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Fターム[5F041CA38]の内容

発光ダイオード (162,814) | LED形式 (36,241) | LED材料 (12,490) | 母体材料 (10,878) | 3−5族 (8,958) | GaAsP (58)

Fターム[5F041CA38]に分類される特許

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【課題】 製品寿命を良好に維持することが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光装置1であって、基板2と、基板2上に設けられた発光素子3と、基板2上に設けられた、発光素子3を取り囲む多孔質材料からなる枠体4と、枠体4の内周面4aから上面を経て枠体4の外周面4bにかけて連続して設けられた透光性の封止層5と、枠体4の下面であって内周面4aと外周面4bの間に設けられた接合部材6と、枠体4の内部には、封止層5と接合部材6で囲まれる領域に閉じ込められるように設けられた空隙部7とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子チップを接合するマウント材の劣化を抑制する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光装置は、サファイア基板、活性領域、及び光遮断層が設けられる。活性領域は、サファイア基板上に設けられ、通電されてサファイア基板の厚み方向で発光する発光層を有する。光遮断層は、サファイア基板の裏面に設けられ、発光層で発生された光をサファイア基板の裏面側に透過するのを遮断し、サファイア基板が酸化アルミニウム(Al)に改質されてなる。 (もっと読む)


【課題】 色温度の分布を平均させ、ハレーション現象を抑制することが可能な発光ダイオードのパッケージング構造を提供する。
【解決手段】 白色発光ダイオードのパッケージング構造が備えるパッケージコロイド17は、有機樹脂材料および蛍光体粉末から構成される。有機樹脂材料は屈折率が1.40以上であり、粘性係数が少なくとも60Kgf・s/m2以上である。パッケージコロイド17を製作する際、高速撹拌脱泡ミキサーによって有機樹脂材料および蛍光体粉末を混合させ、パッケージコロイド17内に蛍光体粉末を均一に分布させる。パッケージコロイド17はディスペンサーによって発光ダイオードチップ13に被さるように基板11に配置される。これにより、色温度の分布を平均させ、ハレーション現象を抑制し、光の品質をより良好にすることができる。 (もっと読む)


【課題】良好なレンズ形状のレンズを形成でき、更にレンズの耐熱性を高めることができる光半導体装置用レンズ材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、下記式(1)で表され、かつ珪素原子に結合したアルケニル基を有する第1のオルガノポリシロキサン(但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く)と、下記式(51)で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第2のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含む。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したアリール基の含有比率はそれぞれ5モル%以下である。
【化1】
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【課題】低抵抗で十分な発光強度が得られる発光素子を提供する。
【解決手段】この発光素子100は、n型GaN半導体基部113と、n型GaN半導体基部113上に立設状態で互いに間隔を隔てて形成された複数のn型GaN棒状半導体121と、n型GaN棒状半導体121を覆うp型GaN半導体層123とを備えた。n型GaN棒状半導体121は棒状半導体121にn型を与える不純物量を増やすことにより容易に低抵抗化できる。それゆえ、n型GaN棒状半導体121の長さを長くしても、n型GaN棒状半導体121の抵抗の増大が抑えられ、n型GaN棒状半導体121の根元部から先端部にわたって一様に発光させることができる。 (もっと読む)


【課題】特殊な技術を用いることなく、LEDの光取り出し面を構成する半導体膜の表面を、効率よくエッチングして粗面化(凹凸化)することが可能なエッチング液組成物および該エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】無機酸と、金属化合物とを含む組成とする。
さらに、有機酸、有機酸塩、無機酸塩、界面活性剤のいずれかを含む組成とする。
さらに、無機酸として、塩酸、リン酸、硫酸、硝酸のいずれかを含む組成とする。
また、金属化合物として、鉄系化合物を用いる。
有機酸および有機酸塩として、モノカルボン酸、ポリカルボン酸、オキシカルボン酸、ホスホン酸、スルホン酸およびその塩からなる群より選ばれる少なくとも1種を用いる。
本発明のエッチング液組成物を用いて、AlGaInP膜、AlGaAs膜、GaAsP膜のいずれか半導体膜をエッチングし、表面を粗面化する。 (もっと読む)


【課題】本発明は光電素子を提供する。
【解決手段】光電素子であって、基板と、基板に位置し、それぞれ第一半導体層、第二半導体層及びその間に形成された活性領域を有し、相互電気的に接続されている複数の半導体ユニットと、それぞれ第一半導体層に位置する複数の第一電極と、この複数の半導体ユニットに形成されて複数の半導体ユニットを電気的に直列につなぐ連結部と、それぞれ第二半導体層に位置する複数の第二電極と、を含み、複数の第一電極の中の一つは第一延在部を有し、複数の第二電極の中の一つは第二延在部を有する。 (もっと読む)


