積層され、前記ＬＥＤチップ(15)を覆うよう略半球状に形成された透明性樹脂よりなるレンズ層(25)とを具えてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い光出力を保ちつつ、信頼性が改善された発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、発光層と、クラッド層と、電流拡散層と、第２の層と、電極と、を有する。クラッド層は、第１の導電形を有する。電流拡散層は、島状または網状の凸部および前記凸部に隣接して設けられた底部を含む表面を有する加工層と、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられた第１の層と、を含む。電流拡散層は、第１の導電形の不純物濃度を有する。第２の層は、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられ、前記電流拡散層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する領域、および前記電流拡散層のドーパントとは異なるドーパントを有する領域、のいずれかからなる第１の導電形を有する。電極は、前記加工層の前記表面のうち前記凸部および前記底部が設けられていない領域に設けられる。 （もっと読む）

【課題】成形または加工操作に先立つプラスチック部品の非接触熱処理のためのシステムで、改善された赤外線エネルギー変換効率を有する特定の熱赤外線（ＩＲ）波長放射又はエネルギーを物品に直接注入するシステムを提供する。
【解決手段】電流を光子に直接変換する工程を通じてプラスチック部品に所望の吸収特性と一致する狭波長領域の放射エネルギーを放射する１つ以上のレーザーダイオードを含み、かつ熱監視制御セクションを含むシステム。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】基板の剥がれや破壊などを発生させずに、異種の基板を接合する半導体装置の製
造方法を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、支持基板の一方の面に半導体積層体を設けて第１の基板を形成させ、第１の基板のうち半導体積層体が形成された面に、第１の基板の熱膨張係数とは異なる熱膨張係数を有する第２の基板を密着させ、第１の基板と第２の基板のうち、熱膨張係数が小さい一方の基板に対して、他方の基板より高い温度で加熱して接合する。第１の基板は、ナイトライド系半導体層を有するサファイア基板、またはＧａＡｓ基板であり、第２の基板は、シリコン基板、ＧａＡｓ基板、Ｇｅ基板、金属基板のいずれかであってもよい。第１の基板と第２の基板の間に、第１接合層と第２接合層と第３接合層と順に積層し、第１接合層と第２接合層と第３接合層とを介して、第１の基板と第２の基板を加熱して接合してもよい。 （もっと読む）

【課題】色むらや輝度むらが改善された発光装置、ならびにそのような発光装置を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する発光素子２０Ｒ同士の共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている。また、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する発光素子２０Ｇ同士の共通の結晶軸の向きも互いに異なる方向を向いている。さらに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する発光素子２０Ｂ同士の共通の結晶軸の向きも互いに異なる方向を向いている。 （もっと読む）