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【課題】m面GaN基板の裏面に形成された低接触抵抗のn側電極を有するGaN系発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】GaN系発光ダイオードの製造方法は、n型導電性のm面GaN基板である基板110と、基板110上にエピタキシャル成長したGaN系半導体からなりpn接合型の発光構造を含むエピ層120と、を有するエピウェハを準備する第1ステップと、前記エピウェハに含まれる基板110の裏面をポリッシングする第2ステップと、前記第2ステップでポリッシュされた基板110の裏面全体にn側オーミック電極を形成する第3ステップと、前記第3ステップで形成された前記n側オーミック電極をエッチングによりパターニングする第4ステップと、を有する。 (もっと読む)


【課題】発光素子の半導体層の厚さを減少させ、発光素子の光抽出効率を改善しようとすること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第1の導電型半導体層、活性層及び第2の導電型半導体層を有する発光構造物と、前記発光構造物の下部に位置し、第2の導電型半導体層と電気的に連結された第2の電極層と、第2の電極層の下部に位置する主電極、及び前記主電極から分岐され、第2の電極層、第2の導電型半導体層及び活性層を貫通して第1の導電型半導体層と接する少なくとも1つの接触電極を有する第1の電極層と、第1の電極層と第2の電極層との間及び第1の電極層と前記発光構造物との間の絶縁層とを備え、第1の導電型半導体層は、第1の領域と、第1の領域と区分され、第1の領域より高さの低い第2の領域とを有し、第1の領域は前記接触電極と重畳されている。 (もっと読む)


【課題】保護膜及び電極膜が均一な膜厚で形成され、安定で高輝度の発光が担保され、側面の劣化が防止され、高信頼性及び長寿命化が図られている発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、支持構造部6は反射層2の一部を含み、その側面6bがウェットエッチングで形成され、傾斜部6baを含み、傾斜部6baを含む水平方向の断面積が上面6aに向かって連続的に小さく形成され、メサ型構造部7はその傾斜側面7aがウェットエッチングで形成され、水平方向の断面積が頂面7bに向かって連続的に小さく形成され、保護膜8は上面6aと、傾斜部6baと、傾斜側面7aと、頂面7bの周縁領域7baとを覆うとともに、周縁領域7baの内側に半導体層5の表面の一部を露出する通電窓8bを有し、電極層9は通電窓8bから露出された表面と直接接触すると共に上面6a上に形成された保護膜8を覆い、光射出孔9bを有する連続膜である。 (もっと読む)


【課題】高出力化および小型化を図ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置1000では、第1屈曲部212および第3屈曲部232は、第1出射面162aから第1屈曲部212までの第1出射光L1の光路長D1と、第3出射面162bから第3屈曲部232までの第3出射光L3の光路長D3とが、等しくなる位置に配置され、第2屈曲部222および第4屈曲部242は、第2出射面164aから第2屈曲部222までの第2出射光L2の光路長D2と、第4出射面164bから第4屈曲部242までの第4出射光L4の光路長D4とが、等しくなる位置に配置され、第1屈曲部212で反射された第1出射光L1の進行方向、第2屈曲部222で反射された第2出射光L2の進行方向、第3屈曲部232で反射された第3出射光L3の進行方向、および第4屈曲部242で反射された第4出射光L4の進行方向は、同じである。 (もっと読む)


【課題】
電極の周囲で保護膜のみを透過する光と、さらにその外周で層間絶縁膜と保護膜とを透過する光が存在する場合でも、光の干渉が比較的起こりにくく発光効率が比較的高い光学素子および光学素子アレイを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る光学素子は、半導体層部の上面のうち第2の絶縁膜に被覆された第1領域を介して出射される発光層からの光の位相と、半導体層部の上面のうち第1の絶縁膜および第2の絶縁膜に被覆された第2領域を介して出射される発光層からの光の位相とが、第2領域の表面を含む仮想平面で同位相となっている。 (もっと読む)


【課題】n側メタル電極の延伸部を通してn型導電層に流れる電流を増加させたGaN系LED素子を提供する。
【解決手段】GaN系LED素子100は、複数のGaN系半導体層を含む半導体積層体120を有し、該複数のGaN系半導体には、上面および底面を有するp型導電層123と、p型導電層123の底面側に配置された活性層122と、p型導電層123とで活性層122を挟むように配置されたn型導電層121とが含まれ、p型導電層123の上面にはp側電極が設けられ、p型導電層123側に一部露出したn型導電層121の表面にはn側電極が設けられる。該n側電極は、接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該n側電極の該接続部とn型導電層121との間に形成されるオーミック接触界面の面積が、該接続部の面積よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】電力効率が良好な窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、n型窒化物半導体層と、Vピット発生層と、中間層と、多重量子井戸発光層と、p型窒化物半導体層とがこの順で設けられたものである。多重量子井戸発光層は、バリア層と該バリア層よりもバンドギャップの小さい井戸層とを交互に積層して構成された層である。多重量子井戸発光層には部分的にVピットが形成されており、Vピットの始点の平均的な位置は中間層内に位置する。 (もっと読む)


