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発光素子
【課題】光取り出し効率を向上させることのできる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子1は、第1半導体層と、第2半導体層と、第1半導体層と第2半導体層とに挟まれる発光層とを有する半導体積層構造10と、半導体積層構造10の一方の面上に設けられ、線状表面電極部を有する表面電極50と、半導体積層構造10の表面電極50が設けられる側の反対の面側に設けられ、光を反射する反射層32と、半導体積層構造10と反射層32との間に設けられる誘電体層と、半導体積層構造10と反射層32とを電気的に接続し、線状界面電極部を有する界面電極40とを備え、線状表面電極部と線状界面電極部とがそれぞれ、平面視にて予め定められた方向に沿って延び、半導体積層構造10が、半導体積層構造10の反射層32の反対側の表面に、予め定められた方向とは異なる方向に沿って設けられる溝80を有する。
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エピタキシャルウエハ、半導体素子、およびこれらの製造方法
【課題】 Sb含有層を備えながら、結晶性に優れたIII−V族化合物半導体のエピタキシャルウエハ、半導体素子、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエピタキシャルウエハの製造方法は、気相成長法によって、基板1の上に、GaAsSb層3aとInGaAs層3bとを交互に繰り返し成長する工程を備え、GaAsSb層の成長の際、該GaAsSb層のV族中のSbモル分率x1と、供給している原料ガス(気相)のV族中のSbモル分率x2とが、0.75≦(x1/x2)≦1.20、を満たすように、基板温度を設定し、かつ原料ガスを供給することを特徴とする。
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発光ダイオード
【課題】輝度の均一性及び発光効率を拡大するための発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、基板32、該基板上に配置されたn型ドープ層34、該n型ドープ層と該基板との間に配置された複数の陰極401,402、n型ドープ層上に配置された活性層36、該活性層上に配置されたp型ドープ層38、及び該p型ドープ層上に配置された複数の陽極421,422を含む。陰極は、n型ドープ層に電気接続され、該陰極のパターンは、お互いから分離されている。陽極は、p型ドープ層に電気接続され、該陽極のパターンは、お互いから分離されている。各陰極及び対応する陽極はループを形成し、各ループは独立したループである。
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LEDランプ
【課題】低照度である室内の可視光の下でも有害物質を効果的に分解する機能を有するLEDランプを提供する。
【解決手段】基板7と、この基板7上に実装されたLEDチップ8とを備えるLEDモジュール2と、このLEDモジュール2が設置された基体部3aと、上記LEDモジュール2を、空間をおいて覆うように上記基体部3aに取り付けられたグローブ4aと、このグローブ4aの内面に前記LEDチップ8から離間させて設けられ、上記LEDチップ8から出射された紫外乃至紫色光を吸収して白色光を発光する蛍光膜9と、上記グローブ4aの外面に形成された可視光応答型光触媒層12と、上記基体部3a内に設けられ上記LEDチップ8を点灯させる点灯回路11と、を具備することを特徴とするLEDランプ1aである。
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半導体発光素子
【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第1導電形の第1半導体層と、第1電極層と、発光層と、第2導電形の第1部分を含む第2半導体層と、第1半導体層に接続された第2電極層と、を備える。第1電極層は、金属部と、第1半導体層から第1電極層に向かう方向に沿って金属部を貫通し、前記方向に沿ってみたときの形状の円相当直径が10ナノメートル以上、50マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。発光層は、第1半導体層と第1電極層との間に設けられる。第2半導体層の第1部分は、発光層と第1電極層との間に設けられ、不純物濃度が1×1019/立方センチメートル以上、1×1021/立方センチメートル以下である。
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蛍光体を基礎とするLED及びこれに属する蛍光体
【課題】無機蛍光体を有するLEDを提供する。
【解決手段】LEDチップ1が300〜470nmの範囲の一次放射線を放出し、この放射線が部分的に又は完全に、LED1の一次放射線に曝されている少なくとも1種の蛍光体6により長波長の放射線に変換され、その際、前記変換は、少なくとも、平均粒度d50が1〜50nm、好ましくは2〜25nmの範囲内である1種の蛍光体6の利用下で達成されるLEDである。
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LED発光素子用保持基板及びLED発光素子
【課題】本発明が解決しようとする課題は、LEDを構成するIII−V族半導体結晶と線熱膨張率の差が小さく、かつ熱伝導性に優れ、更に製造時に使用される酸及びアルカリ溶液に対する耐薬品性に優れた高出力LED用として好適なLED発光素子用保持基板を提供することである。
【解決手段】炭化珪素からなる多孔体に、溶湯鍛造法にてアルミニウム合金を含浸し、板厚0.05〜1.0mm、表面粗さ0.01〜0.5μmに加工した後、蒸着法又はスパッタリング法により基板表面に厚み0.05〜2μmのアルミニウム層を形成し、不活性ガス又は真空雰囲気中、温度460〜650℃で1分間以上加熱処理した後、めっき処理により、厚み0.5〜5μmのNiめっき層、および厚み0.05〜2μmの金めっき層を形成、又は蒸着法又はスパッタリング法により0.1〜2μmの金属層を形成する。
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発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
