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Fターム[5F041CA60]の内容

発光ダイオード (162,814) | LED形式 (36,241) | LED材料 (12,490) | 傾斜型バンドギャップ層を有するもの (52)

Fターム[5F041CA60]に分類される特許

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【課題】 発光ダイオードのような半導体装置の製造に組み込まれている特定の材料を含む半導体材料上に設けることができる実効的なオーム接触構造を提供する。
【解決手段】 本発明のオーム接触構造は、p型GaNに基づく材料からなる層(225、350、425、550)と、金属接触をもたらすように構成されている金属からなる層(205、305、405、505)と、第1のVI族元素からなるp型II-VI族化合物半導体材料からなり、p型GaNに基づく材料からなる層に隣接して位置する第1の層(220、345、420、545)と、第1のVI族元素とは異なる第2のVI族元素からなるp型II-VI族化合物半導体材料からなり、金属からなる層に隣接して位置する第2の層(220、345、420、545)とからなる。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子の光学的性能及び信頼性を向上させるためにガイド層の膜厚を厚くすれば、前記ガイド層は電気抵抗が高くなり、キャリア供給層から活性層に注入されるキャリアが少なくなる。従って、従来の半導体発光素子には、光学的性能及び信頼性の向上と低電気抵抗化とを両立することが困難であるという課題があった。本発明は前記課題を解決するためになされたもので、正孔が活性層へ円滑に移動でき、もって電気抵抗の低い半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、活性層と正孔供給層との間に互いに組成の異なる複数のIII族窒化物系化合物層を配置することで、前記III族窒化物系化合物層の組成の違いから生ずる分極電荷からのクーロン力を利用して正孔を円滑に前記活性層へ移動させることとした。 (もっと読む)


【課題】曲面を自由に制御することの可能な曲面形成方法およびその方法を用いて形成した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】曲面形成方法は、第2クラッド層13中の特定の元素の組成比fに応じてエッチングレートの異なるエッチャントにより、特定の元素が結晶成長方向に組成比fの分布を有する第2クラッド層13を選択的に除去して、その表面に所定の曲面Sを形成する。例えば、エッチャントのエッチングレートをr(rは組成比fの関数となっている。)、エッチング時間をt、第2クラッド層13のエッチング前の半径をRとすると、(R−rt)=2(py)0.5 を満たすように、組成比fを設定することにより、曲面Sをパラボラ形状とすることができる。 (もっと読む)


【課題】
超格子層を構成する互いにバンドギャップが異なる半導体薄膜は互いに結晶構造が異なることが多く、キャリアは結晶構造の異なる前記半導体薄膜間において生じた分極の電場によるクーロン斥力を受ける。従って、前記半導体薄膜の積層数を増加し、前記超格子層の膜厚を厚くすれば、キャリアが通過する半導体薄膜数が増加するため、キャリアは積層方向への移動が困難になるという課題を有している。
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、不純物濃度を高めることなく、不純物の活性化を促してキャリア密度を高め、もって信頼性が高く電気抵抗の低い半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体素子は、積層方向にバンドギャップが連続的に単調変化する複数のバンドギャップ変化薄膜から構成される半導体層を備えることとした。 (もっと読む)


【課題】結晶構造が互いに異なる二の半導体層を積層した半導体発光素子の場合、自発分極や格子ひずみ起因のピエゾ分極に起因する分極電荷が生じ、キャリア輸送が阻害されてしまう。従来、不純物濃度を高くすることでキャリアの輸送を円滑としていたが、不純物濃度を高くすることは、不純物による光吸収、活性層への不純物拡散等の半導体発光素子の光学特性及び信頼性に関わり、円滑なキャリア輸送と半導体発光素子の光学特性及び信頼性とを両立することは困難であるという課題があった。そこで、本願発明では不純物濃度を高めることなく、前記二の半導体層との間をキャリアが円滑に移動できる半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するために、本願発明は、積層された互いに組成の異なる二の半導体層との間に積層方向に組成が変化するバンドギャップ変化層を配置することとした。 (もっと読む)


