【課題】 発光層で発生した光を一方向に取り出す発光素子において、光を取り出し方向に反射させる光反射層を簡易なプロセスにより形成できる、発光効率の高い発光素子、及び照明装置を提供すること。
【解決手段】 発光素子は、基板２０上に発光層２４を含む半導体層２００が形成されている発光素子において、基板２０と発光層２４との間に複数の島状部から成るとともに金属から成る光反射層２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶品質に優れ、ワープの小さな大口径の窒化物半導体自立基板を、生産性よく低コストで製造する方法等を提供する。
【解決手段】少なくとも、種基板１０１となる窒化物半導体自立基板を準備する工程と、種基板１０１上に、種基板１０１と同種の窒化物半導体をエピタキシャル成長する工程と、エピタキシャル成長を行ったエピタキシャル成長基板１０３を、エピタキシャル成長面と平行にスライスして２分割するスライス工程とを含み、１枚の種基板１０１から２枚の窒化物半導体自立基板１０４を製造する窒化物半導体自立基板の製造方法及びこの製造方法によって製造された窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く、高輝度の光を発光する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に順次積層された、第１導電型窒化物半導体層と、活性層と、第２導電型窒化物半導体層と、を含み、第１導電型窒化物半導体層は、ＡｌとＧａとを含む窒化物半導体を主成分としており、第１導電型窒化物半導体層と活性層との間に第１導電型窒化物半導体層よりもＡｌの組成比が小さい第３導電型窒化物半導体層を備えている窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】偏光光を取り出すことができ、その発光波長の制御も容易な窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１は、ｃ面以外の主面（たとえばｍ面）を持つ。このＧａＮ基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。ＧａＮ半導体層２は、ＧａＮ基板１側から順に、Ｎ型コンタクト層２１、第１量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、Ｐ型電子阻止層２３、Ｐ型コンタクト層２４、および第２量子井戸層２６を積層した積層構造を有している。第２量子井戸層２６は、第１量子井戸層２２よりも発光波長が長い。 （もっと読む）

【課題】素子の信頼性を損なうことなく、光取り出し効率を向上できる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の主面とこれに対向する第２の主面とを有し、かつ発光層を含む半導体積層膜と、半導体積層膜における第２の主面に金属膜を介して貼り合わせられた支持基板とを備え、半導体積層膜における第２の主面及び支持基板における半導体積層膜に貼り合わせられる面にそれぞれ第１の凹凸及び第２の凹凸が設けられ、半導体積層膜と支持基板とは、第１及び第２の凹凸における互いの凸部と凹部とを合致させて貼り合わせられている。 （もっと読む）

【課題】結晶成長の回数を重ね、ホルダにデポが付着した状態であっても、ウエハ面内の輝度特性分布が一様なＬＥＤエピタキシャルウエハ及びそれを用いて製造したＬＥＤを提供するものである。
【解決手段】本発明のＬＥＤエピタキシャルウエハは、基板２上に、光を発するための活性層６と、その活性層６から発せられた光を取出すための光取出し面と、基板２と前記活性層６の間に設けられ、活性層６から発せられた光を光取出し面側に反射させるためのＤＢＲ層４とを設けたものであり、ウエハ外周側で、ＤＢＲ層４の反射波長が活性層６の発光波長に合うようにＤＢＲ層４を設計し、活性層６の発光波長とＤＢＲ層４の反射波長の差がウエハ外周側で最小となるように形成したものである。 （もっと読む）

無極性のＩＩＩ族窒化物発光ダイオードおよびレーザ・ダイオードの特性改良を達成するデバイス成長とｐ電極処理の方法が開示される。重要な点は、低欠陥密度の基板またはテンプレート、厚い量子井戸、低温ｐ型ＩＩＩ族窒化物成長技術、及び電極用に透明な伝導性酸化物を用いることである。
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【課題】結晶性を良好に維持するとともに、成長させる結晶の面積を大きくする結晶成長方法、結晶基板、および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】複数の種基板１０を、種基板１０の側部１１側にずらして配置する配置工程と、ハイドライド気相成長法により、複数の種基板１０の各々の表面１２上にＡｌ_xＩｎ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）結晶を成長させる成長工程とを備えている。そして、成長工程では、複数の種基板１０の各々の表面１２上に成長した結晶の各々が一体化するように成長させる。 （もっと読む）

