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Fターム[5F041CA57]の内容

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Fターム[5F041CA57]に分類される特許

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【課題】設計したドーピング濃度および深さ方向分布の製造ばらつき(生産揺らぎ)を抑えて、発光出力を向上させかつ安定化させる。
【解決手段】p型電極11とn型電極12の形成後に、静電容量測定手段が、p型電極11とn型電極12間の静電容量を測定する静電容量測定工程と、不純物濃度分布演算手段が、測定した静電容量から不純物濃度分布を演算する不純物濃度分布演算工程(図示せず)と、第1不純物濃度分布制御手段が、演算した不純物濃度分布が最も低い値を特徴量として、次のロットまたは基板における発光層の形成時に、MOCVD手段を制御して最大の発光出力が得られるように制御する第1不純物濃度分布制御工程(図示せず)とを有している。 (もっと読む)


【課題】m面GaN基板の裏面に形成された低接触抵抗のn側電極を有するGaN系発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】GaN系発光ダイオードの製造方法は、n型導電性のm面GaN基板である基板110と、基板110上にエピタキシャル成長したGaN系半導体からなりpn接合型の発光構造を含むエピ層120と、を有するエピウェハを準備する第1ステップと、前記エピウェハに含まれる基板110の裏面をポリッシングする第2ステップと、前記第2ステップでポリッシュされた基板110の裏面全体にn側オーミック電極を形成する第3ステップと、前記第3ステップで形成された前記n側オーミック電極をエッチングによりパターニングする第4ステップと、を有する。 (もっと読む)


【課題】p型ZnO系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体層の製造方法は、(a)下地層上方に、Zn、必要に応じてMg、O、N、及びTeを供給して、NとTeが共ドープされたMgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜を形成する工程と(b)MgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜上に、Zn及びMgの少なくとも一方、Te、及びNを供給して、NがドープされたMgZn1−yTe(0≦y≦1)単結晶膜を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】ZnO系化合物半導体素子においてp型層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ZnO系化合物半導体素子は、基板と、基板上方に形成され、NがドープされたZnO系化合物半導体層と、NがドープされたZnO系化合物半導体層上に形成され、NとVI族元素とがコドープされたp型ZnO系化合物半導体層とを有する。 (もっと読む)


【課題】白色LED用の励起光源に適したGaN系発光ダイオード素子を提供すること。
【解決手段】GaN系発光ダイオード素子は、n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が20mAのときの順方向電圧が4.0V以下である。 (もっと読む)


【課題】実施形態は、光出力の駆動電流に対する線形性を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態は、GaAs系化合物半導体を材料とし発光波長のピークが950nm〜980nmの範囲にある発光素子であって、第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層の上に設けられた第2導電形の第2半導体層と、を備える。さらに、前記第2半導体層の上に設けられた第1電極と、前記第1半導体層に電気的に接続された第2電極と、を備える。そして、前記第2半導体層の平面視におけるチップ面積が、0.15mm×0.15mm以下である。 (もっと読む)


【課題】pクラッド層の特性悪化を防止すること。
【解決手段】発光層14上に、800〜950℃でMgドープAlGaInNからなるpクラッド層15を形成した(図2(b))。次に、pクラッド層15上に、pクラッド層15形成時と同じ温度でノンドープGaNからなる厚さ5〜100Åのキャップ層16を形成した(図2(c))。キャップ層16にはMg濃度5×1019/cm3 以下の範囲でMgをドープしてもよい。次に、温度を次工程のpコンタクト層17の成長温度まで昇温した。この昇温時において、キャップ層16が形成されているため、pクラッド層15表面が露出しておらず、Mgの過剰ドープや不純物の混入が抑制される。そのため、pクラッド層15の特性悪化が防止される。次に、キャップ層16上に950〜1100℃でpコンタクト層17を形成した(図2(d))。 (もっと読む)


【課題】
電極の周囲で保護膜のみを透過する光と、さらにその外周で層間絶縁膜と保護膜とを透過する光が存在する場合でも、光の干渉が比較的起こりにくく発光効率が比較的高い光学素子および光学素子アレイを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る光学素子は、半導体層部の上面のうち第2の絶縁膜に被覆された第1領域を介して出射される発光層からの光の位相と、半導体層部の上面のうち第1の絶縁膜および第2の絶縁膜に被覆された第2領域を介して出射される発光層からの光の位相とが、第2領域の表面を含む仮想平面で同位相となっている。 (もっと読む)