【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板と半導体膜との間に設けられ半導体膜と接する面で光反射面を形成する光反射層を含み、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極は、半導体膜との間でオーミック接触を形成する第1の電極片と、第1の電極片に電気的に接続された第2の電極片と、を含む。光反射層は、反射電極を含み、反射電極は半導体膜との間でオーミック接触を形成する第3の電極片と、第3の電極片に電気的に接続され且つ第2の電極片と対向するように配置された第4の電極片とを含む。第1の電極片と第3の電極片は、半導体膜の主面と平行な面に投影したときに互いに重ならないように配置される。第2の電極片と第4の電極片は、半導体膜との間でショットキー接触を形成して半導体膜の順方向電流を妨げる障壁を形成する。 (もっと読む)


【課題】実装性を向上可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置100において、リード12は、土台部121cを有する。土台部121cは、パッケージ10の底面10Cにおいて、第1及び第2端子部121b,122bの間であって第1及び第2端子部121b,122bよりも光出射面10A側で成形体11から露出する。 (もっと読む)


【課題】フォトルミネッセンスを用いることにより、発光素子を容易かつ迅速に識別するための発光素子の検査方法などを提供する。
【解決手段】検査工程は、発光素子1に通電を行わずに、通電により発光する波長(第1波長)より波長が短い光(第2波長の光)を励起光として照射する光照射工程(ステップ201)と、第2波長の光の照射により発光素子1が出射する光を検出する検出工程(ステップ202)と、発光素子1が出射する第1波長の光の強度に基づき、発光素子1の電流リークの状態を判別する判別工程(ステップ203)とを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】近接場光デバイスにおいて、エネルギー効率を高める。
【解決手段】近接場光デバイスは、基板(12)上に配置されており、量子ドット(16)を含み、基板により導かれる入射光をエネルギー源として量子ドットの光発生作用により近接場光(18)を発生可能な量子ドット層(13、14、15)を備える。近接場光デバイスは更に、量子ドット層上に配置されており、量子ドット層で発生された近接場光をエネルギー源として近接場光(65)を発生可能且つ外部へ出力可能な出力端(17)を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子チップを接合するマウント材の劣化を抑制する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光装置は、サファイア基板、活性領域、及び光遮断層が設けられる。活性領域は、サファイア基板上に設けられ、通電されてサファイア基板の厚み方向で発光する発光層を有する。光遮断層は、サファイア基板の裏面に設けられ、発光層で発生された光をサファイア基板の裏面側に透過するのを遮断し、サファイア基板が酸化アルミニウム(Al)に改質されてなる。 (もっと読む)


【課題】生産性を低下させず、小型の発光装置でも、実装の安定性の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光出射面11a、光出射面11aに連なる下面11c及び光出射面11aと反対側の背面を有する成形体11と、その一部が成形体11に埋設され、下面11cから突出し、光出射面11a又は背面のいずれか一方側に屈曲する端部12a、13aを有する一対のリード12、13とによって構成されたパッケージならびに一対のリード12、13の一方のリード12上に配置された発光素子を備えた発光装置であって、成形体11は、下面11cのリード12、13間において、光出射面11c側で突出する前突出部14aと、背面側で突出する後突出部14bとを有する発光装置。 (もっと読む)


【課題】1枚のウェハからより多くのチップを取得することができる高性能な発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】加熱したn型基板100上にIII族原料ガス及びV族原料ガスを供給し、n型基板100上に少なくともn型クラッド層5、活性層7、p型クラッド層9,11及びコンタクト層13からなるIII−V族半導体層2を積層する発光素子用エピタキシャルウェハ1において、III−V族半導体層2のいずれかの層に不可避不純物として混入するS(硫黄)の濃度を1.0×1015cm-3以下にすべく、その層の成長時の基板温度を620℃以上とし、かつV族原料ガスとIII族原料ガスの実流量比を130以上とした。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、発光素子の発する光が波長変換部材の全体に照射することが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光装置1であって、中央部Cが上方に突出した凸部2を有する基板3と、凸部2上に実装された発光素子3と、基板3上に凸部2の周囲を取り囲むように発光素子4の下端よりも低い位置まで設けられた透光性シート5と、基板3の周辺部Pに沿って発光素子4を取り囲むように設けられた枠体6と、枠体6内に設けられた、発光素子4の発する光を波長変換する蛍光体7を含有する、透光性シート5の屈折率よりも屈折率が小さい波長変換部材8とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】グラフェンの特性を生かしつつ、高耐圧デバイスや紫外発光・受光デバイスを実現する。
【解決手段】半導体デバイスを、2次元構造のグラフェン電極2、3と、グラフェン電極のグラフェン端に結合した2次元構造のボロンナイトライド半導体層5とを備えるものとする。 (もっと読む)


【課題】電気抵抗の低い貫通電極構造、または、放熱特性に優れた熱伝導路を有する電子機器用基板及びそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】基板1は、複数の貫通電極2及び柱状ヒートシンク3の少なくとも一方を有する。貫通電極2は、カーボンナノチューブを含有し、基板1に設けられたビア20を鋳型とする鋳込み成形体でなる。柱状ヒートシンク3は、基板に設けられたビア30を鋳型とする鋳込み成形体でなり、炭素原子構造体を含有する。 (もっと読む)


【課題】良好なPN接合を側面に有して、良好な電気的特性を有する半導体素子等を提供すること。
【解決手段】第1導電型の半導体コア11を覆うように第1導電型の半導体シェル12を形成する。また、第1導電型の半導体シェル12を覆うように第2導電型の半導体シェル13を形成する。 (もっと読む)


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