【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】ｐｎ接合型のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第１の導電型とは逆の導電性を示す第２の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第１のインジウム組成を有する第１の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第１のインジウム組成より小さい組成の第２のインジウム組成を有する第２の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層と第２の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第１の窒化ガリウム・インジウム層及び第２の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光学特性を向上可能な化合物半導体層構造の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体層２上に、化合物半導体層３Ａ，３Ｂを順次成長させる。ここで、化合物半導体層２はＡｌＮ、化合物半導体層３Ａ，３ＢはＡｌＧａＮからなるが、化合物半導体層３Ａを通常のＭＯＶＰＥ法で成長させると、Ａｌ組成比が目的の値よりも小さくなってしまう。そこで、化合物半導体層３Ｂを成長させるときのＡｌ組成比を決定する製造条件よりも、化合物半導体層３Ａを成長させるときの製造条件の方が、この条件で化合物半導体層３Ｂを形成する場合には、Ａｌ組成比が高くなる条件に設定されている。 （もっと読む）

【課題】外部量子効率を維持しつつ、n-コンタクト層とn側電極との間で生じる接触抵抗を有効に低減させた窒化物半導体発光素子およびこのような窒化物半導体発光素子を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】n型積層体、発光層およびp型積層体を具える半導体積層体、ならびに、n側電極およびp側電極を具える窒化物半導体発光素子において、前記n型積層体が、Al_xGa_1-xN材料（但し、0.7≦x≦1.0）からなるn-コンタクト層および該n-コンタクト層上に設けられたn-クラッド層を有し、前記発光層側に一部露出した前記n-コンタクト層上に、Al_yGa_1-yN材料（但し、0≦y≦0.5）からなる中間層を具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い発光強度を有すると共に電流注入型として好適なエルビウム添加酸化スズ発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子２０は、酸化スズ（ＳｎＯ_２）とエルビウム（Ｅｒ）を含む発光層１２に、ｐ型電流注入層２１が設けられた構造を有している。エルビウム原子が光学的に活性化することで、特に波長１．５μｍ付近の発光強度が増加する。ｐ型電流注入層２１は発光層１２と同等のバンドギャップを有する材料で構成されており、量子効率の向上、動作電圧の低減、長寿命化につながり、電流注入型酸化物発光素子の実現を可能とする。これにより、集禎回路内への発光素子の実装が容易となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、放射線を生じさせるのに用いる活性層（ａｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）、ｐ型導電層、透明導電層（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ， ＴＣＬ）、そして非ｐ型オーミック（ｏｈｍｉｃ）接触層を含む、放射線を発する半導体素子を提供する。
【解決手段】 ｐ型導電層は活性層上に形成し、透明導電層はｐ型導電層上に形成し、非ｐ型オーミック接触層はｐ型導電層と透明導電層の間に位置する。この非ｐ型オーミック接触層は、放射線を発する半導体素子の操作電圧を下げるのに用いられる。その他、本発明が提供する非ｐ型オーミック層はＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎ４元合金であり、上述の４元合金が含むアルミニウム成分は、非ｐ型オーミック接触層のバンドギャップを活性層より大きくし、これによって非ｐ型オーミック接触層の吸光効果を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系超格子と超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。またＩｎ_XＧａ_1-XＮとＩｎ_YＧａ_1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ならびにＸはＹに等しくない）の少なくとも２つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＳ薄膜へのＡｌのドーピングでみられる自己補償効果を抑制し、再現性の高い低抵抗ｎ型ＺｎＳ薄膜を提供する。
【解決手段】ＺｎＳ結晶中のＡｌ濃度をＮ濃度よりも高くし、ＡｌとＮが互いに第１近接格子点位置に配置されることで、ｎ型ドーパントとして機能するＡｌとＮの複合体を形成する。ＡｌとＮの複合体形成の方が、Ａｌ単独ドーピングに伴う自己補償に比べてエネルギー利得が大きくなるため、ＺｎＳ結晶中でｎ型ドーパントが安定化し、自己補償の抑制効果やｎ型ドーパントの濃度増大効果が生まれ、キャリア濃度増大と共に安定したＺｎＳ薄膜の低抵抗化が可能になる。 （もっと読む）

【課題】より高輝度の半導体発光素子、その製造に使用する自立基板、及びより簡便な方法で下地基板から独立した自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】自立基板、その製造方法及び半導体発光素子を提供する。自立基板は、半導体層と無機粒子を含み、かつ無機粒子は半導体層に含まれる。自立基板の製造方法は、次の工程(a)〜(c)をこの順に含む。(a)基板上に無機粒子を配置する工程、(b)半導体層を成長させる工程、(c)半導体層と基板を分離する工程。半導体発光素子は、前記の自立基板、伝導層、発光層及び電極を含む。 （もっと読む）

分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）、ｎ型ドーピング層、およびｐ型基板構造を備える、高効率のシリコンベースの発光ダイオード（ＬＥＤ）について開示する。シリコンベースのＬＥＤは、ｐ型メサ基板構造を有する基板、基板上に形成された活性層であって、第１面および第１面に対向する第２面を有する活性層、活性層の第１面に対向する第１反射層、ｐ型基板構造のいずれかの面に位置付けられ、活性層の第２面に対向する第２反射層、活性層と第１反射層との間に挟まれたｎ型ドーピング層、ｎ型ドーピング層に電気的に接続された第１電極、およびｐ型基板構造に電気的に接続された第２電極を備える。
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【課題】本発明は、窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体発光素子は、第１窒化物半導体層（Ｓｉ−Ｉｎ ｃｏ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層）８と、前記第１窒化物半導体層８上に形成されたＡｌがドーピングされた第１窒化物半導体バッファ層（Ａｌ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮバッファ層）１０と、前記第１窒化物半導体バッファ層１０上に形成された活性層１２と、前記活性層１２上に形成された第２窒化物半導体層（ｐ−ＧａＮ層）１４と、を含む。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐電圧の信頼性（通電時の経時的安定性）に優れた半導体発光素子の製造方法を提供し、更には、それに伴って生ずる電流分散特性の低下を補う為の対策を有した半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に、ＭＯＶＰＥ法によって、少なくとも活性層５をそれぞれ異なる導電性を示すクラッド層４、６で挟んだ発光部と、その上に高濃度に導電型決定不純物が添加されたウインドウ層８を形成する半導体発光素子の製造方法において、前記ウインドウ層８における、少なくとも前記発光部に近い側（１１）を高Ｖ／III比で成長することとし、更にそれ以外の部分１２において少なくとも一部分以上を高Ｖ／III比成長部１１よりも低いＶ／III比で成長し、これによってウインドウ層中にＶ／III比の異なる領域（１１、１２）を設ける。 （もっと読む）