【課題】 発光素子アレイのボンディング部を樹脂などによってコーティングした場合であっても、樹脂などが発光素子の発光面に流れ出すことを抑制し、発光強度の低下を抑制できる発光素子アレイを提供する。
【解決手段】 基板２に、複数の発光素子３と、複数の電極パッド５とを有する発光素子アレイ１であって、複数の発光素子３は、基板２の一方主面に列状に配置され、複数の電極パッド５は、発光素子アレイ１の一方主面に、発光素子３の配列方向に沿って列状に配置され、複数の発光素子３の列と複数の電極パッド５の列との間における基板２の一方主面に、配列方向に沿った第１の凹部６ａを少なくとも１列有し、第１の凹部６ａの両端は、複数の発光素子３の列および複数の電極パッド５の列における両端よりも外側に位置する。 （もっと読む）

【課題】中間層の一部および支持基板の一部の少なくともいずれかが露出している複合基板であっても、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本複合基板の製造方法は、支持基板１０と、その主面の少なくとも一部上に配置された中間層２０と、その主面の少なくとも一部上に配置されたＩＩＩ族窒化物層３０ａとを含み、ＩＩＩ族窒化物層３０ａの主面と、中間層２０の主面の一部および支持基板１０の主面の一部の少なくともいずれかと、が露出している第１の複合基板１を準備する工程と、第１の複合基板１の中間層２０の露出部分を選択的にエッチングにより除去することにより第２の複合基板２を得る工程と、第２の複合基板２の支持基板１０の主面の露出部分を所定の深さまで選択的にエッチングにより除去することにより第３の複合基板３を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光の出射方向の違いによる配光色度のバラツキが小さい発光装置および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１上に載置された発光素子１０と、発光素子１０を被覆する封止部材３と、を備える発光装置１００であって、封止部材３は、蛍光体４と、複数の透明部材５とを含有し、透明部材５は、発光素子１０上に設けられ、各透明部材５の最大高さおよび最大幅のそれぞれが、蛍光体４の粒径の１倍を超え３倍未満であり、透明部材５の含有量が、封止部材３に対して１０〜７８体積％であり、透明部材５と蛍光体４との体積比率（透明部材量／蛍光体量）が０．２〜１０であり、蛍光体４は、発光素子１０からの発光経路の少なくとも一部に隙間を設けて配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光吸収の低減された発光ダイオード、製造方法、ランプ、照明装置を提供する。
【解決手段】基板１上に設けられた発光層２４を含む化合物半導体層１０と、基板１と化合物半導体層１０との間に設けられたオーミックコンタクト電極７と、化合物半導体層１０の基板１の反対側に設けられたオーミック電極１１と、オーミック電極１１の表面を覆うように設けられた枝部１２ｂと枝部１２ｂに連結されたパッド部１２ａとを含む表面電極１２と、発光層２４のうちパッド部１２ａと平面視で重なる領域に配置されたパッド下発光層２４ａと、パッド部１２ａと平面視で重なる領域を除く領域に配置された発光層２４との間に設けられ、パッド下発光層２４ａに供給される電流を妨げる電流遮断部１３とを備える発光ダイオード１００とする。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光サイリスタ１０は、ｐ型の半導体基板１２と、ｐ型の第１の半導体層１６と、量子井戸構造２０と、キャリアブロック調整層２４を含むｎ型の第２の半導体層２２と、ｐ型の第３の半導体層２６と、ｎ型の第４の半導体層２８と、半導体基板の裏面に形成された裏面電極３０と、第４の半導体層２８上に形成された上部電極３２と、ゲート電極３４とを有する。キャリアブロック調整層のバンドギャップは、正孔に対するエネルギーレベルが量子井戸構造のバリア層のエネルギーレベルよりも高くなるように調整される。 （もっと読む）

