【課題】ピーク発光波長が６５５ｎｍ以上で、かつ信頼性を向上させることが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に設けられたｐｎ接合型の発光部２と、を備えた発光ダイオード用エピタキシャルウェーハであって、発光部２は、歪発光層と、バリア層とが交互に積層された積層構造とされており、バリア層の組成式を（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０．３≦Ｘ≦０．７、０．５１≦Ｙ≦０．５４）とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化物半導体素子に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態は、ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、複数の量子井戸層及び複数の量子障壁層が交互に積層されて成る活性層とを含み、上記複数の量子井戸層及び複数の量子障壁層の交互積層構造は、第１量子井戸層と、上記第１量子井戸層より高い量子準位を有する第２量子井戸層と、キャリアがトンネリングされることができる厚さのトンネリング量子障壁層と、上記トンネリング量子障壁層より厚い量子障壁層である結晶品質改善層とを有する単位積層構造と、上記第１及び第２量子井戸層より厚い厚膜量子井戸層とを具備することを特徴とする窒化物半導体素子を提供する。 （もっと読む）

電子デバイスにおいて使用するためのドープされた半導体輸送層を製造する方法であって、コロイド溶液においてインサイチュでドープされた半導体ナノ粒子を成長させ;該インサイチュでドープされた半導体 ナノ粒子を表面に付着させ;および該インサイチュでドープされた半導体ナノ粒子の表面から有機配位子がボイルオフするように、該付着したインサイチュでドープされた半導体ナノ粒子をアニーリングすること、を含んでなる、方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】 加工性のよい酸化亜鉛系化合物を基板として用い、ＭＯＣＶＤ法を用いて窒化物半導体層をエピタキシャル成長しながら、基板の表面を昇華により荒らすことなく、結晶性の優れた窒化物半導体層を成長する窒化物半導体素子の製法を提供する。
【解決手段】 （ａ）酸化亜鉛系化合物からなる基板１の半導体層積層面を除いて露出する面に保護膜１５を形成し、（ｂ）基板１をＭＯＣＶＤ装置内に設置して、キャリアガスとして窒素ガスを用いて、Ｉｎ_yＧａ_1-yＮ（０＜ｙ≦０.５）からなる第１の窒化物半導体層２を成長し、（ｃ）引き続き所望の窒化物半導体層を成長して窒化物半導体素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板に厚いＩＩＩ−Ｖ半導体皮膜結晶を沈積させ、さらに基板上でＩＩＩ−Ｖ構造部品とシリコン構造部品を組み合わせる。
【解決手段】 本発明は、厚いＩＩＩ−Ｖ半導体皮膜を非ＩＩＩ−Ｖ基板、特にシリコン基板に、ガス状の初期物質を反応炉の処理室に導入することによって沈積する方法に関するものである。シリコン基板に厚いＩＩＩ−Ｖ半導体皮膜結晶を、欠点となる格子応力を生じさせることなく沈積するため、本発明は２つのＩＩＩ−Ｖ皮膜の間に薄い中間皮膜を、低下させた成長温度で沈積することを提案している。
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