【課題】支持基板から表面白金層及び裏面白金層が剥がれることがない半導体発光装置を製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】成長用基板上に複数の半導体層を積層して形成された発光体部と、シリコンからなる支持基板を含む支持体部と、を半田等の接合材料を介して接合することによって半導体発光装置を形成する製造方法において、支持基板の表面上及び裏面上のそれぞれにおいて、表面白金層及び裏面白金層の全体を加熱処理によってシリサイド化する。 （もっと読む）

【課題】発光光度を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に設けられる第１半導体層５、活性層６、及び第２半導体層７からなる発光層１３と、基板２と発光層１３との間に設けられるＤＢＲ（Distribution Bragg Reflector）層４と、基板２の下面に設けられる下部電極１０と、発光層１３上に設けられる上部電極１１とを有し、発光層１３上にＤＢＲブロック１２を設け、ＤＢＲブロック１２を覆うように上部電極１１を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード、発光装置を提供する。
【解決手段】基板側からＮ型半導体層、活性層、Ｐ型半導体層およびＩＴＯ層が順次積層した少なくとも一つの発光セルを有する発光ダイオードであって、前記ＩＴＯ層は、底部が前記Ｐ型半導体層に達する接点溝と、前記接点溝に充填された接点接続部と、を有し、前記Ｐ型半導体層は前記接点部の底部に、前記Ｐ型半導体層と前記接点接続部との間の電流の流れを遮断する電流遮断層を有することを特徴とするＩＴＯ層を有する発光ダイオードを提供する。 （もっと読む）

【課題】ＬＬＯ法による成長用基板の除去の際に、発生ガスの放出を妨げず且つ半導体成長層におけるクラック等の発生を防止することができる半導体発光素子の製造方法及びこれよって製造される半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】成長用基板の上に半導体成長層を形成する工程と、成長用基板に達する分割溝を形成して半導体成長層を複数の素子部に分割する工程と、複数の素子部の各々の側部に、成長用基板との界面から半導体成長層の成長方向に向かって広がる逆方向テーパの傾斜面を形成する工程と、逆方向テーパの傾斜面を露出しつつ側部の上に保護層を形成する工程と、複数の素子部に支持体を設ける工程と、成長用基板の裏面側から剥離用のレーザ光を照射して成長用基板を剥離する工程と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】多色、白色または近白色光を放射可能なＬＥＤデバイスの提供。
【解決手段】ｐｎ接合１０内に位置する第１のポテンシャル井戸１２と、ｐｎ接合内に位置しない第２のポテンシャル井戸４とを備える半導体デバイスが提供される。ポテンシャル井戸は量子井戸であり得る。半導体デバイスは通常、ＬＥＤであるとともに、白色または近白色光ＬＥＤであり得る。半導体デバイスはｐｎ接合内に位置しない第３のポテンシャル井戸８をさらに備え得る。半導体デバイスは第２または第３の量子井戸の周囲の、または近接するまたは直接隣接する吸収層３，５，７，９をさらに備え得る。さらに半導体デバイスを備えるグラフィックディスプレイおよび照明装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】色覚障害者にも認識することができる発光装置を提供する。
【解決手段】基板１の一側面には、適長離隔して、外部回路に接続するための電極１１、３１、２１を設けている。また、基板１の前述の一側面と反対側の面には、電極１１、３１、２１に対応させて電極１２、３２、２２を設けている。基板１の中央付近には、橙色発光素子としての橙色ＬＥＤチップ１０、青緑色発光素子としての青緑色ＬＥＤチップ２０、青色発光素子としての青色ＬＥＤチップ３０を実装してある。橙色ＬＥＤチップ１０は、金線１３により電極１１、１２にボンディングされている。青緑色ＬＥＤチップ２０は、金線２３により電極２１、２２にボンディングされている。青色ＬＥＤチップ３０は、金線３３により電極３１、３２にボンディングされている。 （もっと読む）

