【課題】表面層に位置するｐクラッド層がマスクパターンに準じてウェットエッチングされることで、良好なボンディング性を確保しつつ、光取り出し効率を低下させることを防止することができる発光装置の製造方法および発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、基板２上に、ｎクラッド層３、活性層４、第１ｐクラッド層５を積層し、第１ｐクラッド層５より酸化性が低く、かつ導電性が低い第２ｐクラッド層６を積層する。次に、第２ｐクラッド層６の表面に粗面Ｒを形成する。第２ｐクラッド層６の中央部を、ｐ電極８の輪郭に合わせたマスクパターンによるウェットエッチングで除去して、第１ｐクラッド層５を露出させる。最後に、第１ｐクラッド層５の露出した部分に、ｐ電極８を形成する。粗面Ｒが第２ｐクラッド層６の表面に形成されているので、エッチングの際の進行度合いをほぼ同じとすることができ、マスクパターンに忠実なエッチングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】放射効率が高められたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体素子およびその種の半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が第１の主面及び第２の主面を有し、且つ、半導体素子の半導体基体が種々のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層の積層体によって形成されており、生成される放射の少なくとも一部が前記第１の主面を通過して出力結合され、第２の主面上にリフレクタが被着されている。ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を、基板基体及び中間層を有する接合基板上に被着し、基板基体の熱膨張係数はＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の熱膨張係数よりも大きく、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を中間層上に析出する。 （もっと読む）

【課題】良好な断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第３上面１０２ｃは、第１上面１０２ａに対して傾いた面であって、かつ第１上面と段差側面１０３を介して第１上面よりも上方に位置し、活性層１０６は、平面的に見て、第１上面側の第１側面１０５と、第１側面と平行な第２上面１０２ｂ側の第２側面１０７と、を有し、第１側面は、第２側面より上方に位置し、活性層の少なくとも一部は、利得領域１４０を構成し、利得領域は、第１側面側の端面１５０と、第２側面側の端面と、を有し、利得領域に生じる光の波長帯において、第２側面の反射率は、第１側面の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】第１基板から窒化物半導体層を容易に剥離する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０１の表面で単層又は複数層のグラフェン層１１１が成長する工程と、グラフェン層との界面で、共有結合性を有することなく、原子レベルのポテンシャルの規則性のみを用いた結合力を伴って窒化物半導体層１１４が形成される工程と、窒化物半導体層１１４とグラフェン層１１１ａとの間、あるいはグラフェン層相互間１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃのポテンシャルによる接合力以上の力で、窒化物半導体層がＳｉＣ基板から剥離される工程とを備える。また、剥離された窒化物半導体層が第２基板１３０の表面に接合される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体デバイス層がエッチングされないようにしながら、窒化物半導体デバイス層を基板から剥離することができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法を、基板１２上に、エッチング犠牲層１３を形成する工程と、エッチング犠牲層１３上に、エッチングストッパ層２を形成する工程と、エッチングストッパ層２上に、窒化物半導体デバイス層１を形成する工程と、エッチング犠牲層１３を、光電気化学エッチングによって除去する工程とを含むものとし、エッチングストッパ層２を、窒化物半導体デバイス層１に正孔が蓄積することを防止する層とする。 （もっと読む）

デバイスは、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された少なくとも１つのＩＩＩ−Ｐ発光層を有する半導体構造を含む。該半導体構造は更に、ｘ＜０．４５であるＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘのｐコンタクト層を含んでいる。第１のメタルコンタクトが、前記ＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘのｐコンタクト層と直接的に接触する。第２のメタルコンタクトが前記ｎ型領域に電気的に接続される。第１及び第２の金属コンタクトは、前記半導体構造の同一面に形成される。
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【課題】半導体基板上に形成されたエピタキシャル成長層に直接かつ全面にわたって安定的に密着される接着型半導体基板および半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１２上に組成式Ｉｎ_x（Ｇａ_1-yＡｌ_y）_1-xＰで表される化合物半導体の混晶をエピタキシャル成長させ、Ｎ型クラッド層１４（０．４５＜ｘ＜０．５０，０≦ｙ≦１）と活性層１５とＰ型クラッド層１６とカバー層１７とを有するエピウェーハを形成する工程と、カバー層１７をエッチングにて除去してＰ型クラッド層１６の表面を露出させる工程と、Ｐ型クラッド層１６の上に、鏡面加工されたＧａＰ基板１１を、被鏡面加工面がＰ型クラッド層１６に接するように載置して室温にて一体的に接合させる工程と、熱処理をする工程と、ＧａＡｓ基板１２側からエッチング処理を行いＮ型クラッド層１４を露出させる工程と、Ｎ型クラッド層１４の表面とＧａＰ基板１１の裏面に電極１９をそれぞれ形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチングを行わずにメサ構造を形成して電流リークを低減することを可能にする。
【解決手段】エピタキシャル成長法によって、基板１１上にｎ型コンタクト層１２を形成する工程と、ｎ型コンタクト層１２上に、本体部１６が形成される領域上に開口部２２を設けた無機マスク２１を形成する工程と、エピタキシャル成長法によって、無機マスク２１の開口部２２内のｎ型コンタクト層１２上に、ｎ型層１３、活性層１４、ｐ型層１５を順に形成してメサ構造の本体部１６を形成する工程と、無機マスク２１を除去する工程と、ｎ型コンタクト層１２上および本体部１６表面に電極形成層２３を形成する工程と、電極形成層２３をパターニングして、ｎ型コンタクト層１２上にｎ電極１７を形成し、ｐ型層１５上にｐ電極１８を形成する工程を有する。 （もっと読む）

