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【課題】生産効率に優れたIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板として30ppm以上の不純物を含有する単結晶基板を用意し、この単結晶基板の主面の上に接して、III族窒化物半導体からなる中間層をスパッタリング法により積層させ、次いで前記中間層を覆うように積層半導体層を形成する素子形成工程と、単結晶基板を複数のチップに分割するための切断予定ラインに沿って、単結晶基板の不純物準位に対して光励起を起こさせる波長を有するレーザを前記単結晶基板の内部に集光することにより、単結晶基板の内部に加工痕を設けるレーザ加工工程と、加工痕及び前記切断予定ラインに沿って単結晶基板を分割することにより、複数のチップとする分割工程と、を具備してなるIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】Ga基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体及びその製造方法、並びにその結晶積層構造体を含む低電圧駆動の半導体素子を提供する。
【解決手段】一実施の形態においては、Ga基板2と、Ga基板2上のAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなるバッファ層3と、バッファ層3上の、AlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなる窒化物半導体層4と、を含み、Ga基板2の表面の窒化物半導体層4の直下の領域をバッファ層3が被覆する割合が10%以上、100%未満であり、窒化物半導体層4の一部がGa基板2の表面に接触する、結晶積層構造体1を提供する。 (もっと読む)


【課題】発光素子と、蛍光体を含む波長変換層との組み合わせにより所望の発光色の混合光を得る半導体発光装置において、発光素子の発光面内における不均一な輝度分布または不均一な発光波長分布に起因する混合光における色ムラを抑制することができる半導体発光装置、およびこのような半導体発光装置を備えた車両用灯具を提供する。
【解決手段】半導体発光素子1は、発光動作時における発光層内の電流密度に不均一性を有する。波長変換層60s,60lは、発光動作時における発光層内の電流密度の不均一性に起因する光取り出し面内における混合光の色度差を減じるように、半導体発光素子の発光動作時の電流密度が相対的に高い領域を覆う部分と電流密度が相対的に低い領域を覆う部分で異なる波長変換特性を有する。 (もっと読む)


【課題】フリップチップタイプの発光素子の発光効率を向上させながら、発光素子パッケージに実装したときの安定性及び信頼性が確保される発光素子を提供すること。
【解決手段】支持部材と、支持部材上に配置された第1の半導体層、第2の半導体層、及び第1の半導体層と第2の半導体層との間に介在する活性層を有する発光構造物と、第1の半導体層の第1の領域が露出し、第1の領域の第1の半導体層上に配置された第1の電極と、第2の半導体層上に配置された第2の電極と、少なくとも第1の電極と発光構造物との間に配置された絶縁層とを備え、第1の半導体層と第2の半導体層は互いに異なる導電性半導体層であって、活性層は、少なくとも一対の井戸層及び障壁層を有し、井戸層は障壁層より小さいバンドギャップを有し、第1の電極は、上面の面積が第2の半導体層の面積に対比して40%〜99%の面積を有する発光素子を構成する。 (もっと読む)


【課題】p型ZnO系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体層の製造方法は、(a)下地層上方に、Zn、必要に応じてMg、O、N、及びTeを供給して、NとTeが共ドープされたMgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜を形成する工程と(b)MgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜上に、Zn及びMgの少なくとも一方、Te、及びNを供給して、NがドープされたMgZn1−yTe(0≦y≦1)単結晶膜を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】WSを主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Hf,Re,Ta,W,Nb,Zr,V,Al,In,Sn,Ga,Zn,Si,Ge,Mn,Ni,Fe,Co,Cu,Ag,Y,Sc,Mg,Caからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で0.1〜10.0wt%含有し、残部がWSおよび不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 (もっと読む)


【課題】光透過率が高く、かつ電極との接触抵抗が低いβ−Ga系基板、そのβ−Ga系基板を含むLED素子、及びLED素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ドナー含有β−Ga系単結晶からなる低ドナー濃度層2aと、低ドナー濃度層2a上に積層された、ドナー含有β−Ga系単結晶からなる、第1電極3を接続するための高ドナー濃度層2bとを含むβ−Ga系基板2を提供する。高ドナー濃度層2bは、厚さが1μm以下であり、低ドナー濃度層2aよりも薄く、低ドナー濃度層2aよりもドナー濃度が高い。 (もっと読む)


