説明

Fターム[5F041CA60]の内容

発光ダイオード (162,814) | LED形式 (36,241) | LED材料 (12,490) | 傾斜型バンドギャップ層を有するもの (52)

Fターム[5F041CA60]に分類される特許

21 - 40 / 52


【課題】青色以上の長波長(440nm以上)を有するInGaN系窒化物半導体光素子において、In偏析や結晶性の劣化を抑制しながら、長波長化を実現する。
【解決手段】InGaN井戸層とInGaN障壁層とを含むInGaN系量子井戸活性層6を備えたInGaN系窒化物半導体光素子の製造において、InGaN障壁層を成長させる工程は、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気に1%以上の水素を添加してGaN層を成長させる第1工程と、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気でInGaN障壁層を成長させる第2工程とからなる。 (もっと読む)


【課題】引張歪による直接エネルギーギャップEの縮小効果を増大するゲルマニウム構造体を提供すること。
【解決手段】ゲルマニウム粒子と、前記ゲルマニウム粒子の周囲を覆って、前記ゲルマニウム粒子を埋め込む埋め込み層を具備し、前記埋め込み層が、前記ゲルマニウム粒子の3つの結晶軸方向夫々に於いて、引張歪を前記ゲルマニウム粒子に発生させていること。 (もっと読む)


【課題】広い注入電流範囲において、発光効率が改善可能な発光装置を提供する。
【解決手段】第1導電型の半導体からなる第1の層と、第2導電型の半導体からなる第2の層と、前記第1の層と前記第2の層との間に設けられた多重量子井戸を含む活性層であって、前記多重量子井戸のそれぞれの障壁層内の第1導電型の不純物濃度は略平坦な分布であるかまたは前記第2の層に向かって増加し、前記多重量子井戸のそれぞれの井戸層からみて前記第2の層側の障壁層の不純物濃度の平均値は前記第1の層側の障壁層の不純物濃度の平均値以上であり、前記第2の層に最も近い障壁層の不純物濃度の平均値は前記第1の層に最も近い障壁層の不純物濃度の平均値よりも高い活性層と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】人間の可視感度が高い波長帯域の光を増加させ、発光光度の向上を図った発光ダイオード用エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】ウエル層6aとバリア層6bを交互に積層した多重量子井戸構造の活性層6を有する発光ダイオード用エピタキシャルウエハにおいて、活性層6の少なくとも1つのウエル層6aの厚さが、他のウエル層6aの厚さと異なるものである。 (もっと読む)


傾斜した組成の1又はそれ以上の領域は、デバイス中の界面と関連したVfを削減するために、III-P発光デバイスに含まれる。本発明の実施形態によれば、半導体構造体は、n型領域とp型領域との間に配置されたIII-P発光層を有する。傾斜領域は、p型領域とGaP窓層との間に配置される。アルミニウム組成は、傾斜領域において傾斜される。傾斜領域は、少なくとも150nmの厚さをもつ。幾つかの実施形態において、p型領域とGaP窓層との間の傾斜領域に加えて又はこれの代わりに、アルミニウム組成は、エッチング停止層とn型領域との間に配置された傾斜領域において傾斜される。
(もっと読む)


【課題】III族窒化物系超格子と超格子上のIII族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】活性領域は、少なくとも1つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第1のIII族窒化物系バリア層と、第1のバリア層上のIII族窒化物系量子井戸層と、第2のIII族窒化物系バリア層とを含む。III族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも1つの量子井戸構造を含む活性領域を有するIII族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、III族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のIII族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のIII族窒化物を含むキャップ層とを含む。またInXGa1-XNとInYGa1-YNとの交互層(ここで0≦X<1および0≦Y<1、ならびにXはYに等しくない)の少なくとも2つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。 (もっと読む)


【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を直流駆動によって十分に得ることができるとともに、発光輝度を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 一対の電極2,7と、一対の電極2,7間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層5と、バッファ層4と、p型半導体を含むキャリア注入層3と、をこの順で備える発光素子100であって、発光素子100のエネルギーバンド図において、発光層5の価電子帯頂部のエネルギーレベルをVBM(eV)及びキャリア注入層3の価電子帯頂部のエネルギーレベルをVBM(eV)としたときに、バッファ層4の価電子帯が、下記式(1)の条件を満たすエネルギーレベルVBM(eV)の価電子帯頂部を有することを特徴とする。
VBM(eV)<VBM(eV)<VBM(eV) …(1) (もっと読む)