種々の波長の光を生成することは、他の波長で放射する感光剤-希土酸化物イオンをポンプするように既存のＬＥＤ放射を使用してＩＲ蛍光体ダウンコンバート技術を使用する。感光剤は、ＬＥＤチップ・ポンプ放射を吸収し、次いで、高い量子効率でドーパントイオンにエネルギを伝送し、次いで、それらの特性波長で放射する。 （もっと読む）

【課題】波長変換部材内を伝搬する光路長差による色ムラを低減し、樹脂からなる接着剤の劣化による信頼性の低下を回避しながら、発光素子及び波長変換部材から放出される光を効率良く外部に取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光装置は、半導体素子構造を有する発光素子と、光反射性材料を含有し、前記発光素子の出射面を露出して、該側面を被覆する被覆部材と、前記発光素子から離間され、互いに対向する発光面と、前記発光素子の出射表面からの光を受光する受光面と、を有する光透過部材と、を備え、前記被覆部材は、前記発光素子と前記光透過部材の離間領域において、前記発光素子の側面より前記光透過部材まで延在して、該延在部が前記離間領域を囲み、該離間領域側表面に第１の反射面を有する。 （もっと読む）

【課題】上面と底面を有する基板と，基板の上面上に少なくとも１つの光活性層を備えた固体光源を提供する。
【解決手段】上面，底面，光活性層及び光活性層上の放出面のうちの少なくとも１つは，高さ（ｈ）を規定する高隆起部及び低隆起部を有する複数の傾斜した表面外観形状を有するパターン面からなり，複数の傾斜した表面外観形状は，最小横寸法を（ｒ）を規定する。複数の傾斜した表面外観形状は，３〜８５度の表面傾斜角を有する少なくとも１つの表面部を備える。パターン面の表面粗さは，１０ｎｍ ｒｍｓ未満であり，ｈ／ｒは，０．０５より大きい。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現することができる発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１において、導電性を有する第１のベース基板１１及び第２のベース基板１２と、それらの間に配設された絶縁体４１と、第１のベース基板１１の第１の主面１１Ａ上に配設された半導体発光機能層２と、半導体発光機能層２を被覆する透明性を有する封止体７とを備える。半導体発光機能層２の第１の主電極２１は第１のベース基板１１に電気的に接続され、第２の主電極２３は第２のベース基板１２に電気的に接続されている。第１のベース基板１１の第２の主面１１Ｂ及び第２のベース基板１２の第４の主面１２Ｂにはバックグラインド処理がなされ、薄型化がなされている。 （もっと読む）

【課題】封止部材に溝を形成することにより、基板の反りや変形を軽減できるとともに、発光素子の温度上昇を抑制することができる発光装置及びこの発光装置を備える照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板２と、この基板２に複数並設して実装された複数の発光素子３と、前記基板２と複数の発光素子３を含めて覆い、前記並設方向に沿って形成された溝４１を一体に有する透光性の封止部材４とを備える発光装置１である。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップから放射される光を検出する光検出部が実装基板に一体に設けられた構成を採用しながらも、光取り出し効率の向上を図れ且つ光検出部のＳ／Ｎ比を向上させることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光部を構成するＬＥＤチップ１は、ｎ形窒化物半導体層１４とｐ形窒化物半導体層１６とを有するＬＥＤ薄膜部１２、カソード電極１８およびアノード電極１７がＺｎＯ結晶からなる六角錘状の錐体１１の下面１１ａ側に形成され、当該錐体１１よりもＬＥＤ薄膜部１２が実装基板２の一表面に近くなる形で実装基板２に実装されている。実装基板２は、上記一表面からＬＥＤチップ１のＬＥＤ薄膜部１２および錐体１１の下部を囲む形で突出した壁部２ｂから錐体１１の下部へ向かって張り出した庇部２ｃを有し、該庇部２ｃに、ＬＥＤチップ１から放射される光を検出する光検出部４を設けてある。 （もっと読む）