【課題】手間を要さず、下地基板を剥離することができるIII族窒化物半導体基板の製造方法、およびこの製造方法により製造されたIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】本実施形態の自立基板の製造方法は、以下の工程を含むものである。(i)下地基板１０上に、炭化アルミニウム層１１を形成する工程、(ii)上記炭化アルミニウム層１１を窒化する工程、(iii)窒化された上記炭化アルミニウム層１２の上部にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程、(iv)上記III族窒化物半導体層から、上記下地基板１０を除去し、上記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程。 （もっと読む）

【課題】Ｉｏｐを長時間一定の値に保つ、つまり信頼性が高い発光素子チップを多く取ることができる発光素子用エピウェハを提供する。
【解決手段】基板２上に、III族およびＶ族原料ガスを用いてｎ型クラッド層６、活性層８、ｐ型第１クラッド層１０、ｐ型第２クラッド層１２を含むエピタキシャル層３を成長させた発光素子用エピタキシャルウェハ１において、エピタキシャル層３の水素濃度の平均値を９．２×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ 以下にしたものである。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系ＬＥＤチップをフリップチップ実装した発光装置の出力を改善し、照明用の白色発光装置の励起光源として好適に用い得る、発光出力に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】下記（Ａ）のＧａＮ系ＬＥＤチップをフリップチップ実装して発光装置を構成する。
（Ａ）ＧａＮ系ＬＥＤチップ１００は、透光性基板１０１と、透光性基板１０１上に形成されたＧａＮ系半導体層Ｌとを有し、ＧａＮ系半導体層Ｌは、透光性基板１０１側からｎ型層１０２と、発光層１０３と、ｐ型層１０４とをこの順に含む積層構造を有している。
ｐ型層１０４上には、酸化物半導体からなる透光性電極Ｅ１０１ａと、透光性電極と電気的に接続した正の接点電極Ｅ１０１ｂと、からなる正電極Ｅ１０１が形成されており、正の接点電極Ｅ１０１ｂの面積は、ｐ型層１０４の上面の面積の２分の１未満である。 （もっと読む）

【課題】高品質のＬＥＤ装置を形成する方法、およびＬＥＤ装置の製造に特に適切なサセプタを提供する。
【解決手段】ＬＥＤ製造のための単結晶ウエハを保持するためのサセプタが提供され、該サセプタは単結晶ウエハを受容するための窪みを有するサセプタ本体を含み、該窪みは約１０ミクロン以下の表面粗度（Ｒ_max１９１）を有する表面を有している。サセプタ本体は、ケイ素を含浸した炭化ケイ素およびサセプタ本体を覆っている窒化物層を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ｎ型電極とｎ型窒化ガリウム層のコンタクト抵抗を軽減し、熱的安定性を向上させることができる縦型発光ダイオード素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る縦型発光ダイオード素子は、ｎ型電極１６０と、前記ｎ型電極１６０の下面に形成されて、前記ｎ型電極１６０と接する表面にＮ元素よりＧａ元素が多く含有されたＧａ⁺Ｎ層１１０ｃを有するｎ型窒化ガリウム層１１０と、前記ｎ型窒化ガリウム層１１０の下面に形成された活性層１２０と、前記活性層１２０の下面に形成されたｐ型窒化ガリウム層１３０と、前記ｐ型窒化ガリウム層１３０の下面に形成されたｐ型電極１４０と、前記ｐ型電極１４０の下面に形成された構造支持層１５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上にナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体素子において、絶縁物を柱状結晶構造体による極微細間隙へ確実かつ均一に充填できるようにする。
【解決手段】先ず、図１（ａ）で示すように、Ｓｉ基板１上にカタリスト材料層となるＮｉ薄膜２を蒸着する。次に、図１（ｂ）で示すように、絶縁膜となる透明なＳｉＯ_２薄膜３を蒸着し、ナノコラム５を成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径および間隔でＮｉ薄膜２が露出するまで貫通孔４を穿設しておく。したがって、図１（ｃ）で示すようにＧａＮナノコラム５が成長すると、ＳｉＯ_２をナノコラム５間の極微細間隙へ確実かつ均一に充填することができ、ボイドの発生を抑え、またリーク電流を抑え、信頼性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた窒化物半導体を製造することができる窒化物半導体製造装置、窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを流すためのフローチャンネル１０２とフローチャンネル１０２の形状を変化させるための形状変化装置１０４とを備える構造とした。また、この窒化物半導体製造装置を使用して、原料ガスを流すフローチャンネル１０２の形状を変化させて窒化物半導体を製造する。 （もっと読む）

