二価のユーロピウムでドープされているカチオンＭを有し、かつ基本式Ｍ_{（１−ｃ）}Ｓｉ_２Ｏ_２Ｎ_２：Ｄ_ｃ（式中、Ｍ＝Ｓｒ、又はＭ＝Ｓｒ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｂａ_ｙＣａ_ｘ、ｘ＋ｙ＜０．５）で示されるオキシニトリドシリケートの種類からなる蛍光体が使用され、その際、前記オキシニトリドシリケートは完全に又はほとんど、高温安定性の変態ＨＴからなる。
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本発明は、青色発光ダイオード又はＵＶ発光ダイオードと、５５０ｎｍを超えるピーク発光波長をもつ黄色発光の蛍光体を有するコーティングと、を有する白色発光照明システムであって、この蛍光体が、r_2-x-y-zCa_yBa_zSiO₄：Eu_xの組成式で示される蛍光体を有し、ここで、0＜x≦0.06及び0＜(3y+z)≦0.5である、白色発光照明システムに関する。上記のダイオードがＵＶ発光ダイオードである場合、コーティングは更に青色発光の蛍光体も有する。
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第１の主要面（５）と、第２の主要面（９）と、電磁放射を生成する活性ゾーン（７）を備えている半導体層列（４）とを含んでいる半導体基体を備え、該半導体層列（４）は第１の主要面と第２の主要面（５，９）との間に配置されている放射放出半導体素子であって、第１の電流拡幅層（３）が第１の主要面（５）に配置されかつ第２の電流拡幅層（１０）が第２の主要面（９）に配置されかつこれらは半導体層列（４）と導電接続されている。
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本発明は、柔軟な絶縁基板に埋め込んだ誘電球を用いたエレクトロルミネセンス表示装置に関する。球形誘電粒子の各々は、基板の上部面から突き出た第１部分と、基板の下部面から突き出た第２部分とを有する。エレクトロルミネセンス蛍光体層を各球形誘電粒子の第１部分に付着させると共に、連続的導電性の実質的に透明な電極層をエレクトロルミネセンス蛍光体層の上部面と、エレクトロルミネセンス蛍光体層の上部面同士の間に位置する上記柔軟な絶縁基板の領域に載せる。上記球形誘電粒子の第２部分と、球形誘電粒子の第２部分同士の間に位置する柔軟な絶縁基板の領域を連続的導電性電極層で被覆する。
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【課題】異なる色の発光素子の組み合わせからなる半導体発光装置において、色むらの低減を図ること。
【解決手段】ＬＥＤチップアレイ（２）は、青色ＬＥＤ（６）と赤色ＬＥＤ（８）を有する。青色ＬＥＤ（６）は、ＳｉＣ基板（４）上に結晶成長によって形成されている。ＳｉＣ基板（４）上には、半導体プロセスによるボンディングパッド（４６）、（４８）が形成されている。赤色ＬＥＤ（８）は、青色ＬＥＤ（６）とは別途に作製され、前記ＳｉＣ基板（４）上の前記ボンディングパッド（４６）、（４８）にフリップチップ実装されている。 （もっと読む）

本発明は複数のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法に関し、これらの半導体チップはそれぞれ少なくとも１つの半導体層を備えた複数の構造素子をそれぞれ有する。この方法においては基板ならびに成長表面を有するチップ結合体ベースが提供される。成長表面の上には複数の窓を有するマスク材料層が形成され、これらの窓の大部分は１μｍ以下の平均的な広がりを有する。マスク材料は後続のステップにおいて成長すべき半導体層の半導体材料がこのマスク材料上では実質的に成長しない、または成長表面に比べて実質的に成長しにくいように選択される。続けて、半導体層が実質的に窓の内部に位置する成長表面の領域の上に析出される。さらなるステップではチップ複合体ベースが被着された材料と共に半導体チップに個別化される。さらに本発明は本方法に応じて製造されるオプトエレクトロニクス半導体チップに関する。
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【課題】本発明は、発光効率を高く維持しながら、基板に対して優れた接合性を有する半導体発光装置とその製造方法、およびこれを備える照明装置、さらには表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】このために、本発明に係る半導体発光装置は、発光層を有するものであって、その発光層の出射側に、表面に凹凸構造が設けられた光透過部が形成されているとともに、当該凹凸構造の上にさらに透光性を有した被膜が形成された構成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

ｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）と、ｐ型ドーピングされる閉じ込め層（２２）と、これらのｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）とｐ型ドーピングされる閉じ込め層（２２）との間に配置され光子を放出する活性層（１８）とを含む層構造を備えた発光半導体素子において、本発明によれば、高い活性ドーピングとシャープなドーピングプロファイルを形成するため、ｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）は第１のｎ型ドーパント（または互いに異なる２つのｎ型ドーパント）によりドーピングされ、活性層（１８）の層品質を改善させるため活性層（１８）は第１のドーパントとは異なる第２のドーパントによりドーピングされる。
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光線の光子エネルギーに対応する1または2以上のエネルギー遷移を有するバンドギャップ特性を示す、1または2以上の半導体材料で少なくとも一部が製作された、少なくとも一つの細長構造部（120）を有する、整調放射線放射半導体装置（50）を示した。少なくとも一つの構造部（120）は、該構造部を流れる電流に応じて、光線を放射するように作動する。また、前記少なくとも一つの構造部（120）は、十分に狭く製作され、電流の流れに対応する電荷キャリアの量子閉じ込めが生じる。また、前記少なくとも一つの構造部（120）は、さらに該少なくとも一つの細長構造部（120）に電場を印加する電極配置（190）を有し、バンドギャップ特性に歪が生じ、前記構造部（120）を流れる前記電流の流れに応じて、前記少なくとも一つの細長構造部（120）から作動時に放射される前記光線の波長が変調される。