【課題】発光素子中の活性キャリアの濃度を高精度かつ簡易に評価することのできる活性キャリア濃度の評価方法と、活性キャリア濃度が低い発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、エピタキシャル成長によって形成した化合物半導体基板または発光素子チップをエピタキシャル成長方向に沿って断面を露呈させ、該露呈した断面の表面に探針を接触させて、前記化合物半導体基板または発光素子チップの断面の表面において、少なくともｐ型クラッド層から活性層、ｎ型クラッド層にかけて又は少なくともｎ型クラッド層から活性層、ｐ型クラッド層にかけてＳＣＭ（走査型静電容量顕微鏡：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によってｄｃ／ｄｖ信号を測定し、該測定値を基に少なくとも前記活性層中の活性キャリア濃度を評価することを特徴とする活性キャリア濃度の評価方法。 （もっと読む）

【課題】サセプタなどを大型化することなく、一度に気相成長できる半導体薄膜の面積を多くできる自公転型の気相成長装置を提供する。
【解決手段】円盤状のサセプタ１２に形成された円形開口内に設けられた軸受部材１３と、軸受部材に回転可能に載置された均熱板１４と、均熱板上に載置された外歯車部材１５と、該外歯車部材に噛合する内歯車を備えたリング状の固定内歯車部材１７と、外歯車部材に保持された基板１８をサセプタの裏面側から加熱する加熱手段１９と、基板表面に平行な方向に原料ガスを導くフローチャンネル２０とを備えた自公転機構を有する横形気相成長装置において、軸受部材の外径又は外歯車部材の歯車基準円直径を基板の外径より小さい寸法とする。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率であって高湿環境下で長寿命の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光部７を有する化合物半導体層２と、化合物半導体層２の主たる光取り出し面に設けられたオーミック電極４，５と、オーミック電極４，５を保護するための電極保護層６と、を備えた発光ダイオード１であって、主たる光取り出し面を含む化合物半導体層２の表面２ａ，２ｂのＡｌ濃度が２０％以下且つＡｓ濃度が１％未満であり、電極保護層６が、オーミック電極４，５を覆うように設けられた第１の保護膜１２と、少なくとも第１の保護膜１２の端部を覆うように設けられた第２の保護膜１３とからなる二層構造を有することを特徴とする発光ダイオード１を採用する。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、高効率の光学デバイスを製造する。
【解決手段】多結晶ウルツ鉱型半導体素子２００の製造方法であって、層状物質であり、かつ、六回対称結晶構造を有するグラファイト基板２０１の主面に、表面処理を行うことにより表面を荒らす表面処理ステップと、表面処理ステップで表面処理された主面に、複数の結晶粒１０４を有する多結晶ウルツ鉱型半導体１０３を主面の垂直方向に成長させる成膜ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率及び高い信頼性を有する半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】第１のクラッド層と、第２のクラッド層と、第１のクラッド層と第２のクラッド層との間に形成された活性層と、第２のクラッド層の上に中間層及び第１の透明導電層を順次積層して形成された拡散制御層と、拡散制御層よりも低い不純物濃度を有する第２の透明導電層と、第２の透明導電層よりも高い不純物濃度を有する第３の透明導電層と、からなり、中間層と第１の透明導電層との界面が格子不整合界面であること。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体結晶から構成されているＬＥＤとの線膨張率差が小さくしかも熱伝導性に優れた、ＬＥＤ搭載構造体と、ＬＥＤ搭載構造体の製造方法と、ＬＥＤ搭載構造体を製造するためのＬＥＤ搭載用基板を提供する。
【解決手段】気孔率が１０〜５０体積％である炭化珪素多孔体にシリコン又はシリコン合金を含浸させてなり、３点曲げ強度が５０〜３５０ＭＰａ、少なくとも一面の表面粗さ（Ｒａ）が０．０１〜０．５μｍ、板厚が０．０５〜０．５ｍｍであることを特徴とするＬＥＤ搭載用基板。それを用いたＬＥＤ搭載構造体及びその製造方法。 （もっと読む）