【課題】選択成長を利用した半導体発光素子において、より高い耐久性および信頼性を有する半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、及び光断層画像化装置を提供する。
【解決手段】GaAs基板上に形成されたInGaP下部第1クラッド層13A上に、幅が段階的または連続的に変化する選択成長用マスクを形成して選択領域を形成する第1の工程、選択領域の上にInGaP下部第2クラッド層13Bを形成する第2の工程、下部第2クラッド層13B上にInGaAs量子井戸層15を形成する第3の工程、量子井戸層15上にInGaP上部クラッド層17を形成する第4の工程を含む半導体発光素子1の製造方法において、第2の工程を600°C以上の成長温度で、第3の工程を600°C以上の成長温度で、選択成長用マスクを除去せずに第4の工程を600°C以上の成長温度で行い、第2の工程から第4の工程までを大気に暴露することなく行う。 (もっと読む)


【課題】更なる光出力の向上と良好なオーミック電極の形成を可能にする最適なp型層の構造を有するエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたn型層および該n型層上にp型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記n型層および前記p型層はGaAsPまたはGaPであり、前記p型層は少なくとも第1p型層と該第1p型層より上に第2p型層とを有し、前記第1p型層のキャリア濃度は5×1016〜3×1017/cm、前記第2p型層のキャリア濃度は7×1018〜3×1019/cmであることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 (もっと読む)


放射を放出する活性層(7)と、n型コンタクト(10)と、p型コンタクト(9)と、電流拡散層(4)と、を有するLED、を提供する。電流拡散層(4)は、活性層(7)とn型コンタクト(10)との間に配置されている。さらには、電流拡散層(4)は、積層体の複数個の繰り返しを備えており、積層体は、少なくとも1つのn型ドープ層(44)と、アンドープ層(42)と、AlGa1−xN(0<x<1)から成る層(43)と、を備えている。AlGa1−xNから成る層(43)は、Al含有量の濃度勾配を有する。 (もっと読む)


【課題】出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い面発光ダイオードを提供する。
【解決手段】活性層22はダブルヘテロ構造を有して相互に異なる井戸幅の複数の量子井戸層24、26、28から成る量子井戸構造を有するものであり、共振器を構成する多層膜反射層14と出力面34との間の距離Kが3μm以上であることにあることから、共振器において複数の共振周波数の共振モードが発生させられるので、複数のピークpを含む出力光Lが得られ、活性層22で発生する光が環境温度変化により波長シフトしても、光軸方向の出力光Lの強度低下が抑制され、出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い面発光ダイオード10を得ることができる。また、前記活性層22はダブルヘテロ構造の複数の量子井戸層を有するので、活性層22における発光効率が高められる。 (もっと読む)


【課題】半導体発光装置における発光効率を改善すること。
【解決手段】本発明は、基板と、GaN系半導体よりなる複数のバリア層32及びバリア層32間に挟まれたGaN系半導体よりなる井戸層30を備え、バリア層32と井戸層30との間にピエゾ分極により形成された分極電荷を有する量子井戸活性層とを備え、井戸層30は、基板10から遠い側のバリア層32との界面においてバンドギャップが最小となるように組成変調して設けられてなる半導体発光装置である。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子に窒化物系III−V族化合物半導体を用いる場合に、従来と異なる手法により、発光波長が長波長化しても発光効率の低下を容易に防止することができる半導体発光素子およびこのような半導体発光素子を容易に製造することができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】p側クラッド層とn側クラッド層との間に一つまたは複数の井戸層を有する活性層が挟まれた構造を有する、窒化物系III−V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、活性層の少なくとも一つの井戸層の組成をこの井戸層に垂直な方向に変調する。 (もっと読む)


【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ化物単結晶の製造方法は、浮遊帯域法により化学式XB(XはZr,Ti,Cr,Hf及びTaから選ばれる少なくとも1種である)で表されるホウ化物単結晶またはホウ化物多結晶から成る棒状体を、水素ガスを含む不活性ガスからなる雰囲気ガス9中で作製し、次に棒状体を原料棒6として用いて浮遊帯域法により化学式XB(XはZr,Ti,Cr,Hf及びTaから選ばれる少なくとも1種である)で表されるホウ化物単結晶を製造する。 (もっと読む)


