【課題】大電流が印加されることにより高い発光出力が得られる半導体発光素子を製造できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に、第１ｎ型半導体層１２ａを積層する第１工程と、第２有機金属化学気相成長装置において、第１ｎ型半導体層１２ａ上に、第１ｎ型半導体層１２ａの再成長層１２ｄと第２ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第２工程とを具備し、第２工程において、第２ｎ型半導体層１２を形成する際の基板温度を、発光層１３を形成する際の基板温度よりも低くする半導体発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム基板上の半導体層と酸化ガリウム基板の主面との界面におけるオフセット電圧を低減可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物結晶層１５は、酸化ガリウム基板１３の主面１３ａを覆う。III族窒化物結晶層１５は、III族構成元素としてアルミニウムを含むと共にアルミニウム以外の少なくとも２種の構成元素を含むIII族窒化物からなる。半導体積層１７は、窒化ガリウム半導体層２５を含む。第１の電極１９は、半導体積層１７の主面１７ａ上に設けられる。第２の電極２１は、酸化ガリウム基板１３の裏面１３ｂ上に設けられる。III族窒化物結晶層１５のバンドギャップＥ（１５）は窒化ガリウム半導体層のバンドギャップＥ（ＧａＮ）より大きい。III族窒化物結晶層１５のバンドギャップＥ（１５）は４．８エレクトロンボルトより小さい。 （もっと読む）

【課題】大発光量、高発光効率、均一面発光を実現し得るコストの安価な発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置、ディスプレイ及び信号灯を提供する。
【解決手段】半導体発光層２は基板１の一面上に積層されている。半導体発光層２に電気エネルギーを供給する電極４１１〜４１４は、基板を貫通し半導体発光層２に到達する微細孔５１１〜５１４内に充填された導体によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板成長面に光の干渉効果を考慮した周期的凹凸構造を形成することにより、光取り出し効率の向上した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１屈折率を有する基板１０と、基板１０上に配置され、第２屈折率を有し、周期的凹凸加工された加工層１８と、加工層１８に挟まれた凹部の基板１０上および凸部の加工層１８上に配置され、第３屈折率を有する第１半導体層１２とを備え、第２屈折率の値は、第１屈折率の値よりも大きく、第３屈折率の値よりも小さい半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】深紫外光領域の発光特性が優れた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０（発光ダイオード）は、基板２０と、基板２０の上に結晶成長によって順に形成されたｎ型半導体層３０、発光層４０、ｐ型半導体層５０、ｎ型半導体層３０の上に設けられたｎ側電極６０およびｐ型半導体層５０の上に形成されたｐ側電極７０を備える。基板２０はＡｌＮ基板であり、基板面に垂直な方向に対してｃ軸が５°から１５°傾斜した微傾斜基板、または基板表面に垂直な方向に対してｃ軸が４０°から７０°傾いた半極性基板である。発光層４０は、ｎ−Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層（量子井戸層）とＡｌ_０．９Ｇａ_０．１Ｎ層（バリア層）とが交互に３層ずつ積層された多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は交流電圧用発光素子及びこれを備える発光素子パッケージに関するものである。
【解決手段】本発明の発光素子は、第１導電型半導体層、第１導電型半導体層の下に活性層及び活性層の下に第２導電型半導体層を含む複数の発光セルと；各発光セルの下に形成された複数の導電性接触層と；複数の発光セルの第１発光セルの第１導電型半導体層に連結された第１電極層と；各導電性接触層の下にそれぞれ配置され、一部は次の発光セルの第１導電型半導体層に連結された複数の第２電極層と；複数の発光セルのうち最後の発光セルの下に配置された導電性接触層の下に配置される第３電極層と；第１電極層に連結された第１電極と；第３電極層に連結された第２電極と；第１〜第３電極層の周りに形成された絶縁層と；絶縁層の下に形成され、複数の発光セルのセンタ側発光セルの下に配置された第２電極層の下に形成された伝導性支持部材と；を含む。 （もっと読む）