【課題】高い特性を維持するとともに、コストを低減できるAlGaAs基板、赤外LED用のエピタキシャルウエハおよび赤外LEDを提供する
【解決手段】本発明のAlGaAs基板10は、主表面11aと、主表面11aと反対側の裏面11bとを有するAlxGa(1-x)As層(0≦x≦1)と、裏面11bに形成されたGaAs基板13とを備える。AlxGa(1-x)As層において、主表面11aのAlの組成比xは、裏面11bのAlの組成比xよりも低い。GaAs基板13は、5×1016cm-3以上2×1018cm-3以下のn型キャリア濃度または5×1018cm-3以上3×1019cm-3以下のp型キャリア濃度を有する。 (もっと読む)


【課題】 複数色を適切に混色させて出射可能であり、かつ小型化を図ることが可能なLEDモジュールを提供すること。
【解決手段】 LEDチップ21,22,23と、LEDチップ21,22,23が搭載されるボンディング部31a,32a,33a、および面実装するための実装端子面31d,32d,33dを有するリード31,32,33と、リード31,32,33の一部ずつを覆うケース10と、を備えており、LEDチップ21,22,23から発せられた光が、実装端子面31d,32d,33dが広がる方向に沿って出射されるLEDモジュールAであって、互いに離間配置されたLEDチップ21,22と、LEDチップ21,22が離間する方向において、LEDチップ21,22の間に位置しており、かつ、LEDチップ21,22を結ぶ直線から離間した位置にあるLEDチップ23と、を備える。 (もっと読む)


【課題】放熱性等に優れた表示パネルと、これを用いた投射型表示装置を実現する。
【解決手段】表示パネルは、実装基板10に熱伝導層12で覆われた複数のビアホール11が形成され、その実装基板10上に下地基板20が実装され、更に、無機材料からなる積層薄膜のLEDアレイ30が接合され、このLEDアレイ30を半導体プロセスで素子分離することによって得られた2次元マトリクス状に配置された複数のLED31を有している。複数のLED31は、下地基板20上に搭載されたアノードドライバIC及びカソードドライバICにより、選択的に駆動される。そのため、構造が簡単で、組み立て時に破損することが無く、小型化が可能で、且つ放熱性に優れた表示パネル3と、これを用いた投射型表示装置を実現できる。 (もっと読む)


【課題】高い演色性や優れた色再現性を得つつ、高い輝度を確保できるカラー液晶表示装置を提供する
【解決手段】液晶表示装置は、カラー液晶表示パネルと、緑色光を照射する光源を有しかつ前記液晶表示パネルの裏側に配されているバックライト5とを備え、光源は、例えば蛍光ランプ31である。この蛍光ランプ31から前記光源から発せられる緑色光のピーク波長をLgp[nm]とし、蛍光ランプ31から前記カラー液晶表示パネルの表示画面までの間に配された光学部材における緑色光の透過率が最大となる波長をFgp[nm]とし、視感度曲線が最大となる波長をVp[nm]としたときに、Fgp < Lgp、Fgp < VpおよびVp−7 ≦ Lgp ≦ Vp+16の関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】大発光量、高発光効率、均一面発光を実現し得るコストの安価な発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置、ディスプレイ及び信号灯を提供する。
【解決手段】半導体発光層2は基板1の一面上に積層されている。半導体発光層2に電気エネルギーを供給する電極411〜414は、基板を貫通し半導体発光層2に到達する微細孔511〜514内に充填された導体によって構成されている。 (もっと読む)


【課題】AlGaAs/InGaP界面の遷移層の形成を抑制する。
【解決手段】ヒ素化合物からなる第2半導体と、リン化合物からなる第3半導体とを含み、前記第2半導体と前記第3半導体とが接触しており、前記第2半導体が第1原子を第2濃度で含有し、かつ第2原子を含有し、前記第1原子が前記第2半導体に第1伝導型のキャリアを発生させ、前記第2濃度が、前記第2半導体にドープする前記第1原子の量を増加するに従い増加するキャリア数が飽和し始める前記第1原子の濃度以上の濃度であり、前記第2原子が前記第2半導体におけるフェルミ準位と電荷中性準位との差を小さくする半導体基板提供する。 (もっと読む)


【課題】光が外部に放出される領域を略同一とすることが可能なLEDアレイを提供する。
【解決手段】複数の発光部1A〜1Jを半導体基板上に配置したLEDアレイであって、複数の発光部1A〜1Jを、LEDアレイの一方の端部から他方の端部へLEDアレイの長手方向と垂直な方向に交互に配置させ、奇数番目の発光部(1A、1C、1E、1G、1I)の一端を電極(2A、2C、2E、2G、2I)を介して一方のドライバICと接続させると共に他端をダミー電極(3A、3C,3E、3G、3I)と接続させ、偶数番目の発光部(1B、1D、1F、1H、1J)の一端を電極(2B、2D,2F、2H、2J)を介して他方のドライバICと接続させると共に他端をダミー電極(3B、3D、3F、3H、3J)と接続させ、夫々の発光部(1A〜1J)は、ダミー電極(3A〜3J)が接続されている領域よりもドライバICが接続されている領域の方を広くした。 (もっと読む)