【課題】
従来に比較して順方向電圧を低くできる窒化物半導体素子を提供する。
【課題手段】SiがドープされたGaNからなるn側コンタクト層を含むn側窒化物半導体層と活性層とp側窒化物半導体層とを備え、n側窒化物半導体層にn側コンタクト層よりSi不純物濃度の高いAlxGa1−xN(1>x>0)層を有する。 (もっと読む)


【課題】優れた発光効率を示すエレクトロルミネッセンス素子のパルス光の発光制御を効率よく行う。
【解決手段】順方向バイアス電圧に基づいて発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れかの層の表面形状及び/又はドーパント分布を変化させることを繰り返し、近接場光が発生した箇所では反転分布に基づき非断熱過程により複数段階で誘導放出させることが可能なEL素子1と、コンデンサ40とを互いに並列に接続し、これらに対して電源41から電圧を印加し続けることにより、EL素子1からパルス光を発光させる。 (もっと読む)


【課題】紫外線発光材料のZnO薄膜のバッファ層として化学溶液析出法(CBD法)によって形成したZnO膜を配設する事により、緑色発光を抑制し紫外域で強い発光を示す紫外発光素子を提供する。
【解決手段】低融点のガラス基板1上に、透明導電膜(ITO膜)2を配設した後、化学溶液析出法(CBD法)によってZnO膜3を形成する。さらにZnO膜3の上に、気相法(EB蒸着法)によりZnO層4を形成することによって、紫外発光素子を作製する。 (もっと読む)


【課題】工程安全性が向上して電気的に連結された複数の発光セルを含む発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】発光素子は、支持基板と、前記支持基板上に配置された、第1導電型の第1半導体層11、前記第1半導体層の下の第1活性層12、前記第1活性層の下の第2導電型の第2半導体層13を有する第1発光構造物10と、前記第1発光構造物の下の第1金属層と、前記支持基板上に配置された、第1導電型の第3半導体層、前記第3半導体層の下の第2活性層、前記第2活性層の下の第2導電型の第4半導体層を有する第2発光構造物と、前記第2発光構造物の下の第2金属層と、前記第1半導体層の側面に接触して、前記第2金属層と電気的に連結されたコンタクト部とを備える。 (もっと読む)


【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、pコンタクト層とITO電極とのコンタクト抵抗を低減すること。
【解決手段】III 族窒化物半導体発光素子は、pコンタクト層15上にAlGaNからなるドット状構造体16を有し、pコンタクト層15上およびドット状構造体16上にITO電極17が形成されている。ドット状構造体16は、pコンタクト層15表面にドット状のAlGaNが点在した構造である。ドット状構造体16のAlが酸素と結合するため、pコンタクト層15とITO電極17との界面に酸素が増加する。その結果、pコンタクト層15とITO電極17とのコンタクト抵抗が低減される。 (もっと読む)


【課題】比較的簡便な方法で製造でき、素子の形態に制約を受けず、十分な紫外発光強度を発揮することが可能な発光素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】p型半導体であるCuSCN膜6と、ZnOを主成分とし、副成分として、少なくともAl、Ga、Inから選ばれた一種類以上とPとを含む紫外発光材料(n型ZnO焼結体)5を電析法で接合する製造方法を経ることで、発光素子とする。 (もっと読む)


【課題】凹凸パターン加工の制御性、再現性を向上させること。
【解決手段】サファイア基板10表面に周期0.1〜1μmのドット状の凹凸パターンを形成する。次に、サファイア基板10上にAlNからなるバッファ層11を形成し、バッファ層11上にn型層12、発光層13、p型層14を積層する。次に、p型層14上にp電極15を形成し、低融点金属層16を介してp電極15と支持基板17とを接合する。次に、レーザーリフトオフによりサファイア基板10とバッファ層11を除去する。n型層12のサファイア基板10除去側には、サファイア基板10に設けられた凹凸パターン20が転写され、凹凸パターン19が形成される。ここで、バッファ層11としてAlNを用いているため、再現性、制御性よく微細な凹凸パターン19を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】 発光特性の異なる発光素子同士を共通の基板上に実装させた際に、それぞれの発光素子の特性を十分に引き出すことが可能な樹脂体で封止することによって、全体としてバランスよく且つ演色性に富んだ発光を得ることのできるLEDパッケージを提供することである。
【解決手段】 基板12と、該基板12上に隣接して実装される少なくとも1つの青色発光素子13及び赤色発光素子14と、該青色発光素子13及び赤色発光素子14を封止する樹脂体とを備えたLEDパッケージ11において、前記樹脂体は、前記青色発光素子13の上面13bより高く、且つ前記赤色発光素子14の上部に形成されるPNジャンクション14aより低い位置に上面が設定される蛍光体含有樹脂15と、この蛍光体含有樹脂15の上に設けられ、前記赤色発光素子14のPNジャンクション14aより高い位置に上面が設定される拡散剤含有樹脂16とを備えた。 (もっと読む)