【課題】選択エッチング層のエッチング時の自然酸化による影響で化合物半導体層の損傷、結晶の転移が発生せず、信頼性の高い半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板８上に、選択エッチング層３、応力緩和層９および応力緩和層９より大きいヤング率を有するIII−Ｖ族化合物半導体から成る化合物半導体層４をエピタキシャル成長法により順次積層させる積層工程と、選択エッチング層３、応力緩和層９および化合物半導体層４を所定パターンとなるようにエッチング除去するエッチング工程と、Ｓｉ基板５の主面に化合物半導体層４の上面を直接接合法により接合させて、選択エッチング層３、応力緩和層９および化合物半導体層４が積層された化合物半導体基板８を貼りあわせる接合工程と、前記エッチング工程で残った選択エッチング層３をさらにエッチング除去することにより、Ｓｉ基板５と化合物半導体基板８とを分離する分離工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させることができるとともに光出力の高出力化を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１０と、当該ＬＥＤチップ１０が一表面側に実装された実装基板２０と、ＬＥＤチップ１０から放射された光によって励起されてＬＥＤチップ１０の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成され実装基板２０の上記一表面側に配設された色変換部材７０とを備える。実装基板２０は、熱伝導性材料からなる伝熱板２１の一表面側に、ＬＥＤチップ１０の一対の電極１３，１３それぞれに電気的に接続される複数（２つ）のリードパターン２３，２３が形成されており、ＬＥＤチップ１０は、実装基板２０側の一面１１ａとは反対側の他面１１ｂの面積が上記一面１１ａの面積よりも大きな透明導電性基板１１の上記他面１１ｂ側に、窒化物半導体材料からなる島状のＬＥＤ薄膜部１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】活性層の歪みを低減可能なIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａでは、半導体領域１３の主面１３ａは無極性又は半極性を示す。第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられ、この主面１３ａは基準面ＲＣに対して１０度以上の角度を成す。第１導電型バッファ層１５の材料は半導体領域１３の材料と異なる。キャリアブロック層１９は第３の六方晶系III族窒化物半導体からなる。活性層１７は窒化ガリウム系半導体層２１ａを含む。第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上において格子緩和する一方で、窒化ガリウム系半導体層は歪みを内包する。第１導電型バッファ層１５の格子緩和により、窒化ガリウム系半導体層２１ａの材料と半導体領域１３の主面１３ａの材料との格子定数差に起因する応力が、活性層１７に加わることがない。 （もっと読む）

【課題】放射放出が作製期間中に目標領域に調整設定可能である半導体チップ構造。
【解決手段】放射放出半導体チップの明るさを、ウェハの放射放出半導体層列（３）の放射放出特性の測定後の半導体チップの作製期間に、１つまたは複数の吸収性および／または部分絶縁性の明るさ調整設定層（１２，６，９）をウェハの放射出力結合面（１０）に被着することによって調整設定する。 （もっと読む）

【課題】従来の伝統的な花火スターの代わりに使用可能な、より安全な発光効果装置を提供する。
【解決手段】発光効果装置は、少なくとも１個の電気的／電子的発光源１５と、エネルギ蓄積装置１６と、その発光源１５を制御するための制御装置１７とを含み、さらに、花火中のブースター装置１２の活性化に対して応答する制御装置１７が配置されている。花火装置１１は、多数の発光効果装置１４と、前記発光効果装置１４をばらばらになるように駆動するよう配列された駆動装置１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ることができ、かつ高出力である新規な発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１００は、第１利得領域１４０ａと第２利得領域１４０ｂとは、第１利得領域１４０ａの端面と、第２利得領域１４０ｂの端面とが第１の面１０５に設けられた第１の重なり面１６０で重なる第１のＶ型利得領域１４０を構成し、第３利得領域１４２ａと第４利得領域１４２ｂとは、第３利得領域１４２ａの端面と、第４利得領域１４２ｂの端面とが第２の面１０７に設けられた第２の重なり面１６２で重なる第２のＶ型利得領域１４２を構成し、第１のＶ型利得領域１４０に生じる光は、第２の面１０７側から出射され、第２のＶ型利得領域１４２に生じる光は、第１の面１０５側から出射される。 （もっと読む）

【課題】 薄型で光取り出し効率の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の発光装置の製造方法は、ステンレスからなる支持基板上に、Ａｕとの拡散係数が前記支持基板中の金属よりも小さい金属を含む金属層と、その上にＡｕを主成分とする第１層及び第１層上に積層されＡｕと異なる金属を主成分とする第２層とを有する導電部材を、複数箇所形成する第１の工程と、導電部材の間の支持基板上に、遮光性樹脂からなる基体を設ける第２の工程と、導電部材又は基体の上面に、金属を含有している接着部材を介して発光素子を載置し、金属層の融点よりも低い温度で加熱して接着部材を溶融させる第３の工程と、発光素子を透光性の封止部材で被覆する第４の工程と、金属層と第１の層との間で剥離することで支持基板を除去後、発光装置を個片化する第５の工程と、を有することを特徴とする。これにより薄型で光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。 （もっと読む）

