【課題】ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成された低接触抵抗のｎ側電極を有するＧａＮ系発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法は、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板である基板１１０と、基板１１０上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体からなりｐｎ接合型の発光構造を含むエピ層１２０と、を有するエピウェハを準備する第１ステップと、前記エピウェハに含まれる基板１１０の裏面をポリッシングする第２ステップと、前記第２ステップでポリッシュされた基板１１０の裏面全体にｎ側オーミック電極を形成する第３ステップと、前記第３ステップで形成された前記ｎ側オーミック電極をエッチングによりパターニングする第４ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の半導体層の厚さを減少させ、発光素子の光抽出効率を改善しようとすること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を有する発光構造物と、前記発光構造物の下部に位置し、第２の導電型半導体層と電気的に連結された第２の電極層と、第２の電極層の下部に位置する主電極、及び前記主電極から分岐され、第２の電極層、第２の導電型半導体層及び活性層を貫通して第１の導電型半導体層と接する少なくとも１つの接触電極を有する第１の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間及び第１の電極層と前記発光構造物との間の絶縁層とを備え、第１の導電型半導体層は、第１の領域と、第１の領域と区分され、第１の領域より高さの低い第２の領域とを有し、第１の領域は前記接触電極と重畳されている。 （もっと読む）

【課題】保護膜及び電極膜が均一な膜厚で形成され、安定で高輝度の発光が担保され、側面の劣化が防止され、高信頼性及び長寿命化が図られている発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、支持構造部６は反射層２の一部を含み、その側面６ｂがウェットエッチングで形成され、傾斜部６ｂａを含み、傾斜部６ｂａを含む水平方向の断面積が上面６ａに向かって連続的に小さく形成され、メサ型構造部７はその傾斜側面７ａがウェットエッチングで形成され、水平方向の断面積が頂面７ｂに向かって連続的に小さく形成され、保護膜８は上面６ａと、傾斜部６ｂａと、傾斜側面７ａと、頂面７ｂの周縁領域７ｂａとを覆うとともに、周縁領域７ｂａの内側に半導体層５の表面の一部を露出する通電窓８ｂを有し、電極層９は通電窓８ｂから露出された表面と直接接触すると共に上面６ａ上に形成された保護膜８を覆い、光射出孔９ｂを有する連続膜である。 （もっと読む）

【課題】高出力化および小型化を図ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１０００では、第１屈曲部２１２および第３屈曲部２３２は、第１出射面１６２ａから第１屈曲部２１２までの第１出射光Ｌ１の光路長Ｄ１と、第３出射面１６２ｂから第３屈曲部２３２までの第３出射光Ｌ３の光路長Ｄ３とが、等しくなる位置に配置され、第２屈曲部２２２および第４屈曲部２４２は、第２出射面１６４ａから第２屈曲部２２２までの第２出射光Ｌ２の光路長Ｄ２と、第４出射面１６４ｂから第４屈曲部２４２までの第４出射光Ｌ４の光路長Ｄ４とが、等しくなる位置に配置され、第１屈曲部２１２で反射された第１出射光Ｌ１の進行方向、第２屈曲部２２２で反射された第２出射光Ｌ２の進行方向、第３屈曲部２３２で反射された第３出射光Ｌ３の進行方向、および第４屈曲部２４２で反射された第４出射光Ｌ４の進行方向は、同じである。 （もっと読む）

【課題】
電極の周囲で保護膜のみを透過する光と、さらにその外周で層間絶縁膜と保護膜とを透過する光が存在する場合でも、光の干渉が比較的起こりにくく発光効率が比較的高い光学素子および光学素子アレイを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る光学素子は、半導体層部の上面のうち第２の絶縁膜に被覆された第１領域を介して出射される発光層からの光の位相と、半導体層部の上面のうち第１の絶縁膜および第２の絶縁膜に被覆された第２領域を介して出射される発光層からの光の位相とが、第２領域の表面を含む仮想平面で同位相となっている。 （もっと読む）

【課題】ｎ側メタル電極の延伸部を通してｎ型導電層に流れる電流を増加させたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１００は、複数のＧａＮ系半導体層を含む半導体積層体１２０を有し、該複数のＧａＮ系半導体には、上面および底面を有するｐ型導電層１２３と、ｐ型導電層１２３の底面側に配置された活性層１２２と、ｐ型導電層１２３とで活性層１２２を挟むように配置されたｎ型導電層１２１とが含まれ、ｐ型導電層１２３の上面にはｐ側電極が設けられ、ｐ型導電層１２３側に一部露出したｎ型導電層１２１の表面にはｎ側電極が設けられる。該ｎ側電極は、接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該ｎ側電極の該接続部とｎ型導電層１２１との間に形成されるオーミック接触界面の面積が、該接続部の面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】電力効率が良好な窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、Ｖピット発生層と、中間層と、多重量子井戸発光層と、ｐ型窒化物半導体層とがこの順で設けられたものである。多重量子井戸発光層は、バリア層と該バリア層よりもバンドギャップの小さい井戸層とを交互に積層して構成された層である。多重量子井戸発光層には部分的にＶピットが形成されており、Ｖピットの始点の平均的な位置は中間層内に位置する。 （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板と半導体膜との間に設けられ半導体膜と接する面で光反射面を形成する光反射層を含み、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極は、半導体膜との間でオーミック接触を形成する第１の電極片と、第１の電極片に電気的に接続された第２の電極片と、を含む。光反射層は、反射電極を含み、反射電極は半導体膜との間でオーミック接触を形成する第３の電極片と、第３の電極片に電気的に接続され且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含む。第１の電極片と第３の電極片は、半導体膜の主面と平行な面に投影したときに互いに重ならないように配置される。第２の電極片と第４の電極片は、半導体膜との間でショットキー接触を形成して半導体膜の順方向電流を妨げる障壁を形成する。 （もっと読む）