【課題】小型で発熱が少なく、しかも所望の波長帯の出射光が高強度で安定して得られる積層型半導体発光素子を提供する。
【解決手段】それぞれ発光ダイオードを構成する第１の発光素子部３０、第２の発光素子部２０、第３の発光素子部１０が中心発光波長の長い順に下層から配置され、上層に配置された発光素子部は下層に配置された発光素子部の発光光に対する透光性をそれぞれ有し、第１の発光素子部３０と第２の発光素子部２０との間に配置された第１光学機能層４２と、第２の発光素子部２０と第３の発光素子部１０との間に配置された第２光学機能層４１は、下層側の発光素子部の発光光を上方に透過させるとともに上層側の発光素子部の発光光を上方に反射する光学特性を有している。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を高めると共に薄型化が容易な発光素子および量産性が改善可能なその製造方法、並びに発光装置を提供する。
【解決手段】発光層を有する半導体積層体と、上面側に前記半導体積層体が設けられ、側面に平均高さおよび平均ピッチが均一に分布した凹凸を有する透光性基板と、を備えたことを特徴とする発光素子およびその製造方法、並びに発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】光損失を効果的に低減し、システム全体として実効上の発光効率（利用効率）を向上させ、薄型化を図る発光装置、面光源装置、液晶表示装置、およびその発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１は、基板１０と、基板１０に載置された発光素子チップ１１と、発光素子チップ１１を封止する封止部１２とを備える。また、発光装置１は、封止部１２から離れて封止部１２を挟むように対向して基板１０に配置された光散乱部１５を備える。光散乱部１５は、光拡散材（例えば、酸化チタン）を含有する透光性樹脂で形成されている。 （もっと読む）

【課題】光電半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電半導体素子は、基板と、前記基板に形成され、第一シート抵抗値と、第一厚みと、第一ドーパント濃度とを有する第一ウィンドウ層と、第二シート抵抗値と、第二厚みと、第二ドーパント濃度とを有する第二ウィンドウ層と、前記第一ウィンドウ層と前記第二ウィンドウ層との間に形成される半導体システムと、を含み、前記第二ウィンドウ層及び前記半導体システムは、異なる半導体材料を含み、前記第二シート抵抗値は、前記第一シート抵抗値より低く、前記第二厚みは、前記第一厚みより大きい。 （もっと読む）

【課題】局所的な電流集中を防止して均一な発光分布を得ることができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、支持基板と、支持基板上に設けられた光反射性を有する反射電極と、反射電極上に設けられた発光層を含むAlGaInP系半導体膜と、半導体膜上に設けられた表面電極と、を含む。表面電極は、半導体膜上に分散配置された複数の電極片からなるオーミック電極を含む。反射電極は、オーミック電極を構成する電極片の各々を挟んだ両側において電極片に沿うように設けられた線状のライン電極および複数の島状のドット電極からなる。ライン電極とドット電極との距離をａ、オーミック電極とドット電極の水平距離をｂ、互いに隣接するドット電極間の距離をｃとしたときに、ｂ＞ａ且つ０．８（ａ^２＋２ａｂ）^１／２＜ｃ＜２．４（ａ^２＋２ａｂ）^１／２を満たすように表面電極および反射電極が配設される。 （もっと読む）

【課題】歩留まりよく窒化物半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】本窒化物半導体素子の製造方法は、第１の基板１０の表面に、けがき線を入れることにより第１の溝１５を形成する工程と、第１の基板１０の第１の溝１５が形成された表面上に、第１の溝１５上に形成される第２の溝２５を有する窒化物半導体層２０を形成する工程と、窒化物半導体層２０上に電極を形成する工程と、を含み、第１の溝１５を形成する工程において、第１の溝１５を窒化物半導体素子チップの１個の１辺の長さの１以上の整数倍のピッチで形成し、窒化物半導体層２０を形成する工程において、少なくとも、バッファ層１１と、ｎ型窒化物半導体層１２と、発光層１３と、ｐ型窒化物半導体層１４とをこの順に形成し、電極を形成する工程において、電極のパターンのピッチが第１の溝１５の間に収まるように電極を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物からなる支持基体の非極性主面上に設けられた発光層等を有するIII族窒化物発光ダイオードにおいて、側面における欠けやチッピングといった形状不良を低減する。
【解決手段】発光ダイオード１１は、六方晶系III族窒化物半導体からなる支持基体１７及び半導体領域１９を含む発光構造体１３を備える。半導体領域１９は、第１半導体層２１と、第２半導体層２３と、発光層２５とを有する。支持基体１７の六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸は、ｍ軸の方向に法線軸に対して有限な角度ＡＬＰＨＡで傾斜している。発光構造体１３は、六方晶系III族窒化物半導体のｍ軸及び法線軸によって規定されるｍ−ｎ面に交差する一対の割断面２７，２９と、ｍ−ｎ面又は｛１１−２０｝面からなる一対の劈開面１３ａ，１３ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】小型化、薄型化が容易な上、光取り出し効率の低下を防ぐことができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明は、基台と、前記基台に配置された発光素子と、前記発光素子を覆う波長変換層とを含む発光装置であって、前記波長変換層は、前記発光素子からの光の波長を変換する波長変換部と、透光性材料からなる光ガイド部とを含み、前記ガイド部の径は１０〜２００μｍであり、前記ガイド部の間隔は３０〜３００μｍであり、前記光ガイド部は、平均粒径が１ｎｍ〜１００ｎｍの金属酸化物粒子を含有し、且つ前記波長変換層の前記発光素子側から光取り出し側に向かって延びていることを特徴とする発光装置である。 （もっと読む）

