【課題】結晶層の結晶性や均一性を向上させることができるIII族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】成長用下地基板１０上に、クロム層２０を形成する成膜工程と、該クロム層２０を、所定の条件で窒化することによりクロム窒化物層３０とする窒化工程と、該クロム窒化物層３０上に、バッファ層４０を介して、少なくとも１層のIII族窒化物半導体層５０をエピタキシャル成長させる結晶層成長工程とを具えるIII族窒化物半導体素子製造用基板９０の製造方法であって、前記クロム層２０は、スパッタリング法により、スパッタリング粒子飛程領域における成膜速度が７〜65Å/秒の範囲で、厚さが50〜300Åの範囲となるよう成膜され、前記クロム窒化物層３０は、炉内圧力6.666kPa以上66.66kPa以下の、温度1000℃以上のMOCVD成長炉内において、アンモニアガスを含むガス雰囲気中で形成される。 （もっと読む）

【課題】光電素子および、容易かつ低コストで製造可能な、多数の光電素子を有する装置並びに、光電素子に対する容易な製造方法を提供すること
【解決手段】アクティブゾーンおよびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域を含んでいる形式のものにおいて、当該半導体機能領域は、前記アクティブゾーンを通る少なくとも１つの孔部を有しており、当該孔部の領域内に接続導体材料が配置されており、当該接続導体材料は、前記アクティブゾーンから、少なくとも孔部の部分領域において電気的に絶縁されている、ことを特徴とする光電素子。 （もっと読む）

【課題】従来の窒化物半導体膜製造技術では、ＳｉＯ_２層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、ＳｉＯ_２層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_２は窒化物半導体膜に悪影響をもたらす。窒化物半導体発光素子の発光効率の低下や、個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下及び、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下を改善する窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体構造は、窒化物半導体膜が成長する成長面が単一部材からなる基板と、前記成長面上に形成された前記窒化物半導体膜１２２とを有し、前記基板の成長面には凹凸部１１３が無秩序に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング工程で生じる保護金属層の残留物が化合物半導体層に付着され、電気的特性が低下することを解決することができる発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の導電型半導体層、活性層、及び第２の導電型半導体層を有する化合物半導体層と、前記第２の導電型半導体層の一部領域に形成された金属反射層と、少なくとも前記第２の導電型半導体層の境界領域に形成された絶縁構造体と、前記金属反射層及び前記絶縁構造体が形成された前記第２の導電型半導体層を覆うように形成された金属材料構造体と、前記金属材料構造体にボンディングされた基板と、を備え、前記第２の導電型半導体層の境界領域は、前記第２の導電型半導体層の外周に沿って、前記第２の導電型半導体層の外部領域を含むことを特徴とする発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】高反射性金属層を含んだ第１の電極層の剥がれを防止すること。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体光素子１０００において、ｐ型層１１に接続される電極が、直接接合されたロジウム（Ｒｈ）から成る高反射性の第１の電極層１２１と、その上に形成された、窒素と反応性を有するニッケル（Ｎｉ）から成る第２の電極層１２２とから成り、当該第２の電極層１２２とIII族窒化物系化合物半導体の最上層１２とが接合している領域が存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光領域を挟んで上下に形成されるｎ層側とｐ層側の電極形状を最適化する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００は、両面に導電性多層膜を形成したｎ型シリコン基板２００を支持基板とし、ｐ側にＩＴＯから成る透光性電極１２１−ｔ、ニッケル（Ｎｉ）から成る接続部１２１−ｃ、アルミニウム（Ａｌ）から成る高反射性金属層１２１−ｒとを形成され、多層金属膜を介して金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５０でｎ型シリコン基板２００と電気的に接続されている。III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００は、窓枠状に形成されたｎ電極である多層金属膜１３０の形成されていない領域が光取り出し領域である。ｐ電極側のニッケル（Ｎｉ）から成る接続部１２１−ｃの形状とｎ電極である多層金属膜１３０の形状は、それぞれの発光領域Ｌ平面への正射影が重ならず、且ついずれの位置においても２０μｍ以上の間隔を有して離れている。 （もっと読む）

【課題】
従来のバッファーでは、Ｓｉ基板の上に形成される窒化物半導体層の結晶性が、十分に
良好なものにはならなかった。本発明は、Ｓｉ基板１の上に形成される窒化物半導体層５
の結晶性をより向上することができる半導体構造体、半導体素子、および窒化物半導体結
晶の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体構造体である。この半導体構造体においては、Ｓｉ基板１の上に、Ａｌが第１結
晶として層状に形成され、この層状に形成されたＡｌの上に、ＧａＮが第２結晶として形
成されている。また、Ｓｉ基板１の表面において、第１結晶が島状であり、この島状であ
る一方が第２結晶に囲まれている。 （もっと読む）