【課題】実装性を向上可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００において、リード１２は、土台部１２１ｃを有する。土台部１２１ｃは、パッケージ１０の底面１０Ｃにおいて、第１及び第２端子部１２１ｂ，１２２ｂの間であって第１及び第２端子部１２１ｂ，１２２ｂよりも光出射面１０Ａ側で成形体１１から露出する。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンスを用いることにより、発光素子を容易かつ迅速に識別するための発光素子の検査方法などを提供する。
【解決手段】検査工程は、発光素子１に通電を行わずに、通電により発光する波長（第１波長）より波長が短い光（第２波長の光）を励起光として照射する光照射工程（ステップ２０１）と、第２波長の光の照射により発光素子１が出射する光を検出する検出工程（ステップ２０２）と、発光素子１が出射する第１波長の光の強度に基づき、発光素子１の電流リークの状態を判別する判別工程（ステップ２０３）とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】近接場光デバイスにおいて、エネルギー効率を高める。
【解決手段】近接場光デバイスは、基板（１２）上に配置されており、量子ドット（１６）を含み、基板により導かれる入射光をエネルギー源として量子ドットの光発生作用により近接場光（１８）を発生可能な量子ドット層（１３、１４、１５）を備える。近接場光デバイスは更に、量子ドット層上に配置されており、量子ドット層で発生された近接場光をエネルギー源として近接場光（６５）を発生可能且つ外部へ出力可能な出力端（１７）を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子チップを接合するマウント材の劣化を抑制する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光装置は、サファイア基板、活性領域、及び光遮断層が設けられる。活性領域は、サファイア基板上に設けられ、通電されてサファイア基板の厚み方向で発光する発光層を有する。光遮断層は、サファイア基板の裏面に設けられ、発光層で発生された光をサファイア基板の裏面側に透過するのを遮断し、サファイア基板が酸化アルミニウム（Ａｌ_ｘＯ_ｙ）に改質されてなる。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させず、小型の発光装置でも、実装の安定性の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光出射面１１ａ、光出射面１１ａに連なる下面１１ｃ及び光出射面１１ａと反対側の背面を有する成形体１１と、その一部が成形体１１に埋設され、下面１１ｃから突出し、光出射面１１ａ又は背面のいずれか一方側に屈曲する端部１２ａ、１３ａを有する一対のリード１２、１３とによって構成されたパッケージならびに一対のリード１２、１３の一方のリード１２上に配置された発光素子を備えた発光装置であって、成形体１１は、下面１１ｃのリード１２、１３間において、光出射面１１ｃ側で突出する前突出部１４ａと、背面側で突出する後突出部１４ｂとを有する発光装置。 （もっと読む）

【課題】１枚のウェハからより多くのチップを取得することができる高性能な発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】加熱したｎ型基板１００上にIII族原料ガス及びＶ族原料ガスを供給し、ｎ型基板１００上に少なくともｎ型クラッド層５、活性層７、ｐ型クラッド層９，１１及びコンタクト層１３からなるIII−Ｖ族半導体層２を積層する発光素子用エピタキシャルウェハ１において、III−Ｖ族半導体層２のいずれかの層に不可避不純物として混入するＳ（硫黄）の濃度を１．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下にすべく、その層の成長時の基板温度を６２０℃以上とし、かつＶ族原料ガスとIII族原料ガスの実流量比を１３０以上とした。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの特性を生かしつつ、高耐圧デバイスや紫外発光・受光デバイスを実現する。
【解決手段】半導体デバイスを、２次元構造のグラフェン電極２、３と、グラフェン電極のグラフェン端に結合した２次元構造のボロンナイトライド半導体層５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、発光素子の発する光が波長変換部材の全体に照射することが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光装置１であって、中央部Ｃが上方に突出した凸部２を有する基板３と、凸部２上に実装された発光素子３と、基板３上に凸部２の周囲を取り囲むように発光素子４の下端よりも低い位置まで設けられた透光性シート５と、基板３の周辺部Ｐに沿って発光素子４を取り囲むように設けられた枠体６と、枠体６内に設けられた、発光素子４の発する光を波長変換する蛍光体７を含有する、透光性シート５の屈折率よりも屈折率が小さい波長変換部材８とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗の低い貫通電極構造、または、放熱特性に優れた熱伝導路を有する電子機器用基板及びそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１は、複数の貫通電極２及び柱状ヒートシンク３の少なくとも一方を有する。貫通電極２は、カーボンナノチューブを含有し、基板１に設けられたビア２０を鋳型とする鋳込み成形体でなる。柱状ヒートシンク３は、基板に設けられたビア３０を鋳型とする鋳込み成形体でなり、炭素原子構造体を含有する。 （もっと読む）

【課題】良好なＰＮ接合を側面に有して、良好な電気的特性を有する半導体素子等を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体コア１１を覆うように第１導電型の半導体シェル１２を形成する。また、第１導電型の半導体シェル１２を覆うように第２導電型の半導体シェル１３を形成する。 （もっと読む）