【課題】655nm以上の発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高輝度・高効率であって応答速度が速く、光取り出し面放射される光のうち、光取り出し面に対して直交する方向における光の強度が強い指向性を持ち、かつ外部に効率良く熱を放出可能な発光ダイオード及び発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】pn接合型の発光部3と、発光部3に積層された歪調整層13と、を少なくとも含む化合物半導体層11を備え、発光部3は、組成式(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦0.1、0.37≦Y≦0.46)よりなる歪発光層とバリア層との積層構造を有しており、歪調整層13は、発光部3の光を透過可能であると共に、歪発光層及びバリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、光取り出し面11aの反対側に位置する化合物半導体層11の面11bに、反射構造体4を介して接合された機能性基板5を有する。
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発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
【課題】発光ダイオード及びこれを備えた発光ダイオードランプに関し、応答速度の速い発光ダイオード及び発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、n(≧1)層の歪発光層12、及び(n−1)層のバリア層13よりなる発光層10を有するpn接合型の発光部を備え、前記発光層10は、1層の歪発光層12と、1層のバリア層13が交互に積層された構成とされており、nを1〜7とし、かつ発光層10の厚さを250nm以下にする。
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発光ダイオード素子及びその製造方法並びに単結晶SiC材料及びその製造方法
【課題】同じ組み合わせのドナー性不純物及びアクセプタ性不純物であっても、光の波長域を変化させたり、波長域を拡げることのできる発光ダイオード素子及びその製造方法並びに単結晶SiC材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子1において、半導体発光部と、ドナー性不純物及びアクセプタ性不純物が添加された単結晶SiCからなり、ポーラス状態が連続的に変化するポーラス領域24を含み、半導体発光部の光により励起されるとドナー・アクセプタ・ペア発光により可視光を発するSiC部2と、を有するようにした。
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半導体発光ダイオード
【課題】微細なリッジ構造におけるエバネッセント光の干渉現象を利用し、光の外部への取出し効率を改善した半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】第1導電型の障壁層と、発光層となる活性層と、第2導電型の障壁層とを少なくとも備える半導体発光ダイオードにおいて、前記半導体発光ダイオードの光取出し側の表面は、一つの平坦面と少なくとも二つの傾斜面によって構成されるリッジ構造を備え、前記リッジ構造の平坦面の横幅Wが2λ(λ:発光波長)以下で、かつ前記活性層の中心C(リッジ構造の中心線と活性層との交点)からの光が前記傾斜面において全反射が起こる最短の地点(傾斜面の法線方向からθC=sin−1(1/n)[n:半導体層の屈折率]の角度をなす活性層の中心Cから傾斜面に向かう線(平坦面に近い側)と傾斜面との交点)から平坦面までの距離Lがλ(λ:発光波長)以下である。
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発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその製造方法
【課題】高輝度、高信頼性、良好な表面状態を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】n型基板2上に、少なくともAlGaInP系材料からなるn型クラッド層4、活性層5、p型クラッド層6、及びp型p型電流分散層7を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハ1であって、p型p型電流分散層7中の水素濃度の平均値を1.0×1017atoms/cm3以下にしたものである。
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半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子及びサファイア単結晶基板
【課題】直径100mm以上の大口径であっても結晶欠陥部分が少なく、化合物半導体層のエピタキシャル形成に適した高品質かつ低コストのサファイア単結晶基板、および、かかる基板上に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を安定的に提供する。
【解決手段】III族化合物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、サファイア単結晶のインゴットからウエーハを切り出す基板切り出し工程S200と、切り出したウエーハについてラング法によるX線トポグラフィ測定を行い、(11−20)面のX線回折像が得られるX線の入射角度ωに対し、±0.15°の範囲内を判断基準とする湾曲補正値Δωにより補正したX線によりX線回折像が得られる結晶欠陥部分を含むウエーハを選別する選別工程S500と、選別されたウエーハの被成膜面上にIII族化合物半導体層を成膜する半導体層成膜工程S800と、を有する。
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半導体発光装置