【課題】高出力化を図る発光素子アレイを提供する。
【解決手段】発光素子アレイは、ゲートに一定の電位が印加されたときアノードとカソード間で導通することが可能な３端子構造のシフト部サイリスタT1〜T6と、シフト部サイリスタT1〜T6から分離するように形成された発光ダイオードL1〜L6と、シフト部サイリスタT1〜T6のゲート間を結合する結合ダイオードD0〜D6とを有する。発光ダイオードＬ１〜Ｌ６のアノードは、対応するシフト部サイリスタT1〜T6のゲートに短絡され、発光ダイオードのカソードは、外部からの発光信号ラインΦＩ１またはΦＩ２に接続される。点弧されたシフト部サイリスタに接続された発光ダイオードは、発光信号ラインΦＩ１またはΦＩ２から供給される信号に応じて発光または非発光する。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、リードフレームと封止樹脂と間の剥離を抑制し、信頼性を向上させた発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る発光装置は、第１のリードと、発光素子と、第２のリードと、成型体と、を備える。前記第１のリードには、前記発光素子が固着される。前記第２のリードは、前記第１のリードから離間して設けられ、前記発光素子の電極に金属ワイヤを介して電気的に接続される。そして、前記成型体は、前記発光素子と、前記第１のリードの前記発光素子が固着された端部と、前記第２のリードの前記金属ワイヤがボンディングされた端部と、を覆う封止樹脂からなる。さらに、前記第２のリードの表面において、前記成型体の外縁に接する第１の部分と、前記金属ワイヤがボンディングされた第２の部分と、の間に、前記第１の部分から前記第２の部分に向かう方向に交差し、前記封止樹脂が充填された第１の溝が設けられる。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、光出力の駆動電流に対する線形性を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態は、ＧａＡｓ系化合物半導体を材料とし発光波長のピークが９５０ｎｍ〜９８０ｎｍの範囲にある発光素子であって、第１導電形の第１半導体層と、前記第１半導体層の上に設けられた第２導電形の第２半導体層と、を備える。さらに、前記第２半導体層の上に設けられた第１電極と、前記第１半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。そして、前記第２半導体層の平面視におけるチップ面積が、０．１５ｍｍ×０.１５ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高出力化を図る発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、半導体基板と、半導体基板上に形成された島Sn-1、Sn、Sn+1、Sn+2と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含む発光部サイリスタLn-1、Ln、Ln+1、Ln+2と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含むシフト部サイリスタTn-1、Tn、Tn+1、Tn+2と、当該島内に積層されたｐｎ接合の結合ダイオードの直下に形成された寄生サイリスタPTｎ、PTn+1、PTn+2、PTn+3と、当該島内に形成された電流狭窄層とを有する。電流狭窄層は、酸化領域と非酸化領域とを含み、寄生サイリスタのカソード層の直下には酸化領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】優れた発光効率を示すエレクトロルミネッセンス素子のパルス光の発光制御を効率よく行う。
【解決手段】順方向バイアス電圧に基づいて発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れかの層の表面形状及び／又はドーパント分布を変化させることを繰り返し、近接場光が発生した箇所では反転分布に基づき非断熱過程により複数段階で誘導放出させることが可能なＥＬ素子１と、コンデンサ４０とを互いに並列に接続し、これらに対して電源４１から電圧を印加し続けることにより、ＥＬ素子１からパルス光を発光させる。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子が列状に配列された発光素子アレイのそれぞれの発光素子にレンズを設けることにより、発光素子から取り出される光量の差を抑制した発光部品等を提供することを目的とする。
【解決手段】発光チップＣは、基板８０上に列状に配置された複数の発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８と、それぞれの発光サイリスタＬの光を出射する発光面３１１に対向してそれぞれ設けられ、発光サイリスタＬが出射する光を集光するとともに、それぞれの発光サイリスタＬに発光のための電流が供給される配線のφＩ端子からの抵抗値に対応して、光量を増加させる割合が設定された複数のレンズ９０を備えている。 （もっと読む）

【課題】従来構造よりも低コストで高輝度な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一導電型の半導体基板１上に、第一導電型のクラッド層２、アンドープ活性層３、第二導電型のクラッド層４からなる発光部１０１が積層された半導体発光素子１００において、発光部１０１の一部である第一導電型のクラッド層２中に、互いに組成が異なる２層の半導体層５ａ，５ｂを一対とする多層膜からなるクラッド側光反射層５が具備されたものである。 （もっと読む）

【課題】反射率の低下を防ぎ、高輝度発光が可能となる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板１上に順に、反射層６と、複数のオーミックコンタクト電極７が離間して埋設された透明膜８と、電流拡散層２５及び発光層２４を順に含む化合物半導体層１０とを具備する発光ダイオードであって、オーミックコンタクト電極７の基板１側の面の周縁部は透明膜８に覆われ、オーミックコンタクト電極７は反射層６及び電流拡散層２５に接触している、ことを特徴とする （もっと読む）

