【課題】色度のばらつきを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、複数の半導体発光装置が一括形成された半導体発光装置ウェーハであって、発光部と、波長変換部と、を備えた半導体発光装置ウェーハが提供される。前記発光部は、第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する。前記波長変換部は、前記第１の主面側に設けられ、蛍光体を含有する。前記波長変換部の厚さは、前記発光部から出射する光の前記ウェーハの面内における波長及び強度の少なくともいずれかの分布に基づいて変化してなる。 （もっと読む）

【課題】 ４元発光層とＧａＰ基板との接合界面において酸素、炭素等の不純物が発生し、通電した際に順方向電圧が上昇することを抑制し、これによって順方向電圧に対する寿命特性の悪化を抑制することができる化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子を提供する。
【解決手段】 少なくともｎ型ＧａＰ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰからなるｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層が順次積層された４元発光層を有し、４元発光層の、ｎ型ＧａＰ基板側の主表面の反対側となる主表面上に、電流拡散層であるｐ型ＧａＰ層が積層された化合物半導体基板であって、ｎ型ＧａＰ基板と４元発光層との間に、ｎ型クラッド層よりもキャリア濃度の高い、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰからなる高濃度キャリア層が形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を成長基板として用いた場合に問題となる、窒化物成長時における線欠陥の発生を低減化できる、シリコン基板を成長基板として用いる窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成される窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体とを含むことを特徴とする。特に、前記窒化物成長用シード層はＧａＮパウダーで形成される。 （もっと読む）

【課題】パターン化された格子緩衝層を用いて窒化物の結晶性を向上させることができ、エアホールを形成することによって輝度を向上させることができる窒化物系発光素子及びその製造方法について開示する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、基板上にウルツ鉱型格子構造を有する物質を蒸着して蒸着層を形成し、前記蒸着層の表面にエッチングパターンを形成することによって、パターン化された格子緩衝層を形成し、前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させることを含み、前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させるとき、前記パターン化された格子緩衝層を除去し、前記除去された部分にエアギャップを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶品質のｐ―タイプの窒化物層を含む窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成されるパウダータイプの窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に形成されるｐ―タイプの窒化物層と、前記ｐ―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるｎ―タイプのＺｎＯ層とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯパウダーのようなウルツ鉱型格子構造を有する物質のパウダーを用いた窒化物系発光素子及びその製造方法について開示する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体とを含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成されることを特徴とする。このとき、前記格子緩衝層はＺｎＯパウダーで形成され、窒化物の成長時に発生する線欠陥を最少化することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い半導体層を有するｎ−ｄｏｗｎ型の半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイス５は、支持基板６０と、支持基板６０上に配置された導電層５０と、導電層５０上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２００とを含み、ＩＩＩ族窒化物半導体層２００のうち導電層５０に隣接する導電層隣接ＩＩＩ族窒化物半導体層２００ｃは、ｎ型導電性を有し、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下であり、酸素濃度が５×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】高いマイグレーション防止性と水素ブロック性とを両立する半導体発光素子、半導体発光素子の保護膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に形成された複数の半導体層１２〜１４と、複数の半導体層１２〜１４の電極となる電極部１５、１６及び電極部１７、１８とを有する半導体発光素子において、その保護膜として、複数の半導体層１２〜１４、電極部１５、１６及び電極部１７、１８の周囲を、膜中のＳｉ−Ｈ結合量が１．０×１０²⁰［個／ｃｍ³］以下の窒化珪素からなるＳｉＮ膜２１で被覆する。 （もっと読む）

【課題】発光強度や駆動電圧を悪化させることなく静電耐圧を向上させる。
【解決手段】発光層７のｎ電極１２側に、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜０．３）からなる第１の層とＧａＮからなる第２の層とを交互に積層した多重層６の第１の層に、ｎ導電型不純物がその濃度として５×１０^１７ｃｍ^−３〜１×１０^１８ｃｍ^−３の範囲で添加されて、発光層７が受ける静電破壊エネルギ（ｍＪ／ｃｍ^２）が２０以上４０以下とされていることにより、静電破壊の原因となる高電圧の電荷が発光層に印加されるときのエネルギを発光層に印加されないようなインピーダンスとなるような多重層の不純物濃度に制御する。 （もっと読む）