【課題】所望の発光波長を高効率で引き出せ、波長可変も可能な結晶シリコン発光素子を得る。
【解決手段】単結晶からなるp型のシリコン基板10と、このシリコン基板10の一方の表面にこれと複数個のナノSi柱15が形成され、このナノSi柱15は、シリコン基板10とホモ接合を形成して 円筒状の柱状突起の形態を成している。また、シリコン基板10の表面には、ナノSi柱15の上面以外の領域にシリコン酸化膜16と、少なくともナノSi柱15の側面の一部を覆うように設けられた第3の電極17と、第3の電極17の表面を覆う絶縁膜18が形成されている。さらに、少なくともナノSi柱15の上面と接してショットキー障壁30を形成する透明電極19が設けられている。シリコン基板10の他方の表面には、金属電極20が形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体層間の格子歪を適切に緩和することが可能である半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板1と、基板1に支持されたn−GaN層2と、n−GaN層2よりも基板1に対して離間した位置に形成されたp−Gan層7と、n−Gan層2およびp−GaN層7の間に形成されており、かつInGaNを含む活性層4と、活性層4とp−GaN層7との間に形成されており、かつInGaNを含む昇華防止層5と、昇華防止層5とp−GaN層7とに挟まれており、かつその厚さ方向においてInの組成比が上記第2窒化物半導体層に近づくほど小となるように傾斜させられているIn組成傾斜層6と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】 Inを含む窒化物半導体層にキャリアを閉じ込め易い半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子1は、サファイア基板2上に形成された半導体積層構造を有する。半導体積層構造は、サファイア基板2側から順に、n−GaN層3、InGaN層(In1%)4、傾斜層5、InGaN層(In15%)6a〜6e、GaN層7a〜7e、p−AlGaN層8、p−GaN層9からなる。InGaN層4の近傍の傾斜層5では、Inの組成比がゆっくりと変化するのに対し、InGaN層6aの近傍の傾斜層5では、Inの組成比が急激に変化するように、傾斜層5が構成されている。これによって、Inを1%含むInGaN層4の近傍の傾斜層5では、エネルギーバンドがゆっくりと変化するのに対し、Inを15%含むInGaN層6aの近傍の傾斜層5では、エネルギーバンドが急激に変化する。 (もっと読む)


【課題】内部光子効率と輝度が改善され動作電圧が低い窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による窒化物発光素子は、n型窒化物半導体層と、上記n型窒化物半導体層上に形成され、多数の量子井戸層と量子障壁層を有する多重量子井戸構造の活性層と、上記活性層上に形成されたp型窒化物半導体層を含み、上記n型窒化物半導体層に隣接した量子井戸層のエネルギーバンドギャップは上記p型窒化物半導体層に隣接した量子井戸層のエネルギーバンドギャップより大きい。 (もっと読む)


【課題】GaAsの格子定数より低い格子定数を有する改善された擬似基板並びにかかる擬似基板を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】GaAs製の半導体基板(1)であってその上に半導体層配列(2、13、14、35)が施与された半導体基板であって、該半導体層配列(2、13、14、35)は、Al1−yGaAs1−x[式中、0≦x≦1、0≦y≦1]からなる多数の半導体層を含み、その際、幾つかの半導体層は、それぞれリン割合xを有し、その割合は、半導体層配列の成長方向でその下にある隣接する半導体層中の割合よりも大きいことを特徴とする半導体基板と該基板を含む半導体素子とによって解決される。 (もっと読む)


【課題】 発光ダイオードのような半導体装置の製造に組み込まれている特定の材料を含む半導体材料上に設けることができる実効的なオーム接触構造を提供する。
【解決手段】 本発明のオーム接触構造は、p型GaNに基づく材料からなる層(225、350、425、550)と、金属接触をもたらすように構成されている金属からなる層(205、305、405、505)と、第1のVI族元素からなるp型II-VI族化合物半導体材料からなり、p型GaNに基づく材料からなる層に隣接して位置する第1の層(220、345、420、545)と、第1のVI族元素とは異なる第2のVI族元素からなるp型II-VI族化合物半導体材料からなり、金属からなる層に隣接して位置する第2の層(220、345、420、545)とからなる。 (もっと読む)


21 - 40 / 52