【課題】半導体膜内部における電流拡散を阻害することなく半導体膜内部を伝搬する光の自己吸収を抑制することができる半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】支持体上の反射電極と、反射電極上の第1クラッド層と、第1クラッド層上の発光層と、発光層の上に設けられ、凹部及び凸部からなるテラス構造を有し、凸部の頂面及び凹部の底面に凹凸形状の光取り出し構造が形成された第2クラッド層と、凸部の頂面上の表面電極と、を有し、第2クラッド層は、発光層上に、第1電流拡散層、第1電流拡散層上に設けられ凹部の底面の光取り出し構造を備える第1光取り出し層、第1光取り出し層上に設けられた第2電流拡散層、及び第2電流拡散層上に設けられ凸部の頂面の光取り出し構造を備える第2光取り出し層を含む積層構造を有し、第1光取り出し層及び第2光取出し層は、第1電流拡散層及び第2電流拡散層よりも小なる光吸収率と、第1電流拡散層及び第2電流拡散層よりも大なる抵抗値と、を有すること。
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発光素子
【課題】全注入電流領域で高効率の発光特性を備えることができる発光素子、発光素子パッケージ及び照明システムを提供すること。
【達成手段】本発明の実施形態による発光素子は、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層及び前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に活性層を含めて、前記活性層は、前記第2導電型半導体層に隣接する第1活性層と前記第1導電型半導体層に隣接する第2活性層及び第1活性層と前記第2活性層との間にゲート量子壁を含む。
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光半導体素子用ダイボンド剤組成物及び該組成物を用いてなる光半導体装置
【課題】耐熱性、耐UV性、光反射性及び接着性に優れた硬化物を与える光半導体素子用ダイボンド剤組成物並びに該組成物を用いてなる光半導体装置を提供する。
【解決手段】(A)特定の脂環式エポキシ基を有する構造単位をモル分率0.25〜0.75で含み、所定長さの直鎖オルガノポリシロキサン構造を有する構造単位をモル分率0.25〜0.75で含有してなり、エポキシ当量が200〜1300g/eqであるシリコーン樹脂、(B)前記脂環式エポキシ基を有するエポキシ樹脂、(C)エポキシ基と反応性の官能基を有する硬化剤、(D)硬化触媒、(E)白色顔料、(F)(E)成分以外の無機充填剤、(G)シランカップリング剤、及び(H)酸化防止剤、を各々所定量含む光半導体素子用ダイボンド剤組成物;光半導体素子と、基体と、前記ダイボンド剤組成物の硬化物とを有してなり、該硬化物を介して該光半導体素子が該基体に接着されている光半導体装置。
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発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ
【課題】ピーク発光波長が655nm以上で、かつ信頼性を向上させることが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】GaAs基板1と、GaAs基板1上に設けられたpn接合型の発光部2と、を備えた発光ダイオード用エピタキシャルウェーハであって、発光部2は、歪発光層と、バリア層とが交互に積層された積層構造とされており、バリア層の組成式を(AlXGa1−X)YIn1−YP(0.3≦X≦0.7、0.51≦Y≦0.54)とする。
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半導体装置およびその製造方法、集積基板、光モジュール、光通信装置
【課題】Inを含まないIII−V族化合物半導体からなる半導体層と基板のSi面とを接合させる構造において、Inを含まないIII−V族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、GaAs基板32の主面上に形成された光を発振する活性層38を含む積層半導体層46のうちの最表面の層である、Inを含まないIII−V族化合物半導体であるGaAsからなるコンタクト層44の表面に、InAsの複数の量子ドットからなる接合層22を形成する工程と、コンタクト層44の表面を、接合層22を介して、基板10に含まれるSi薄膜層16のSi面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。
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AlGaAs基板、赤外LED用のエピタキシャルウエハおよび赤外LED
【課題】高い特性を維持するとともに、コストを低減できるAlGaAs基板、赤外LED用のエピタキシャルウエハおよび赤外LEDを提供する
【解決手段】本発明のAlGaAs基板10は、主表面11aと、主表面11aと反対側の裏面11bとを有するAlxGa(1-x)As層(0≦x≦1)と、裏面11bに形成されたGaAs基板13とを備える。AlxGa(1-x)As層において、主表面11aのAlの組成比xは、裏面11bのAlの組成比xよりも低い。GaAs基板13は、5×1016cm-3以上2×1018cm-3以下のn型キャリア濃度または5×1018cm-3以上3×1019cm-3以下のp型キャリア濃度を有する。
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GaN系半導体光素子、GaN系半導体光素子を作製する方法、エピタキシャルウエハ及びGaN系半導体膜を成長する方法
【課題】活性層におけるIn偏析による発光特性の低下が抑制されたGaN系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】GaN系半導体光素子11aでは、基板13の主面13aは、この第1のGaN系半導体のc軸に沿って延びる基準軸Cxに直交する面から該第1のGaN系半導体のm軸の方向に63度以上80度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。GaN系半導体エピタキシャル領域15は、主面13a上に設けられている。GaN系半導体エピタキシャル領域15上には、活性層17が設けられている。活性層17は、少なくとも一つの半導体エピタキシャル層19を含む。半導体エピタキシャル層19は、InGaNからなる。半導体エピタキシャル層19の膜厚方向は、基準軸Cxに対して傾斜している。この基準軸Cxは、第1のGaN系半導体の[0001]軸の方向に向いている。
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