【課題】所望のチップサイズおよびチップ形状とすることが容易な発光素子および半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】発光素子は、基板と、前記基板の上に設けられた接着層と、第１導電形層と、前記第１導電形層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電形層と、を含み、前記接着層の上に設けられた複数の凸部と、前記第２導電形層の上に設けられた第１電極と、前記凸部の周囲に設けられた透光性樹脂層と、前記透光性樹脂の上に設けられ、前記複数の凸部の上にそれぞれ設けられた前記第１電極どうしを接続するオーバーコート電極と、を備える。発光素子側面において、前記基板、前記透光性樹脂層、および前記オーバーコート電極、のそれぞれが露出する。 （もっと読む）

【課題】全体として照射光の均斉度を向上することが可能な発光装置及び照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数の発光素子３が並列に接続された並列回路を有し、この並列回路が複数直列に接続された直列回路と、前記並列回路における複数の発光素子３のうち、任意の個数を一グループとする複数のグループが形成され、このグループごとに発光素子３が分割配置されて実装された基板２と、前記複数の発光素子３を被覆する封止部材４とを備える発光装置１である。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンが形成でき、製造工程の迅速化を図ることが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のパターン形成方法は、下地１０の上に第１の膜１１を選択的に形成する工程と、前記第１の膜１１および前記第１の膜に覆われていない前記下地１０の上に、第２の膜１３を形成する工程と、前記第２の膜１３の平均結晶粒径を前記第２の膜１３の膜厚以上に調整する工程と、前記第１の膜１１のエッチャントを前記第２の膜１３の表面に晒し、前記第１の膜１１の上に形成された前記第２の膜１３を前記下地上から選択的に除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の化合物半導体基板に比べて反りが小さく、これによって割れにくく、またハンドリングが容易であるという化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板１１上に発光層１３をエピタキシャル成長させる工程と、該発光層の前記ＧａＡｓ基板と反対側となる片方の主表面（第一主面）にｐ型ＧａＰ窓層１４を気相成長させる工程とを有する化合物半導体基板の製造方法において、前記ｐ型ＧａＰ窓層を気相成長させた後に、該ｐ型ＧａＰ窓層の表面上に厚さ１μｍ以上のＧａＡｓ層１５を気相成長させることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】発光層の結晶性に起因する不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において前記第一ｎ型半導体層上に、第二ｎ型半導体層と、障壁層およびＧａ_１−ｙＩｎ_ｙＮ（０．０７＜ｙ＜０．３０）なる組成の井戸層からなる発光層と、ｐ型半導体層と、を順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において、前記障壁層を第一の成長温度Ｔ１で成長させた後に、前記第一の成長温度Ｔ１よりも高温の第二の成長温度Ｔ２に昇温して前記障壁層を成長させ、さらに、前記第二の成長温度Ｔ２よりも低温の前記第三の成長温度Ｔ３に降温して前記障壁層の成長を続けることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】外部に保護素子を設けることなく静電気や過電圧から保護することができる半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置、信号灯器及び道路情報装置を提供する。
【解決手段】発光素子１００は、矩形状の基板１の一方の対角線上の角部近傍それぞれに、ｎ型半導体層（ＬＥＤ構造）２０、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層で構成されるＬＥＤ構造を分離して形成してある。また、基板１の他方の対角線上の角部近傍それぞれに、平面視が円状のボンディング電極７１、７１を形成してある。また、基板１の対向する辺縁近傍にｎ型半導体層２２、２１で構成される抵抗素子を形成してある。 （もっと読む）

【課題】容易に発光スペクトルを調整可能な発光装置であって、より発光効率の高い発光装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体発光素子と、複数の蛍光体部を同一の蛍光体部が隣り合うことなく平面上に配置した発光スペクトルの異なるＡ領域、Ｂ領域を有する蛍光体層を備える発光装置であって、蛍光体層おいて特定の蛍光体部の占める面積がＡ領域とＢ領域で異なるように配置することで、課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】セラミック層のクラックや剥離の発生を抑制する。
【解決手段】発光装置２は、特定波長の光を出射するＬＥＤ素子４と、ＬＥＤ素子４の光を受けその波長を変換する波長変換素子１０と、を備える。波長変換素子１０は、ガラス基板１２と、ガラス基板１２上に形成されるセラミック層１４であって、セラミック前駆体を焼結して得られるセラミック層１４とを備える。前記セラミック前駆体は、アルコキシシランまたは複数のシロキサン構造を有する化合物から選択される。セラミック層１４には蛍光体と酸化物粒子とが混合される。前記蛍光体は、粒径が１〜５０μｍでかつ前記セラミック層１４に占める濃度が４０〜９５重量％である。前記酸化物粒子は、１次粒径が０．００１〜３０μｍでかつセラミック層１４に占める濃度が０．５〜２０重量％である。 （もっと読む）