【課題】発光ダイオード組み立て時のワイヤーボンディング工程においてクレータリングの発生を低減することができ、よって歩留りを向上させることができるエピタキシャルウェーハ及び発光ダイオードを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたn型層および該n型層上にp型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記n型層および前記p型層はGaAsPまたはGaPであり、前記p型層は少なくとも第1p型層と、該第1p型層より上にありキャリア濃度が高い第2p型層とを有し、更に、前記n型層と前記第1p型層との間にp型キャリア濃度が漸増する第1p型キャリア濃度増加層と、前記第1p型層と前記第2p型層との間にp型キャリア濃度が漸増する第2p型キャリア濃度増加層を有するものであることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 (もっと読む)


デバイスは、n型領域とp型領域との間に配置された少なくとも1つのIII−P発光層を有する半導体構造を含む。該半導体構造は更に、x<0.45であるGaAs1−xのpコンタクト層を含んでいる。第1のメタルコンタクトが、前記GaAs1−xのpコンタクト層と直接的に接触する。第2のメタルコンタクトが前記n型領域に電気的に接続される。第1及び第2の金属コンタクトは、前記半導体構造の同一面に形成される。
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向上された効果で2端子半導体素子から光放射を生産ための方法は、以下の、少なくとも1つのドレイン層を備える半導体ドレイン領域、前記ドレイン領域上に配置され、少なくとも1つのベース層を含む半導体ベース領域、および前記ベース領域の部分上に配置され、少なくとも1つのエミッタ層を含むエミッタメサを備える半導体エミッタ領域を含む層構造の半導体構造を提供する、前記ベース領域上に量子サイズ効果を示す少なくとも1つの領域を提供する、前記ベース領域の露出した表面上に第1の部分と、前記ドレイン領域と連結されたさらなる部分とを有するベース/ドレイン電極を提供し、前記エミッタ領域の表面上にエミッタ電極を提供する、前記ベース領域から光放射を得るため前記ベース/ドレインおよびエミッタ電極に対して信号を印加する、これらの領域の間で電圧分布の実質的な一様性のため、前記ベース/ドレインおよびエミッタ電極を構成するステップを有する。さらなる実施形態の中で、側面の大きさの拡大縮小は高周波数動作のため、素子の速度を制御するために使用される。 (もっと読む)


【課題】 交流駆動型発光装置を提供する。
【解決手段】 交流駆動型発光装置において、リードフレームと、少なくとも一つの主要な発光ダイオードチップと、少なくとも一つの補償回路とを含む。該主要な発光ダイオードチップは少なくとも両組の発光グループを有し、交流電源の正負波により駆動される時、順次に発光される。該補償回路は、もう一組のブリッジ接続手段の発光ダイオードチップから構成されるものであり、該発光装置の主要な発光ダイオードチップの稼働電圧と演色性に基づいて、分離式配置を採用することにより、電圧補償と演色効果の高めることを達成し、発光効率を向上する効果も達成できる。 (もっと読む)


【課題】更なる光出力の向上と良好なオーミック電極の形成を可能にする最適なp型層の構造を有するエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたn型層および該n型層上にp型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記n型層および前記p型層はGaAsPまたはGaPであり、前記p型層は少なくとも第1p型層と該第1p型層より上に第2p型層とを有し、前記第1p型層のキャリア濃度は5×1016〜3×1017/cm、前記第2p型層のキャリア濃度は7×1018〜3×1019/cmであり、かつ前記n型層および前記p型層のシリコン濃度は1×1014〜1.5×1015/cmであることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 (もっと読む)


【課題】無機材料で形成されたLED薄膜を金属基板上に一体化してドットマトリクス配置にすることによって、高輝度で寿命が長く、かつ、構造が簡単で、組み立て時に破損することがなく、小型化することができるようにする。
【解決手段】ヘッドアップディスプレイ装置に使用される光源装置であって、金属基板と、金属基板上に形成された平坦化膜と、平坦化膜上に形成された反射膜と、反射膜に分子間力により接合されている二次元状に配列された複数のLED薄膜と、LED薄膜の第1の電極に接続された複数の第1配線と、LED薄膜の第1の電極に接続され、第1配線と略直交する複数の第2配線と、複数のLED薄膜のうち第1の方向に配列されたLED薄膜を選択的に駆動する第1の駆動素子と、複数のLED薄膜のうち第1の方向と直交する第2の方向に配列されたLED薄膜を選択的に駆動する第2の駆動素子とを有する。 (もっと読む)


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