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Fターム[5F041CA50]に分類される特許

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【課題】低減された順方向電圧のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】p型クラッド層におけるp型ドーパントの濃度がn型不純物の濃度より大きくなるように、p型クラッド層はp型ドーパント及びn型不純物を含む。p型クラッド層のバンドギャップより大きい励起光を用いた測定によるフォトルミネセンス(PL)スペクトルは、バンド端発光及びドナーアクセプタ対発光のピークを有する。このPLスペクトルにおけるバンド端発光ピーク値のエネルギE(BAND)と該PLスペクトルにおけるドナーアクセプタ対発光ピーク値のエネルギE(DAP)との差(E(BAND)−E(DAP))は、当該III族窒化物半導体レーザ素子11の順方向駆動電圧(Vf)と相関を有する。このエネルギ差(E(BAND)−E(DAP))が0.42eV以下であるとき、III族窒化物半導体発光素子の順方向電圧印加に係る駆動電圧が低減される。 (もっと読む)


【課題】高効率で発光し、薄型に適した発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子1は、紫外光放射部15と蛍光体層21とからなり、ZnOをベースとし、Ga、Pが添加された半導体材料で形成された紫外発光層11と、ZnOをベースとするp型半導体層12とがpn接合され、紫外発光層11に第1電極13が、p型半導体層12に第2電極14が接続されている。第1電極13と第2電極との間に電圧を印加することによって、紫外発光層11からピーク波長が400nm以下の紫外光が放射される。蛍光体層21は、紫外光放射部15から放射される紫外光を吸収し可視光に変換する。この可視光は基板22を透過して外部に出射される。 (もっと読む)


【課題】希土類元素が添加された窒化物半導体における4f内殻電子のエネルギー遷移による発光効率を高めることが可能な窒化物半導体を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子11は、基板13と、バッファ層15と、Siが添加された窒化物半導体層16(クラッド層)と、不純物としてEu及びMgが添加された窒化物半導体層17(発光層)と、Mgが添加された窒化物半導体層19(クラッド層)と、を備えている。窒化物半導体層17の形成は、たとえば、窒化物半導体層16上に、NHを窒素源として用いたMBE法によりEu及びMgが添加されたGaNを成長させることにより行う。窒化物半導体層17におけるMgの濃度は、たとえば3×1018cm−3である。窒化物半導体層17におけるEuの濃度は、たとえば2×1020cm−3である。 (もっと読む)


【課題】単層で発光波長が相違する複数の発光を出射するIII族窒化物半導体単層を備えたIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基体と、基体上に形成され、ドナー不純物とアクセプター不純物が添加され且つガリウムを必須の構成元素として含むガリウム含有III族窒化物半導体層である多波長発光III族窒化物半導体層と、を備え、多波長発光III族窒化物半導体層は、窒素を含む第V族元素よりガリウムを含む第III族元素を化学量論的に富裕に含み、原子濃度が6×1017cm−3以上5×1019cm−3以下の範囲の珪素と、原子濃度が5×1016cm−3以上3×1018cm−3以下の範囲のマグネシウムと、合計の原子濃度が1×1017cm−3以下の範囲の遷移金属元素と、を含み、且つ、バンド端発光とは別に、波長400nm以上750nm以下の波長帯域において波長が異なる3個以上の光を同時に出射することを特徴とするIII族窒化物半導体素子。 (もっと読む)


【課題】白色LED等の半導体素子を簡単な構造をもって簡便に提供する。
【解決手段】基体と、前記基体上に形成され、ドナー(donor)不純物とアクセプター(acceptor)不純物が添加され且つガリウム(元素記号:Ga)を必須の構成元素として含むIII族窒化物半導体層と、を備え、前記III族窒化物半導体層は、窒素を含む第V族元素よりもガリウムを含む第III族元素を化学量論的に富裕に含んでなり、バンド(band)端発光とは別に、バンド端発光より長い波長の領域において、波長が異なる少なくとも3個の光を同時に出射する多波長発光III族窒化物半導体単層を備えていることを特徴とするIII族窒化物半導体素子。 (もっと読む)