【課題】 ダイオードベースのデバイスとその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板、前記基板の一部を露出する、少なくとも１のアスペクト比を有する開口を含む誘電材料、前記開口内の少なくとも一部に設置された下領域と前記開口上に延伸した上領域を含み、前記基板と格子不整合の半導体材料を含む下ダイオード材料、前記下ダイオード材料の前記上領域に隣接した上ダイオード材料、及び前記上ダイオード材料と下ダイオード材料の間にあり、前記基板の上表面から離れて延伸した表面を含む活性ダイオード領域を含むダイオード。 （もっと読む）

【課題】本発明は従来の蛍光体を代替できる蛍光体物質を含み、高性能の白色発光素子を実現できる発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムを提供すること。
【達成手段】本発明は発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムに関する。
本発明の発光素子は第1導電型半導体層、第2導電型半導体層および前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層の間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上に第1非晶質層、および前記第1非晶質層上にナノ粒子形態のナノ構造物と、を含む。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、第１半導体層２ａと、第２半導体層２ｃと、第１半導体層２ａと第２半導体層２ｂとの間に発光層２ｂと、を有する光半導体層２であって、第１半導体層２ａ内に、光半導体層２の厚み方向に転位９が延在する光半導体層２と第１半導体層２ａと第２半導体層２ｃとの間に部分的に設けられ、平面透視して転位９と重なる領域に存在する絶縁層部７と、光半導体層２に電圧を印加し、平面透視して絶縁層部７と重ならない領域に位置する発光層２ｂを発光させる一対の電極３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能な発光素子部品、およびこれを備える発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明の実施形態の一例である発光素子アレイ１０は、支持基板２０と、支持基板２０の上面２０ａの上に設けられている、赤外の光を発する第１の発光部３０ａと、第１の発光部３０ａの上に設けられていて、赤外の光を透過する、可視の光を発する第２の発光部３０ｂと、第１の発光部３０ａおよび第２の発光部３０ｂの駆動を制御する駆動回路６０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤを光源に用いた光源装置において、簡易な構成で広範囲を照明可能であり、かつ、振動が生じてもＬＥＤやその実装部が損傷を受ける可能性が低い照明装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】熱可塑性樹脂からなる絶縁フィルム２、絶縁フィルム２上に形成された配線層３、及び配線層３上に形成された熱可塑性樹脂からなる絶縁層４を有し、少なくとも１箇所に曲率半径Ｒ（ｍｍ）を有する折り曲げ部１ａが形成されている変形可能なフレキシブル回路基板１と、フレキシブル回路基板１に実装される複数のＬＥＤ７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作電圧の増加を抑制することのできる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる発光層１０５とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面側に設けられ、発光層１０５が発する光を反射し、アルミニウムを含む反射層１３２と、半導体積層構造１０と反射層１３２との間の一部に設けられ、半導体積層構造１０と反射層１３２とを電気的に接続し、反射層１３２に接触する側にバリア層１２４を有する界面電極１２０とを備える。 （もっと読む）