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Fターム[5F041CA60]の内容

発光ダイオード (162,814) | LED形式 (36,241) | LED材料 (12,490) | 傾斜型バンドギャップ層を有するもの (52)

Fターム[5F041CA60]に分類される特許

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【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、窒化物半導体を含むn形半導体層と、窒化物半導体を含むp形半導体層と、前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、交互に積層された、複数の障壁層と、複数の井戸層と、を含む。前記複数の障壁層のうちで最も前記p形半導体層に近いp側障壁層は、III族元素を含む第1層と、前記第1層と積層されIII族元素を含む第2層であって、前記第2層のIII族元素中におけるIn組成比が、前記第1層のIII族元素中におけるIn組成比よりも高い、第2層と、を含む。前記p側障壁層の平均In組成比は、前記複数の障壁層のうちで最もn形半導体層に近いn側障壁層の平均In組成比よりも高い。 (もっと読む)


【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、窒化物半導体を含むn形半導体層と、窒化物半導体を含むp形半導体層と、前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、III族元素を含む障壁層と、前記n形半導体層から前記p形半導体層に向けた方向に前記障壁層と積層されIII族元素を含む井戸層と、を有する。前記障壁層を、前記n形半導体層側の第1部分と、前記p形半導体層側の第2部分と、に分けた場合、前記第2部分のIII族元素中におけるIn組成比は、前記第1部分のIII族元素中におけるIn組成比よりも低い。前記井戸層を、前記n形半導体層側の第3部分と、前記p形半導体層側の第4部分と、に分けた場合、前記第4部分のIII族元素中におけるIn組成比は、前記第3部分のIII族元素中におけるIn組成比よりも高い。 (もっと読む)


【課題】発光スペクトルの幅が広く、発光効率の高いIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。
【解決手段】実施例1のIII 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板10を有し、サファイア基板10上にnコンタクト層11、ホールブロック層12、発光層13、pクラッド層14、pコンタクト層15が順に積層されている。ホールブロック層12は、厚さ100Åのn−AlGaNからなる。発光層13は、InGaNからなる井戸層130と、GaNからなる障壁層131とを1ペアとして、4ペア繰り返し積層したMQW構造である。井戸層130は、nコンタクト層11に近い側から順に井戸層130−1、130−2、130−3、130−4として、井戸層130−i(1≦i≦4)のIn組成比をxi(単位は%、以下も同様)とすれば、x1>x2>x3>x4となるよう井戸層130−1〜130−4は構成されている。 (もっと読む)


【課題】電気的/光学的信頼性を改善できる発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージおよび照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明は、発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムに関する。本発明の一態様による発光素c子は、第1導電型の第1半導体層と、前記第1導電型の第1半導体層上の活性層と、前記活性層上の第2導電型の第2半導体層と、前記第2導電型の第2半導体層上の信頼性強化層と、前記信頼性強化層上の、光抽出パターンを有する第2導電型の第3半導体層とを備え、前記信頼性強化層と前記活性層との間の距離は0.3μm〜5μmにすることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】pn接合型のIII族窒化物半導体発光素子であって、第1の導電型を有する第1の半導体層、発光層及び第1の導電型とは逆の導電性を示す第2の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第1のインジウム組成を有する第1の窒化ガリウム・インジウム層と、第1の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第1のインジウム組成より小さい組成の第2のインジウム組成を有する第2の窒化ガリウム・インジウム層と、第1の窒化ガリウム・インジウム層と第2の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第1の窒化ガリウム・インジウム層及び第2の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 光半導体層の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、n型窒化ガリウム系半導体層3と、n型窒化ガリウム系半導体層3上に設けられた、窒化ガリウム系半導体を含む発光層4と、発光層4上に設けられた、発光層4と接するブロック層5を持つp型窒化ガリウム系半導体層6とを有し、ブロック層5は、マグネシウムを含有した電子ブロック層5aと、電子ブロック層5aよりもマグネシウムの含有量が小さい、厚みが3nm以下の正孔トンネル層5bとが積層されている。このような正孔トンネル層5bをブロック層5が有していることから、光半導体層7の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることができる。 (もっと読む)


【課題】反射層に混入する酸素濃度を低減し、半導体発光素子の信頼性を向上させる。
【解決手段】基板と、基板上に設けられるバッファ層20と、バッファ層20上に低屈折率層と高屈折率層とを複数ペア積層して設けられる反射層30と、反射層30上に第1クラッド層、活性層、第2クラッド層を積層して設けられる発光層40と、を有する半導体発光素子1において、バッファ層20は、酸素吸着層を含む。 (もっと読む)