【課題】小型化及び材料コストの低減を図ることができる半導体装置及びＬＥＤプリントヘッドを提供する。
【解決手段】半導体装置は、集積回路が形成されたＳｉ基板１０１と、Ｓｉ基板１０１上に形成され、集積回路により独立に電位を制御可能なｍ個（ｍは２以上の整数）のメタル層１０３と、ｍ個のメタル層１０３の各々に貼り付けられ、メタル層１０３に面する側が共通接続されたメタル層１０３当たりｎ個（ｎは２以上の整数）のＬＥＤ素子１０５と、メタル層１０３と集積回路とを接続する共通配線１３１と、一の導通層１０３に貼り付けられたｎ個のＬＥＤ素子１０５の各々から引き出された個別配線１０６とを備え、ＬＥＤ素子１０５は、積層されたエピタキシャル層１０４で構成され、個別配線層１０６は、ＬＥＤ素子１０５の導通層とは反対側に接続されている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも、製造方法が簡単であって製造コストの低い発光ダイオード、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】断面の円換算径０．０１〜１００００μｍ、かつ長さ０．１μｍ以上である突起形状を有する金属酸化物半導体と、突起形状を有する金属酸化物半導体を被覆する金属化合物半導体からなり、いずれか一方がｐ型、他の一方がｎ型であることを特徴とする発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】反応源供給層にクラックが発生することを抑制しつつ、低い駆動電圧を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン系基板１上には、ガリウムとインジウムとシリコンとを構成元素に含む金属化合物からなる金属化合物領域２が形成されている。金属化合物領域２上には、窒化アルミニウムからなるＡｌＮ層３が形成されている。ＡｌＮ層３上には、ガリウムとインジウムとを構成元素に含む窒化物系化合物半導体からなる反応源供給層４が形成されている。領域Ｂにおける金属化合物領域２は、領域Ａにおける金属化合物領域２よりも厚く形成され、領域ＢにおけるＡｌＮ層３は、領域ＡにおけるＡｌＮ層３よりも薄く形成されている。 （もっと読む）

本発明は発光デバイスに関する。この発光デバイスには、第１の光出射側（１）と、第２の光出射側（２）と、これら第１の光出射側（１）と第２の光出射側（２）との間に配置された有機積層体（３）が設けられている。発光デバイス動作中、第１の光出射側（１）と第２の光出射側（２）を介して、それぞれ異なる光特性をもつ光（２１，２２）が出射される。
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【課題】間接遷移型半導体でありながら直接遷移型半導体と同程度の内部量子効率を持つ紫外線発光素子を提供する。
【解決手段】
励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層あるいはｐｎ接合による活性領域を形成し、活性層あるいは活性領域に電流注入する電極を有する内部量子効率が10%以上であることを特徴とする発光素子。
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