【課題】金属反射層の構成材料の拡散を防止することが可能な電極を備えた半導体発光素子、その製造方法、ランプ、電子機器及び機械装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１上にｎ型半導体層１０４と発光層１０５とｐ型半導体層１０６とがこの順序で積層されてなる積層半導体層２０と、ｐ型半導体層１０６に接合された一方の電極１１１と、ｎ型半導体層１０４に接合された他方の電極１０８と、を具備する半導体発光素子であって、一方の電極１１１または他方の電極１０８のいずれか一方または両方が、第１の拡散防止層５１と金属反射層５２と第２の拡散防止層５３がこの順序で積層されてなる構造を有し、かつ、第１の拡散防止層５１がＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｎｉのいずれかの金属を含む酸化物からなる半導体発光素子１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】照射パターンに特別な分布をもたせることが可能で、樹脂の透過率および蛍光体の発光効率の劣化を抑制し、高輝度の光を高い発光効率で出力することを可能にする。
【解決手段】基板の表面に設けられた複数の凹部内にそれぞれ、青色光もしくは近紫外光を発生する発光素子を樹脂で封止する工程と、発光素子から発生される光を透過する複数の第１領域を有しかつ変形可能な樹脂シートの、第１領域上にそれぞれ、発光素子から発生される光を透過する第１透過層と、発光素子から発生される光を波長の異なる光に変換する蛍光体と発光素子から発生される光を透過する透過材とを有する色変換層と、発光素子から発生される光を透過する第２透過層と、を積層し、樹脂シート上に第１透過層、色変換層、および第２透過層が積層された略半球状の積層膜を形成する工程と、略半球状の積層膜が形成された樹脂シートを基板と張り合わせ、略半球状の積層膜がそれぞれ発光素子上に位置するようにする工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の影響が抑制されていると共に、高い結晶品質を有するIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａは、ｃ軸方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して有限の角度をなす主面１３ａを有するIII族窒化物半導体基板１３と、III族窒化物半導体基板１３の主面１３ａ上に設けられ、III族窒化物半導体からなる井戸層２８、及び、III族窒化物半導体からなる複数のバリア層２９を含む量子井戸構造の活性層１７とを備え、主面１３ａは、半極性を示し、活性層１７は、１×１０^１７ｃｍ^−３以上８×１０^１７ｃｍ^−３以下の酸素濃度を有しており、複数のバリア層２９は、井戸層２８のIII族窒化物半導体基板側の下部界面２８Ｓｄと接する上部界面近傍領域２９ｕにおいて、酸素以外のｎ型不純物を１×１０^１７ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度で含む。 （もっと読む）

【課題】所望の色度を満たすアンバー色の発光が可能な蛍光体を実現する。
【解決手段】発光素子が発する光の波長をアンバー色を示す波長に変換する、板状の無機材料で構成された蛍光体において、蛍光体は、一般式がＣａ_{３−ａ−ｂ}Ｍ_ａＥｕ_ｂＳｉＯ_４（Ｃｌ_１−ｃＸ_ｃ）_２（ここで、ＭはＳｒ及びＭｇの少なくとも１種の元素からなり、ＸはＣｌ以外のハロゲン元素から選ばれた１種以上の元素からなり、ａは０＜ａ≦２．５を満たす値、ｂは０．００２≦ｂ≦０．２を満たす値、ｃは０≦ｃ≦０．５を満たす値である。）で表される。 （もっと読む）

【課題】発光素子に供給される電流を制限する。
【解決手段】シリコンを含むベース基板と、ベース基板に接して形成された複数のシード体と、各々対応するシード体に格子整合または擬格子整合する複数の３−５族化合物半導体とを備え、複数の３−５族化合物半導体のうちの少なくとも１つには、供給される電流に応じて発光する発光素子が形成されており、複数の３−５族化合物半導体のうち、発光素子が形成された３−５族化合物半導体以外の少なくとも１つの３−５族化合物半導体には、前記発光素子に供給される電流を制限する電流制限素子が形成されている発光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、テンプレート１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられる。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられる。活性層１７は、ＩｎＧａＮからなる少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系半導体層の上方に、濡れ層を形成するステップおよびその濡れ層の窒化処理を行うステップを介して遷移層を形成する方法であり、酸化亜鉛系半導体層の表面を保護する機能を有するほか、形成した遷移層は、それからの窒化ガリウム系半導体層をエピタキシャル成長法で成長する際に緩衝層として使用でき、窒化ガリウム系半導体層の結晶品質を有効に高める。 （もっと読む）