【課題】n側メタル電極の延伸部を通してn型導電層に流れる電流を増加させたGaN系LED素子を提供する。
【解決手段】GaN系LED素子100は、複数のGaN系半導体層を含む半導体積層体120を有し、該複数のGaN系半導体には、上面および底面を有するp型導電層123と、p型導電層123の底面側に配置された活性層122と、p型導電層123とで活性層122を挟むように配置されたn型導電層121とが含まれ、p型導電層123の上面にはp側電極が設けられ、p型導電層123側に一部露出したn型導電層121の表面にはn側電極が設けられる。該n側電極は、接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該n側電極の該接続部とn型導電層121との間に形成されるオーミック接触界面の面積が、該接続部の面積よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】NとTeがコドーピングされたZnO系半導体層の新規な製造方法を提供することである。
【解決手段】
ZnO系半導体層の製造方法は、(a)下地層上方に、少なくともZn、O、N、及びTeを供給して、NとTeがコドーピングされたZnO系半導体膜を形成する工程と、(b)ZnO系半導体膜にOラジカルを照射して、ZnO系半導体膜の結晶性を向上させる工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】電力効率が良好な窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、n型窒化物半導体層と、Vピット発生層と、中間層と、多重量子井戸発光層と、p型窒化物半導体層とがこの順で設けられたものである。多重量子井戸発光層は、バリア層と該バリア層よりもバンドギャップの小さい井戸層とを交互に積層して構成された層である。多重量子井戸発光層には部分的にVピットが形成されており、Vピットの始点の平均的な位置は中間層内に位置する。 (もっと読む)


【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板と半導体膜との間に設けられ半導体膜と接する面で光反射面を形成する光反射層を含み、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極は、半導体膜との間でオーミック接触を形成する第1の電極片と、第1の電極片に電気的に接続された第2の電極片と、を含む。光反射層は、反射電極を含み、反射電極は半導体膜との間でオーミック接触を形成する第3の電極片と、第3の電極片に電気的に接続され且つ第2の電極片と対向するように配置された第4の電極片とを含む。第1の電極片と第3の電極片は、半導体膜の主面と平行な面に投影したときに互いに重ならないように配置される。第2の電極片と第4の電極片は、半導体膜との間でショットキー接触を形成して半導体膜の順方向電流を妨げる障壁を形成する。 (もっと読む)


【課題】AM−OLED等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにLCDやPDPよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板2の上にTFT配線部3、パッシベーション膜4、第一蛍光体層6a、第一平坦化層7aを積層し、その上に透明アノード電極100、発光層101、透明カソード電極102を順次積層した発光体10を配設する。発光層101はZnO系またはGaN系等材料で構成し、発光面(上面)の面積に対する側面の総面積の割合を1/10以上に設定する。これにより表示装置1を得る。 (もっと読む)


【課題】AM−OLED等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにLCDやPDPよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板2の上にTFT配線部3、パッシベーション膜4、第一蛍光体層6a、第一平坦化層7aを積層し、その上に透明アノード電極100、発光層101、透明カソード電極102を順次積層した発光体10を配設する。発光層101はZnO系またはGaN系等材料で構成し、発光面(上面)の面積に対する側面の総面積の割合を1/10以上に設定する。これにより表示装置1を得る。 (もっと読む)


【課題】低減された順方向電圧のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】p型クラッド層におけるp型ドーパントの濃度がn型不純物の濃度より大きくなるように、p型クラッド層はp型ドーパント及びn型不純物を含む。p型クラッド層のバンドギャップより大きい励起光を用いた測定によるフォトルミネセンス(PL)スペクトルは、バンド端発光及びドナーアクセプタ対発光のピークを有する。このPLスペクトルにおけるバンド端発光ピーク値のエネルギE(BAND)と該PLスペクトルにおけるドナーアクセプタ対発光ピーク値のエネルギE(DAP)との差(E(BAND)−E(DAP))は、当該III族窒化物半導体レーザ素子11の順方向駆動電圧(Vf)と相関を有する。このエネルギ差(E(BAND)−E(DAP))が0.42eV以下であるとき、III族窒化物半導体発光素子の順方向電圧印加に係る駆動電圧が低減される。 (もっと読む)


【課題】pコンタクト層をp型化し、かつ電極とのコンタクト抵抗を低減すること。
【解決手段】pクラッド層14上に、MOCVD法によって、MgがドープされたGaNである第1のpコンタクト層151を形成する(図2(b))。次に、次工程で形成する第2のpコンタクト層152の成長温度である700℃まで降温した後、アンモニアの供給を停止し、キャリアガスを水素から窒素へと切り換えて置換する。これにより、第1のpコンタクト層151のMgは活性化され、第1のpコンタクト層151はp型化する。次に、前工程の温度である700℃を維持し、キャリアガスには窒素を用いてMOCVD法によって、第1のpコンタクト層151上に、MgがドープされたInGaNである第2のpコンタクト層152を形成する(図2(c))。 (もっと読む)


【課題】良好なPN接合を側面に有して、良好な電気的特性を有する半導体素子等を提供すること。
【解決手段】第1導電型の半導体コア11を覆うように第1導電型の半導体シェル12を形成する。また、第1導電型の半導体シェル12を覆うように第2導電型の半導体シェル13を形成する。 (もっと読む)


【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】発光層14上に、MOCVD法によってp−AlGaNからなるpクラッド層15を形成する。圧力30kPa、Mg濃度は1.5×1020/cm3 とする。これにより、III 族元素極性の結晶に窒素極性の領域が多数生じ、pクラッド層15の表面は六角柱状の凹凸形状となる。次に、pクラッド層15上に、MOCVD法によって凹凸形状に沿って膜状にGaNからなるpコンタクト層16を形成する。 (もっと読む)


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