【課題】低温でも良好に薄膜形成できるp型ZnO系半導体材料を提供する。
【解決手段】
ZnOとNiOの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることにより、Zn1-xNiO薄膜を基板上に形成する。Zn1-xNixO(xは、ZnとNiの合計モル数に対するNiモル数の比率である)は、ZnOとNiOとが混合した酸化物であり、xの値は0.65以下に設定してZnOに対する価電子帯トップのオフセット量を1eV以内に抑えることが好ましく、xの値は小さい方が好ましい。一方、電気伝導タイプをp型とし、電気抵抗を低く抑えることを考慮すると、Zn1-XNiXOにおけるXの値は0.13以上であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】複数の半導体を破損することなく効率的に基板上に実装する方法の提供。
【解決手段】第1基板の上に犠牲層を介して形成された半導体層を第2基板に移設して半導体装置を製造する方法であって、第1の粘着面に移設用基板が接合された両面粘着材の第2の粘着面を前記半導体層の上に接合する工程と、エッチングを行って前記犠牲層を除去することにより、前記第1基板から前記両面粘着材に接合された前記半導体層を分離し、前記分離された前記半導体層を第2基板に接着剤を介して接合する工程と、前記両面粘着材から前記移設用基板を分離し、その後、前記半導体層から前記両面粘着材を剥離する工程とを含み、前記第1の粘着面における粘着力は、前記第2の粘着面における粘着力よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】発光効率を向上させることができる発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、導電型基板と、前記導電型基板上に配置され、第1半導体層、第2半導体層、及び前記第1半導体層と前記第2半導体層との間の活性層を有する複数の発光セルと、前記第1半導体層の側面及び前記活性層の側面を覆うように配置される保護層と、一つ以上の前記発光セルの前記第2半導体層を相互接続させる第1電極とを備え、前記保護層は、前記第1半導体層の側面及び前記活性層の側面から前記発光セルのそれぞれの内部に延在する突出部を有する。 (もっと読む)


【課題】
結晶膜のCVD装置において、成長させる基板数を多くしたい。特に有機金属原料から成長させるGaNなどのバンドギャップの大きい化合物半導体の結晶成長CVD装置において、その要求が強い。
【解決手段】
中心に排気シリンダーを備えたサセプタを積層させ、当該サセプタに基板を載せて、加熱したサセプタの間にCVDの原料ガスを通す。ガスの消費効率を向上させるとともに積層させたサセプタに枚数に比例して一度に成長させる基板の枚数が増える。 (もっと読む)


【課題】放熱性を高め光取り出し効率を改善する半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第1電極と、第2電極と、誘電体部と、パッド電極と、を備える。積層構造体は、第1半導体層、第2半導体層及び発光層を含む。積層構造体は、第2半導体層側の表面から第1半導体層に到達する凹部を有する。第1電極は、凹部内において第1半導体層に接する接触部と、引き出し部とを有する。第2電極は第2半導体層と接し光反射する。誘電体部は接触部を覆い凹部内に埋め込まれる。誘電体部は、第1電極と第2電極との間、及び、第1半導体層と第2電極との間を電気的に絶縁する。パッド電極は引き出し部と電気的に接続される。第1半導体層から第2半導体層へ向かう積層方向にみたときに発光層と重なる第2電極の領域の面積は、接触部の第1半導体層との接触面積よりも大きい。 (もっと読む)


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