【課題】出力を向上できるとともに、静電耐圧を向上できる赤外LED用のエピタキシャルウエハおよび赤外LEDを提供する。
【解決手段】赤外LED用のエピタキシャルウエハ1bは、主表面11aと、この主表面11aと反対側の裏面11bとを有するAlGaAs層11を含む、AlGaAs基板10と、AlGaAs層11の主表面11a上に形成され、かつ活性層23を含むエピタキシャル層20とを備えている。AlGaAs層の不純物濃度は、1×1016cm-3以上1×1018cm-3以下である。 (もっと読む)


【課題】横方向の電流拡がりを向上させることにより、発光領域が大きな窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子は、n側窒化物半導体20と、n側窒化物半導体20上に形成され、量子井戸層32および障壁層31を含む量子井戸構造を有する活性層30と、活性層30上に形成されたp側窒化物半導体40とを備えている。また、活性層30の量子井戸層32および障壁層31は、それぞれ、Alを含む窒化物半導体から構成されている。n側窒化物半導体20は、−c面(窒素極性)を主面21aとする窒化物半導体層21と、この窒化物半導体層21に対して活性層30側に形成されたAl組成傾斜層22とを含んで構成されている。 (もっと読む)


【課題】発光効率を向上できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、[0001]方向の側に向かって順に積層されたn形半導体層10、第1障壁層32a、第1井戸層31a、Al含有層40及び中間層50を備えた窒化物半導体の半導体発光素子が提供される。Al含有層は、第1井戸層に接し、第1障壁層のバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有し、n形半導体層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、Alx1Ga1−x1−y1Iny1N(0<x1<1、0≦y1<1)の組成を有する。中間層は、Al含有層に接し、第1井戸層のバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有する。中間層のn形半導体層の側の部分におけるバンドギャップエネルギーは、中間層のp形半導体層の側の部分におけるバンドギャップエネルギーよりも小さい。 (もっと読む)


【課題】特性を向上できる赤外LED用のエピタキシャルウエハおよび赤外LEDを提供する。
【解決手段】赤外LED用のエピタキシャルウエハ1cは、主表面11aと、主表面11aと反対側の裏面11bとを有するAlxGa(1-x)As層(0≦x≦1)を含むAlyGa(1-y)As基板(0≦y≦1)と、AlxGa(1-x)As層の主表面11a上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層20とを備える。AlxGa(1-x)As層において、主表面11aのAlの組成比xは、裏面11bのAlの組成比xよりも低い。AlxGa(1-x)As層において、主表面11aの不純物濃度は、裏面11bの不純物濃度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】 In組成変調効果に頼らず活性層に発生する内部電界を緩和して発光効率の低下を抑制した窒化物半導体紫外線発光素子を提供する。
【解決手段】 基板面或いは前記基板面上に形成された1層以上のAlGaN系半導体層からなるテンプレート5上に、少なくとも、n型AlGaN系半導体からなるn型クラッド層6、1層以上の量子井戸構造のAlGaN系半導体の活性層7、及び、p型AlGaN系半導体からなるp型クラッド層9が、順番に配置されており、活性層7の少なくとも1層の井戸層7b内部に、p型クラッド層9側からn型クラッド層6に向けてバンドギャップエネルギが減少するようにAl組成比に対する組成変調が設けられている。 (もっと読む)


【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むn型半導体層10と、窒化物半導体を含むp型半導体層20と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられ、量子井戸層を含む発光部30と、前記発光部と前記p型半導体層との間に設けられ、第1Al組成比を有するAlGaNを含む第1層41と、前記第1層と前記p型半導体層との間に設けられ、前記第1Al組成比よりも高い第2組成比を有するAlGaNを含む第2層42と、前記第1層と前記発光部との間に設けられ、厚さが3nm以上で8nm以下であり、Inz1Ga1−z1N(0≦z1<1)を含む中間層40mと、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。 (もっと読む)