【課題】発光効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光サイリスタ１０は、ｐ型の半導体基板１２と、ｐ型の半導体多層膜反射鏡１６と、ｐ型の第１の半導体層１８と、ｎ型の第２の半導体層２０と、ｐ型の第３の半導体層２２と、ｎ型の第４の半導体層２４と、半導体基板１２の裏面に形成された裏面電極３０と、第４の半導体層２４上に形成された上部電極３２とを有し、半導体多層膜反射鏡１６は、選択的に酸化された酸化ＤＢＲ１６Ａと、これに隣接する導電ＤＢＲ１６Ｂとを含み、酸化ＤＢＲ１６Ａは、半導体基板による光の吸収を抑制し、導電ＤＢＲ１６Ｂは、半導体基板１２と第１の半導体層１８とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子が列状に配列された発光素子アレイのそれぞれの発光素子の発光面に設けたレンズにより、効率よく光を取り出すことのできる発光部品等を提供する。
【解決手段】第１アイランド３０１には、発光サイリスタＬ１が設けられている。発光サイリスタＬ１の発光面３１１上には、発光面３１１から遠ざかるにしたがい狭まりながら傾斜するとともに、発光面３１１から遠い側に凸状となった曲面部９２ｂと、曲面部９２ｂの発光面３１１から遠い側に曲面部９２ｂとつながった平面部９２ａとを備えたレンズ９２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子チップを接合するマウント材の劣化を抑制する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光装置は、サファイア基板、活性領域、及び光遮断層が設けられる。活性領域は、サファイア基板上に設けられ、通電されてサファイア基板の厚み方向で発光する発光層を有する。光遮断層は、サファイア基板の裏面に設けられ、発光層で発生された光をサファイア基板の裏面側に透過するのを遮断し、サファイア基板が酸化アルミニウム（Ａｌ_ｘＯ_ｙ）に改質されてなる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤのサイズを変えることなく発光サイズを小さくすることができ、また発光サイズを任意に切り替えることが可能となるＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子であって、
基板上に、キャリヤ制御層、下部電流閉じ込め層、活性層、上部電流閉じ込め層がこの順で積層された積層構造を備え、
ｐ型電極が前記上部電流閉じ込め層上に設けられ、
前記基板の面内方向において、２つのｎ型電極が前記ｐ型電極を挟むようにして前記キャリヤ制御層に配設され、
前記ｐ型電極と前記２つのｎ型電極のいずれか一方のｎ型電極間に通電することにより、ＬＥＤ発光面の通電したｎ型電極側を発光させる一方、
前記ｐ型電極と前記２つのｎ型電極間に同時に通電することにより、ＬＥＤ発光面の全面を発光させるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】１枚のウェハからより多くのチップを取得することができる高性能な発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】加熱したｎ型基板１００上にIII族原料ガス及びＶ族原料ガスを供給し、ｎ型基板１００上に少なくともｎ型クラッド層５、活性層７、ｐ型クラッド層９，１１及びコンタクト層１３からなるIII−Ｖ族半導体層２を積層する発光素子用エピタキシャルウェハ１において、III−Ｖ族半導体層２のいずれかの層に不可避不純物として混入するＳ（硫黄）の濃度を１．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下にすべく、その層の成長時の基板温度を６２０℃以上とし、かつＶ族原料ガスとIII族原料ガスの実流量比を１３０以上とした。 （もっと読む）

【課題】半導体層を積層して形成された同一層構成の積層面に、発光素子と受光素子とが配設された半導体光集積素子を構成するに当たり、発光素子の動作時には動作電流の増大による発熱や余計な発光を抑えることができ、受光素子の動作時には光の吸収効率を高くする半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】基板上に第１の導電型の第１のクラッド層、活性層、及び、第２の導電型の第２のクラッド層を少なくとも含んで積層されてなる発光素子、及び、受光素子が、同一基板上の面内に配置されて成る半導体光集積素子において、
活性層は、導電型の第２の活性領域と、アンドープの第１の活性領域とが積層された構造を備え、
第２の活性領域が、第２の活性領域に対し最も近い位置に積層されている第１もしくは第２のクラッド層と同じ導電型とされている。 （もっと読む）