【課題】波長変換素子間の色度の変動を抑制する。
【解決手段】ガラス基板１２と、蛍光体が分散されたセラミック層１４と、を有する波長変換素子１０の製造方法が開示されている。当該製造方法は、セラミック前駆体、溶媒および前記蛍光体を含む混合物であって、粘度が１０〜１０００ｃｐの前記混合物を調製する工程と、前記混合物をガラス基板１２の少なくとも一方の面に塗布する工程と、前記混合物を焼成しセラミック層１４を形成する工程と、焼成後のガラス基板１２およびセラミック層１４をダイシングする工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子を具備した発光素子パッケージ及び照明システムの信頼性を改善すること。
【解決手段】本発明の実施形態による発光素子は、複数の半導体層を有する第１の発光構造層と、第１の発光構造層上に配置された第１の電極と、第１の発光構造層の下に配置された第１の反射層と、第１の反射層の下に配置され、複数の半導体層を有する第２の発光構造層と、第２の発光構造層の下に配置された第２の反射層と、第２の発光構造層と第１の反射層の間に配置されたボンディング層と、第１の発光構造層と第２の発光構造層を並列に連結する複数の連結部材とを含む。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択可能な、半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。工程Ｓ１０５では、バイアス依存性から、基板主面の選択された傾斜角の各々において発光層におけるピエゾ分極の向きの見積もりを行う。工程Ｓ１０６では、基板主面に対応する傾斜角及び基板主面の裏面に対応する傾斜角のいずれかの使用を見積りに基づき判断して、半導体発光素子の作製のための成長基板の面方位を選択する。半導体発光素子のための半導体積層を成長基板の主面上に形成する。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易であり、量産性及び効率が改善された半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、発光層を含む半導体層と、半導体層の第２の主面に設けられた第１の電極及び第２の電極と、半導体層の第２の主面側に設けられ、第１の電極に達する第１の開口と第２の電極に達する第２の開口とを有する絶縁膜と、絶縁膜における半導体層に対する反対側の面及び第１の開口内に設けられた第１の配線と、絶縁膜における半導体層に対する反対側の面及び第２の開口内に設けられた第２の配線と、第１の配線に設けられた第１の金属ピラーと、第２の配線に設けられた第２の金属ピラーと、第１の金属ピラー及び第２の金属ピラーの周囲を覆う樹脂と、半導体層の第１の主面に対向して設けられ発光光のピーク波長が異なる複数種の蛍光体を含む蛍光体層と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】偏光特性に優れ、ｍ面基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子における物理的強度を高めることのできる構造を提供する。
【解決手段】本発明の照明装置は、少なくとも第１および第２の窒化物系半導体発光素子を備えた照明装置であって、第１および第２の窒化物系半導体発光素子のそれぞれは半導体チップを備え、半導体チップは、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｘ≧０、ｙ≧
０、ｚ≧０）半導体から形成された窒化物系半導体積層構造４５を含み、窒化物系半導体積層構造２０は、界面がｍ面である活性層領域２４を含み、第１および第２の窒化物系半導体発光素子は、それぞれ活性層領域２４から偏光を出射し、第１および第２の窒化物系半導体発光素子が出射する偏光の波長をλ１およびλ２とし、第１および第２の窒化物系半導体発光素子の半導体チップ４５の厚さをｄ１およびｄ２としたとき、λ１＜λ２かつｄ１＜ｄ２の関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】大電流を流すことに起因した種々の不都合を発生させることなく高輝度化や高出力化を実現し、かつ配線系や電極等の構造を改善することで光取出効率を向上させた、発光ダイオードを提供する。
【解決手段】個々のＬＥＤ素子２１が、離間して設けられた第１のウエハ接合用電極１０ａおよび第２のウエハ接続用電極１０ｂと、透明絶縁層７と、第１の半導体層４と、活性層３と、第２の半導体層２とが、下層からこの順で形成されており、透明絶縁層７を貫通して第１の半導体層４と第１のウエハ接合用電極１０ａとを電気的に接続する第１のコンタクト部５と、透明絶縁層７および第１の半導体層４ならびに活性層３を電気的に絶縁された状態で貫通して、第２の半導体層２と第２のウエハ接合用電極１０ｂとを電気的に接続する第２のコンタクト部６とを備え、かつ前記ウエハ接合用電極１０ａ、１０ｂが、支持基板１４上のチップ接合用電極１２に接合されている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子をハンドリングする治具へのダメージが少なく、半導体発光素子自体の割れ・欠けも防ぐことが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板２０１と、前記基板２０１上に第一の導電型の第一クラッド層１０４、活性層１０５、前記第一クラッド層１０４とは異なる第二の導電型の第二クラッド層１０６を有する発光部を含む半導体積層部１０と、前記半導体積層部１０に電気的に接続する第一電極１２０および第二電極１２２と、を備え、前記半導体積層部１０は、前記基板２０１とは反対側の一方の面側を光取り出し面とし、前記半導体積層部１０のウェットエッチ側面の少なくとも一部に逆メサエッチング形状を有し、前記光取り出し面と前記ウェットエッチ側面とにより形成される角部２０を曲面をもって覆う透明絶縁膜１３０を有する。 （もっと読む）