【課題】高い電流を印加した場合における出力を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体層10と、半導体層10の一部を切り欠くことにより露出されたn型半導体層の露出面12a上に設けられたn型電極18と、半導体層10上に設けられた透明導電膜と、透明導電膜上に設けられたp型電極17とを備え、半導体層10と透明導電膜との間に、平面視で少なくとも一部がp型電極17と重なり合う光反射層39が備えられ、p型電極17が、パッド部Pと、パッド部Pから線状に延在する平面視環状の線状部Lとからなり、n型電極18が、平面視でパッド部Pの中心17aと半導体層10の中心10aとを通る直線L1上における線状部Lに囲まれた内側の領域に配置され、n型電極18の中心18aとパッド部Pの中心17aとの間の距離D3が、パッド部Pの中心17aと半導体層10の中心10aとの距離D4以上である半導体発光素子1とする。 (もっと読む)


【課題】光取り出し効率が高く、かつ動作電圧の低い窒化物半導体発光ダイオード素子を提供する。
【解決手段】n型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層上に設けられた窒化物半導体発光層と、窒化物半導体発光層上に設けられたp型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層上に設けられたIn含有窒化物半導体層と、In含有窒化物半導体層上に設けられた透明導電膜と、を含み、In含有窒化物半導体層は組成ゆらぎを有するようにInを含有する窒化物半導体発光ダイオード素子である。 (もっと読む)


【課題】基板成長面に光の干渉効果を考慮した周期的凹凸構造を形成することにより、光取り出し効率の向上した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第1屈折率を有する基板10と、基板10上に配置され、第2屈折率を有し、周期的凹凸加工された加工層18と、加工層18に挟まれた凹部の基板10上および凸部の加工層18上に配置され、第3屈折率を有する第1半導体層12とを備え、第2屈折率の値は、第1屈折率の値よりも大きく、第3屈折率の値よりも小さい半導体発光素子。 (もっと読む)


【課題】大電流が印加されることにより高い発光出力が得られる半導体発光素子を製造できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1有機金属化学気相成長装置において、基板11上に、第1n型半導体層12aを積層する第1工程と、第2有機金属化学気相成長装置において、第1n型半導体層12a上に、第1n型半導体層12aの再成長層12dと第2n型半導体層12bと発光層13とp型半導体層14とを順次積層する第2工程とを具備し、第2工程において、第2n型半導体層12を形成する際の基板温度を、発光層13を形成する際の基板温度よりも低くする半導体発光素子の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】光学的な特性のすぐれたEr添加Si複合粒子を、確実、容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】SiO基板上の中央にErチップを配置し、その周囲のエロージョン領域にSiチップを複数個配置してSiOターゲットを構成するとともに、該SiOターゲットに対してSi基板を対置し、真空雰囲気下で前記SiOターゲットと前記Si基板との間に高周波電力を印加して前記SiOターゲットから前記Si基板に対して3〜12時間スパッタリングさせErとSiを添加したSiO薄膜を備えたSi基板を形成し、ArまたはN雰囲気下で前記SiO薄膜を備えたSi基板を900〜1200℃の温度条件で30〜120分間熱処理して前記SiO薄膜中のErとSiを結晶化させEr添加Si複合粒子を含有するSiO薄膜とし、前記Er添加Si複合粒子を含有するSiO薄膜をエッチングしてSiOを除去しEr添加Si複合粒子を得ることを特徴とするEr添加Si複合粒子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】ブロードな発光スペクトルの赤外光を発する蛍光体、これを用いた発光素子及び発光装置、並びに蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】SnがドーピングされたGaAsを液相成長法により成長した後、GaAsにNiをイオン注入法によりドーピングし、この後、GaAsに熱処理を施してイオン注入によるダメージを取り除くことにより、良好なドナー・アクセプタ・ペアの発光特性を有するNi及びSnドープのGaAs蛍光体が製造される。 (もっと読む)