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発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。
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【課題】発光効率の良好な赤みを帯びた暖色系の白色の発光装置を提供すること、青色発光素子等と組み合わせて使用する黄から赤領域に発光スペクトルを有する蛍光体を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｂが１ｐｐｍ以上１００００ｐｐｍ以下含まれている、一般式Ｌ_ＸＭ_ＹＮ_{（（２／３）Ｘ＋（４／３）Ｙ）}：Ｒ若しくはＬ_ＸＭ_ＹＯ_ＺＮ_{（（２／３）Ｘ＋（４／３）Ｙ−（２／３）Ｚ）}：Ｒ（Ｌは、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等の群から選ばれる第ＩＩ族元素である。Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ等の群から選ばれる第ＩＶ族元素である。Ｒは、Ｅｕ等の群から選ばれる希土類元素である。Ｘ、Ｙ、Ｚは、０．５≦Ｘ≦３、１．５≦Ｙ≦８、０＜Ｚ≦３である。）で表される窒化物蛍光体。青色発光素子１０からの光の一部を波長変換し、黄から赤色領域にピーク波長を有する前記窒化物蛍光体と、から構成される発光装置。 （もっと読む）

【課題】 電力効率のよい窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】 基板上に、ｎ側コンタクト層、ｎ側クラッド層及びｎ側光ガイド層が積層されたｎ型窒化物半導体層領域と、ｎ側光ガイド層上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、その活性層上に形成された、ｐ側光ガイド層、ｐ側クラッド層及びｐ側コンタクト層が積層されたｐ型窒化物半導体層領域とを有し、ｐ側クラッド層を、１０オングストローム以上で１００オングストローム以下の膜厚を有し、Ａｌを含まない窒化物半導体からなる第１の層と、該第１の層と組成が異なりかつ１０オングストローム以上で１００オングストローム以下の膜厚を有し、Ａｌを含む窒化物半導体からなる第２の層とが積層された超格子層とした。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌ層上にＣｕ層を接続性よく形成することができる、多層配線構造又は電極取り出し構造、電気回路装置、及びこれらの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 アルミニウムの電極パッド５６、５７及び電極層７７上に絶縁層７９を形成する工程と、電極パッド５６、５７及び電極層７７上において絶縁層７９にビアホール７０’を形成する工程と、ビアホール７０’内に無電解Ｎｉメッキ層８１を形成する工程と、無電解Ｎｉメッキ層８１上にＣｕ配線８６を形成する工程とを有する、多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 窒化物系化合物半導体素子に長期信頼性を施与し、しかも素子特性を低下させることのない表面保護膜を備えた半導体素子を提供すること。
【解決手段】 サファイア基板１上にバッファ層２を介して第一導電型の半導体層３１、発光層３２、第二導電型の半導体層３３を順次成長してなり、ワイヤーボンディング用電極４１、４２からなる窒化物系発光素子の表面に、素子構造の成長技術であるＭＯＶＰＥを使って、非晶質又は多結晶窒化アルミニウムを主成分とする表面保護膜５を低温で形成することにより、機械的に、熱的に、化学的に安定した表面に変える事により素子の信頼性を向上する。 （もっと読む）

【目的】 ＬＤの出力を監視するモニタＰＤを裏面入射型あるいは表面入射型のＰＤとし、しかも基板上に実装容易な形態のＬＤ・ＰＤ発光装置を提供する事。
【構成】 基板と、基板の表面の一部に形成され光を導くコアを有する光導波路層と、光導波路層の一部或いは全部を除いた基板面に設けられ前方光と後方光を生じ前方光は光導波路コアを伝送するようにしたＬＤと、ＬＤの背後において基板を穿つことによって形成されＬＤの後方光を反射する光路変換溝と、ＬＤ後方光を検出するため光路変換溝の上に跨りＬＤより高い位置に固定されたモニタ用ＰＤとを含む。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成でかつ全方位出射特性を有する光源装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】 全方位に対して出射する配光特性を有するＬＥＤ素子３，４を透光性基板２の上に設ける。透光性樹脂１０，１１でＬＥＤ素子３，４と透光性基板２とを一体的にモールドし、透光性モールド体を形成する。 （もっと読む）

【課題】 結晶欠陥の発生を抑え、電極形成面の凹凸を減らして平坦化し、半導体発光素子作成プロセスにおいて電極の剥がれが生じにくい半導体発光素子用ウェハーを提供すること。
【解決手段】 半導体基板１と、少なくともＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶よりなる第１クラッド層２、発光層３、前記第１クラッド層と反対導電型の第２クラッド層４、及び窓層５、がこの順序で積層されており、該基板には下部電極７、および該窓層には上部電極６が形成され、該窓層は少なくとも発光層に近い第１窓層１１と発光層より遠い第２窓層１２とを有し、該第２窓層は該第１窓層より不純物濃度の高い半導体層であって、前記第１窓層と第２窓層の界面近傍において、ＩＩＩ族元素の組成比を変化させた第１の介在層を有することを特徴とするものである。この結果、ヒロックの少ないウェハーを得ることができる。 （もっと読む）