【課題】輝度およびライフ等の諸特性が優れた高品質の化合物半導体基板および発光素子ならびに化合物半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓバッファ層及び（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなるダブルへテロ構造がこの順で形成された化合物半導体基板であって、前記ＧａＡｓバッファ層の厚さが、０．５μｍより厚いものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の向上と、均一な電流拡散、つまり電流−輝度特性の飽和電流値の向上との両方の特性の向上を満足させる。
【解決手段】ｎ型AlGaInP層の光取り出し面側の凸部構造ＳはAlGaInP半導体層の面方位［１１０］方向に沿う平行四辺形セルＣよりなり、各平行四辺形セルＣのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線は、Ｖ字形溝、Ｕ字形溝をなしている。平行四辺形セルＣの各頂点は隣合う平行四辺形セルＣの頂点と一致せず、各平行四辺形セルＣで平行にずれている。平行四辺形セルＣのＶ字形溝が分断され、平行四辺形セルＣのエッジが連続した光取り出し面を形成する。［１１０］方向に対しては平行四辺形セルＣのエッジで連続しており、平行四辺形セルＣ単位で結合、分岐を繰返して電流拡散が促進され、実線矢印Ｊで示す［１１０］方向に流れる電流は阻害されない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、２つの基板を接合する際の割れやクラックを抑制し、製造歩留りを向上させる半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の基板、半導体層及び第１の金属層を有する第１の積層体と、第２の基板及び第２の金属層を有する第２の積層体と、を貼り合わせる半導体発光素子の製造方法であって、前記第１の積層体の劈開方向と前記第２の積層体の劈開方向とをずらし、前記第１の金属層と前記第２の金属層とを接触させて重ね合わせる工程と、前記第１の積層体と前記第２の積層体との間に加重を加えた状態で所定の温度に昇温し、前記第１の積層体と前記第２の積層体とを貼り合わせる工程と、を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】演色性の優れた白色を実現することができる発光装置を提供する。
【解決手段】基板１の中央付近には、発光ピーク波長が異なる第１の青色ＬＥＤチップ１０及び第２の青色ＬＥＤチップ２０、青緑色光を発する青緑色ＬＥＤチップ３０を実装してある。基板１の上側外周には、各ＬＥＤチップを封止するための封止部２を枡状に周設してある。封止部２の内側は、黄色蛍光体及び赤色蛍光体を含有した光透過性樹脂（例えば、エポキシ樹脂）などを充填してある。光透過性樹脂は、基板１上に実装された第１の青色ＬＥＤチップ１０、第２の青色ＬＥＤチップ２０、青緑色ＬＥＤチップ３０を覆うとともに封止している。 （もっと読む）

【課題】熱衝撃に対して高い耐性を有し過酷な温度サイクル下でもクラックが生じにくいＬＥＤ用付加硬化型シリコーン樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、
（Ａ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を含有せず、１分子中にアルケニル基を少なくとも２個有する、下記平均組成式（１）で示されるオルガノポリシロキサン １００質量部、
Ｒ_ａＳｉＯ_{（４−ａ）／２} （１）
（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも２個及びケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも１個有する、下記平均組成式（２）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
Ｒ^１_ｂＨ_ｃＳｉＯ_{（４−ｂ−ｃ）／２} （２）
（Ｃ）付加反応触媒 触媒量、
を含有するオルガノポリシロキサン組成物であって、
前記オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）は、そのケイ素原子に結合した水素原子数が、（Ａ）及び（Ｂ）成分中のケイ素原子に結合したアルケニル基の合計数１個あたり０．４〜１０個となる割合で配合されていることを特徴とする発光ダイオード用付加硬化型シリコーン樹脂組成物。 （もっと読む）