【課題】信頼性を向上できる赤外LED用のエピタキシャルウエハおよび赤外LEDを提供する。
【解決手段】赤外LED用のエピタキシャルウエハ20bは、主表面11aと、主表面11aと反対側の裏面11bとを有するAlxGa(1-x)As層11(0≦x≦1)を含むAlyGa(1-y)As基板(0≦y≦1)10と、AlxGa(1-x)As層11の主表面11a上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層21とを備え、AlxGa(1-x)As層11において、裏面11bのAlの組成比xは、主表面11aのAlの組成比xよりも高く、かつ裏面11b側から主表面11a側に向けてキャリア濃度が変化している。 (もっと読む)


【課題】 ZnO系化合物半導体素子の活性層の結晶品質をn型ドーパントの拡散によって落とさない。
【解決手段】 ZnO系化合物半導体素子は、III族元素とともに窒素(N)がドープされたn型半導体層と、前記n型半導体層の上方に形成されたp型半導体層と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に形成された活性層とを含む。III属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、n型半導体層以外の他の層に対するIII属元素の拡散が抑制される。 (もっと読む)


【課題】440nm以上の発光波長で、高発光効率かつ高信頼性のGaN系III−V族化合物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本GaN系半導体レーザ素子10は、サファイア基板12の表層、バッファ層14、及び第1のGaN層16からなるストライプ状の凸部18、及びサファイア基板上に、第2のGaN層20、n側クラッド層22、n側ガイド層24、活性層26、劣化防止層28、p側ガイド層30、p側クラッド層32、及びp側コンタクト層34の積層構造を備える。活性層は、GaInN障壁層36と、GaInN井戸層38との量子井戸構造として構成されて、障壁層と井戸層の上面もしくは下面もしくはその双方との間にAlGaN層からなる面状結晶欠陥抑制層40を介在させている。 (もっと読む)


【課題】発光ダイオード組み立て時のワイヤーボンディング工程においてクレータリングの発生を低減することができ、よって歩留りを向上させることができるエピタキシャルウェーハ及び発光ダイオードを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたn型層および該n型層上にp型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記n型層および前記p型層はGaAsPまたはGaPであり、前記p型層は少なくとも第1p型層と、該第1p型層より上にありキャリア濃度が高い第2p型層とを有し、更に、前記n型層と前記第1p型層との間にp型キャリア濃度が漸増する第1p型キャリア濃度増加層と、前記第1p型層と前記第2p型層との間にp型キャリア濃度が漸増する第2p型キャリア濃度増加層を有するものであることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 (もっと読む)


デバイスは、n型領域とp型領域との間に配置された少なくとも1つのIII−P発光層を有する半導体構造を含む。該半導体構造は更に、x<0.45であるGaAs1−xのpコンタクト層を含んでいる。第1のメタルコンタクトが、前記GaAs1−xのpコンタクト層と直接的に接触する。第2のメタルコンタクトが前記n型領域に電気的に接続される。第1及び第2の金属コンタクトは、前記半導体構造の同一面に形成される。
(もっと読む)


【課題】高い透過特性を維持し、かつデバイスを作製したときに高い特性を有するデバイスとなる、AlxGa(1-x)As(0≦x≦1)基板、赤外LED用のエピタキシャルウエハ、赤外LED、AlxGa(1-x)As基板の製造方法、赤外LED用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外LEDの製造方法を提供する。
【解決手段】AlxGa(1-x)As基板10aは、主表面11aと、この主表面11aと反対側の裏面11bとを有するAlxGa(1-x)As層11を備えたAlxGa(1-x)As基板10aであって、AlxGa(1-x)As層11において、裏面11bのAlの組成比xは、主表面11aのAlの組成比xよりも高いことを特徴としている。またAlxGa(1-x)As基板10aは、AlxGa(1-x)As層11の裏面11bに接するGaAs基板13をさらに備えている。 (もっと読む)


【課題】高い透過特性を維持し、かつデバイスを作製したときに高い特性を有するデバイスとなる、AlxGa(1-x)As(0≦x≦1)基板、赤外LED用のエピタキシャルウエハ、赤外LED、AlxGa(1-x)As基板の製造方法、赤外LED用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外LEDの製造方法を提供する。
【解決手段】AlxGa(1-x)As基板10aは、主表面11aと、この主表面11aと反対側の裏面11bとを有するAlxGa(1-x)As層11を備えたAlxGa(1-x)As基板10aであって、AlxGa(1-x)As層11において、裏面11bのAlの組成比xは、主表面11aのAlの組成比xよりも高いことを特徴としている。またAlxGa(1-x)As基板10aは、AlxGa(1-x)As層11の裏面11bに接するGaAs基板13をさらに備えている。 (もっと読む)


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