【課題】発光に寄与する電子とホールの再結合がより多く生ずる発光層のバンド構造
【解決手段】図2.Aのバンド図では、発光層90のn層98界面付近に形成された組成不安定領域901は、中央部900よりも伝導帯が低い部分があり、電子が滞留しやすい。同様に、組成不安定領域902は、中央部900よりも価電子帯が高い部分があり、ホールが滞留しやすい。この状態では、n層98(図中左側)から注入される電子が、組成不安定領域901に滞留し、p層99(図中右側)から注入されるホールが、組成不安定領域902に滞留してしまう。発光に寄与する電子とホールの再結合が発光層90の中央部900のみで生じるとすると、発光効率が低下する。逆に、図2.Bのように、発光層90が組成不安定領域901と、組成不安定領域902を有しないならば、発光効率を向上できる。 (もっと読む)


【課題】単一の素子で、動作電圧が低く、発光効率の高い白色発光が可能な発光素子を得ることを目的とする。
【解決手段】少なくともInとGaとを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層4を含む積層構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、発光層4は面内でIn比率の比較的小さい領域とIn比率の比較的大きい領域とを有する構成とし、それぞれの領域で青色と黄色の光を発光させ、これらの混合により発光層4の全体から白色光を得る。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体発光素子の光抽出効率(extraction efficiency)を高めると共に発光素子の寿命及び動作信頼性を向上させることができる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は表面が所定のパターンにエッチングされた基板401と、前記基板401のエッチングされない領域上に設けられ、第1バッファー層403と第1窒化物半導体層405とが積層形成される突出部と、前記基板のエッチングされた領域に形成される第2バッファー層409と、前記第2バッファー層409及び前記突出部の上に形成された第2窒化物半導体層411と、前記第2窒化物半導体層411上に形成された第3窒化物半導体層413と、前記第3窒化物半導体層413上に形成されて光を放出する活性層417と、及び前記活性層417上に形成された第4窒化物半導体層419を含む窒化物半導体発光素子を開示する。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体発光素子をなすp−GaN層の特性を向上できる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層上に形成された活性層と、活性層上に形成されたデルタドープ第2の窒化物半導体層とを含む窒化物半導体発光素子であって、本発明による窒化物半導体発光素子及びその製造方法によれば、窒化物半導体発光素子の光出力が向上し、光出力低下現象が改善され、ESD(Electro Static Discharge)に対する信頼性が向上する。 (もっと読む)


改良された窒化物系発光ヘテロ構造を提供する。窒化物系発光ヘテロ構造は、電子供給層と、正孔供給層とを含み、それらの間に光発生構造が配置される。光発生構造は、各々が傾斜組成を有するバリア層のセットと、各々が少なくとも1つのバリア層と隣接する量子井戸のセットとを含む。特性の1つ以上を改良するために、各量子井戸の厚みなどのさらなる特徴を選択し/ヘテロ構造に取り入れ得る。さらに、傾斜組成を含む1つ以上の追加層が、光発生構造の外側のヘテロ構造に含まれ得る。傾斜組成層により、電子は、光発生構造の量子井戸に入る前にエネルギーを失うことで、電子は、量子井戸でより効率的に正孔と再結合できるようになる。 (もっと読む)


第III属窒化物ベースの発光デバイスおよび第III属窒化物ベースの発光デバイスを製造する方法が提供される。発光デバイスは、n型第III属窒化物層と、少なくとも1つの量子井戸構造を有する、n型第III属窒化物層上の第III属窒化物ベースの活性領域と、活性領域上のインジウムを含む第III属窒化物層と、インジウムを含む第III属窒化物層上のアルミニウムを含むp型第III属窒化物層と、n型第III属窒化物層上の第1の接点と、p型第III属窒化物層上の第2の接点とを含む。インジウムを含む第III属窒化物は、アルミニウムを含むこともできる。
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【課題】窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上させて、光出力及び信頼性を向上させることができる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、第1窒化物半導体層と、該第1窒化物半導体層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された第2窒化物半導体層と、該第2窒化物半導体層上に形成されてAlInを具備する第3窒化物半導体層と、を含むことにその特徴がある。 (もっと読む)


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