【課題】窒化物膜の酸化の進行を抑制し信頼性が高く、優れた光学特性を有する誘電体多層膜を備える半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子(100)は、発光又は受光素子構造を含む半導体の積層体(20)と、該積層体(20)の外面を被覆する誘電体多層膜(40)と、を備え、前記誘電体多層膜(40)は、窒化物の第１膜(41)と、該第１膜(41)に接して設けられた酸化ホウ素の第２膜(42)と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持基板と半導体層とを分離するために照射される光について、支持基板と半導体層との間に形成される中間層の光熱変換層で吸収されずに中間層外に透過する率を低減する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、光熱変換層２１と光透過抑制構造層２７とを含む中間層２０を有する積層支持基板１の作製工程と、積層貼り合わせ基板２の作製工程と、エピ成長用積層支持基板３の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の作製工程と、デバイス用積層ウエハ５の作製工程と、透明半導体積層ウエハ６を含む半導体デバイス７の作製工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】上記問題を解決し、従来に無い発光パターンを有し、エッチング加工性が改善された、ラージチップ型のＧａＮ系発光素子を提供すること。
【解決手段】基板１上に、積層体Ｓを形成し、該積層体Ｓには上面から凹部ｈを複数形成し、各凹部内にｎ型層を露出させる。該積層体Ｓの上面の残された領域にはｐ電極Ｐ２を設け、第ｐ電極を絶縁体層ｍで覆う。各凹部内に露出したｎ型層にはｎ電極Ｐ１を設け、記絶縁体層ｍを越えて凹部内同士を結ぶ導体層Ｐ３によって、ｎ電極同士を互いに接続し、発光部が網目状に広がったラージチップ型の窒化物半導体発光素子とする。積層体Ｓは、窒化物半導体からなり、例えば、ｎ型層２とｐ型層４とが発光層３を挟んでいる積層構造を有し、ｎ型層は基板側に位置している。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く光取り出し効率が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光層と、透光層と、第１窒化物半導体層と、第２窒化物半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光層は、窒化物半導体の活性層を含む。前記透光層は、前記発光層から放出される光に対して透光性を有し、酸化珪素、または、任意の元素が添加された酸化珪素からなり非晶質である。前記第１窒化物半導体層は、前記発光層と前記透光層との間において前記透光層に接する。前記第１窒化物半導体層は、前記透光層の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記活性層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、面内方向の引っ張り応力を有し、第１導電形である。前記第２窒化物半導体層は、前記発光層の前記透光層とは反対側の面に設けられ、第２導電形である。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第１の層と、該第１の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第２の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第１の層に含まれるシリコン原子の量は、第２の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第１の層と前記第２の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 （もっと読む）

【課題】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイの逆バイアス状態のモレ電流を低減する。
【解決手段】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイ１０Ａは、ｐ型閉じ込め層１２Ａと、光を放射するように構成されたｐ型閉じ込め層上の活性層１４Ａと、活性層を保護するように構成された少なくとも１つのエッチング停止層２２Ａを有するｎ型閉じ込め構造１６Ａとを含む。垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイを製造する方法は、キャリア基板２４Ａを提供するステップと、少なくとも１つのエッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造をキャリア基板に形成するステップと、ｎ型閉じ込め構造に活性層を形成するステップと、活性層にｐ型閉じ込め層を形成するステップと、キャリア基板を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態は、基板上にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順次成長させて発光構造物を形成する段階と、上記ｐ型窒化物半導体層の上にスパッタリング工程を用いて透明電極を形成する段階と、上記スパッタリング工程の前又は上記スパッタリング工程中に当該スパッタリング工程が行われる反応室内部を窒素ガス雰囲気にする段階と、を含む半導体発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 生産性を向上させることが可能な発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子の製造方法は、単結晶基板５の上面５Ａに、単結晶基板５と異なる熱膨張係数を有し、底面６Ｂが単結晶基板５と接するとともに、頂面６Ａ方向から底面６Ｂに向かうにつれて単結晶基板５の上面５Ａと平行な断面積が頂面６Ａの面積よりも小さくなる突起部６を複数有する基体４を準備する工程と、突起部６の頂面６Ａに、熱膨張係数が単結晶基板５よりも突起部６を構成する材料に近い半導体層２を成長させる工程と、しかる後、温度を降下させることによって、単結晶基板５と複数の突起部６との間に熱応力を生じさせて突起部６と単結晶基板５とを両者の界面付近で分断し、半導体層２側に突起部６の残存部を凸状体３として複数形成する工程とを有する。そのため、単結晶基板５を容易に除去することができ、生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体形成に好適な、シリコンウェーハをベースとした安価な形成用基板を提供することである。また、厚膜の窒化物半導体エピタキシャル層を成長させた場合でも、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、反り・クラックの発生を低減し、機械的強度や、熱的強度に優れた窒化物半導体形成用基板を提供すること。
【解決手段】ボロンとゲルマニウムとが特定濃度でドープされており、好ましくはボロンとゲルマニウムの濃度比において、ゲルマニウムの濃度をボロンの濃度の５〜８倍と制御したシリコンウェーハ。 （もっと読む）

【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、活性層を有する半導体積層体１４の一方の表面に設けられる複数の分配電極１２と、半導体積層体１４の一方の表面側に設けられ、複数の分配電極１２を覆う透明導電膜２１と、半導体積層体１４の他方の表面側に設けられる導電反射層９と半導体積層体１４との間に位置する誘電体層１５と、誘電体層１５の内部で導電反射層９と半導体積層体１４とを電気的に接続し、平面視にて複数の分配電極１２に重ならない位置に設けられる界面電極８と、透明導電膜２１を介して複数の分配電極１２に電気的に接続し、平面視にて分配電極１２及び界面電極８に重ならない位置に設けられる表面電極１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】高電力ランプ及び電力デバイスに改善された熱管理を行うための光デバイスの提供。
【解決手段】高電力半導体構成要素構造は、電気信号に応答して動作するように構成された半導体デバイスを備え、この半導体デバイスは、動作中に電気信号に応答して昇温する。ヒートシンク１９が、半導体デバイスからの熱が第１のヒートシンク内に伝達するように、半導体デバイスに熱接触して配置される。ヒートシンクは、３次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料からなる多孔質材料領域を少なくとも部分的に備え、細孔構造の表面が、熱が周囲空気中に放散する表面積をもたらす。 （もっと読む）