【課題】高い発光強度を有すると共に電流注入型として好適なエルビウム添加酸化スズ発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子20は、酸化スズ(SnO)とエルビウム(Er)を含む発光層12に、p型電流注入層21が設けられた構造を有している。エルビウム原子が光学的に活性化することで、特に波長1.5μm付近の発光強度が増加する。p型電流注入層21は発光層12と同等のバンドギャップを有する材料で構成されており、量子効率の向上、動作電圧の低減、長寿命化につながり、電流注入型酸化物発光素子の実現を可能とする。これにより、集禎回路内への発光素子の実装が容易となる。 (もっと読む)


【課題】従来のp型III族窒化物半導体超格子からなるp型半導体よりも低抵抗のp型特性を示す所望の屈折率とバンドギャップを有するp型III族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】このp型III族窒化物半導体は、サファイア基板20上に低温GaNバッファー層21,GaN層22が順次積層された積層構造上にエピタキシャル成長された、In0.04Al0.2Ga0.76N層とp型In0.1Al0.04Ga0.86N層との超格子構造からなるp型III族窒化物半導体23である。 (もっと読む)


【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を低電圧の直流駆動によって十分に得ることができるとともに、寿命特性を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子100は、一対の電極2,6と、電極2,6間に配置されたドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層4と、発光層4と電極2との間に配置され、発光層4に隣接するキャリア注入層3とを備え、キャリア注入層3には、Y、Nb、Mo、Zr、Hf、Ta、W及びReのうちの少なくとも1種の元素が含まれていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ダブルへテロ構造とは異なる、光閉じ込め係数Γの大きい、新規な素子構造を有する半導体発光素子を提供することを提供すること。
【解決手段】絶縁膜上に光共振器、該光共振器の両側にそれぞれ配置されたp電極及びn電極を具備する半導体発光素子であって、前記光共振器は、発光波長よりも狭い間隔を隔てて並置された第1及び第2の半導体細線、これら半導体細線の両端部にそれぞれ設けられた光共振器ミラー、及び前記第1及び第2の半導体細線間に配置され、それぞれた前記第1及び第2の半導体細線に電気的に接続された複数の半導体超薄膜を備え、前記第1の細線は前記p電極に、前記第2の細線は前記n電極にそれぞれ電気的に接続され、電流注入により前記半導体超薄膜からレーザ発振を生ずることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を直流駆動によって十分に得ることができるとともに、発光輝度を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 一対の電極2,7と、一対の電極2,7間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層5と、バッファ層4と、p型半導体を含むキャリア注入層3と、をこの順で備える発光素子100であって、発光素子100のエネルギーバンド図において、発光層5の価電子帯頂部のエネルギーレベルをVBM(eV)及びキャリア注入層3の価電子帯頂部のエネルギーレベルをVBM(eV)としたときに、バッファ層4の価電子帯が、下記式(1)の条件を満たすエネルギーレベルVBM(eV)の価電子帯頂部を有することを特徴とする。
VBM(eV)<VBM(eV)<VBM(eV) …(1) (もっと読む)


【課題】更なる光出力の向上と良好なオーミック電極の形成を可能にする最適なp型層の構造を有するエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたn型層および該n型層上にp型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記n型層および前記p型層はGaAsPまたはGaPであり、前記p型層は少なくとも第1p型層と該第1p型層より上に第2p型層とを有し、前記第1p型層のキャリア濃度は5×1016〜3×1017/cm、前記第2p型層のキャリア濃度は7×1018〜3×1019/cmであることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 (もっと読む)


【課題】均一な色合いの白色光を実現でき、且つ長寿命化を図ることができる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード1Aは、窒化ガリウム基板15と、窒化物半導体からなり窒化ガリウム基板15の主面15a上に設けられた活性層5と、希土類元素を含む窒化物半導体からなり、活性層5において発生した紫外光Luを吸収して赤色光Lr、緑色光Lg、及び青色光Lbをそれぞれ発する第1〜第3窒化物半導体層11〜13を有する発光層10と、を備える。 (もっと読む)


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