【課題】発光効率を向上可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１０は、半導体基板１と、シリコン量子ドット２〜４と、絶縁膜５と、電極６を備える。半導体基板１は、ｎ^＋型単結晶シリコンからなる。絶縁膜５は、二酸化シリコン膜からなり、半導体基板１上に形成される。シリコン量子ドット２は、半導体基板１との間にキャリアがトンネル可能な膜厚を有する絶縁膜が存在するように絶縁膜５中に形成される。シリコン量子ドット３は、シリコン量子ドット２上に形成される。シリコン量子ドット４は、シリコン量子ドット３上に形成される。電極６は、ｐ^＋ｐｏｌｙ−Ｓｉからなり、絶縁膜５上に形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、ＬＥＤを構成するIII−Ｖ族半導体結晶と線熱膨張率の差が小さく、かつ熱伝導性に優れ、更に製造時に使用される酸及びアルカリ溶液に対する耐薬品性に優れた高出力ＬＥＤ用として好適なＬＥＤ発光素子用保持基板を提供することである。
【解決手段】炭化珪素からなる多孔体に、溶湯鍛造法にてアルミニウム合金を含浸し、板厚０．０５〜１．０ｍｍ、表面粗さ０．０１〜０．５μｍに加工した後、蒸着法又はスパッタリング法により基板表面に厚み０．０５〜２μｍのアルミニウム層を形成し、不活性ガス又は真空雰囲気中、温度４６０〜６５０℃で１分間以上加熱処理した後、めっき処理により、厚み０．５〜５μｍのＮｉめっき層、および厚み０．０５〜２μｍの金めっき層を形成、又は蒸着法又はスパッタリング法により０．１〜２μｍの金属層を形成する。
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【課題】マイクロエレクトロニクス・デバイス構造の組み立てのために用い得るブールの提供。
【解決手段】相応する天然III−Ｖ族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、１時間に２０μｍを上回る成長速度で、III−Ｖ族窒化物材料を成長させることにより、III−Ｖ族窒化物ブールを形成する。形成されるブールは、マイクロエレクトロニクス・デバイス品質を含み、例えば、１ｃｍより大きい断面寸法、１ｍｍを超える長さ、および１ｃｍ²あたり１０⁷未満欠陥の上面欠陥密度を有する。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面と前記第１結晶成長面と同じ方向に面している第２結晶成長面を有する下地基板であって、前記第１結晶成長面の周縁の５０％以上に下向きの段差を介して前記第２結晶成長面が連接しており、前記段差の高さが０．１〜５ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて高い発光効率でありながら、少ない消費電力で優れた発光特性の発揮を期待することのできる、弾道電子を用いた発光素子の提供する。
【解決手段】一対の電極（陰極１０、陽極５０）の間に、ｎ−Ｓｉ基板２０、ＭｇＯ層３０（強電界層）、ｐ型半導体層４０（発光層）を順次介設する。駆動時には一対の電極１０、５０間に５Ｖ程度の電圧印加を行い、ＭｇＯ層３０内に強電界を形成する。陰極１０側から放たれた電子をＭｇＯ層３０内の電界で加速して弾道電子とし、ｐ型半導体層４０に打ち込む。そしてｐ型半導体層４０中でキャリア再結合過程を経ることで発光する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層をエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ｐ型ドーパントガスを前記ｐ型層のエピタキシャル成長時より多く流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層のエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ＨＶＰＥ炉内に窒素ガスを流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】光学的用途に適した、改良されたスピネル材料ならびにそれらの改良された製造方法を提供する。
【解決手段】融液法により形成される単結晶スピネルブールであり、そのブールは非化学量論的な組成を有し、約２０％以上の収率で表される、減少した機械的応力もしくはひずみを有し、ここで収率は式Ｗi/（Ｗi＋Ｗf）×１００％であり、Ｗi＝ブールから加工処理された無傷ウェハの数、そしてＷf＝ブールにおける機械的内部応力もしくはひずみによる、ブールからの破壊されたウェハの数である、単結晶スピネルブール。前記単結晶スピネル非化学量論的組成を有し、波長範囲にわたって吸光率により表される透明性窓を有し、その波長範囲は通常、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍに延び、透明性窓は波長範囲に沿って最大単一吸光率ピーク高さとして定義され、最大単一吸光率ピーク高さは０．３５cm−１以下である （もっと読む）

【課題】結晶性に優れ、発光効率が高く、逆耐圧特性の経時劣化が少ない窒化物半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に窒化物半導体からなるｎ型層、発光層およびｐ型層をこの順序で積層させ、発光層は井戸層を該井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい障壁層で挟んだ量子井戸構造とした、量子井戸構造の発光層を有する窒化物半導体発光素子の製造方法において、障壁層の成長工程が、井戸層の成長温度よりも５０℃以上高い一定温度で障壁層Ｃを成長する工程と、当該障壁層Ｃを成長する工程の後に、井戸層の成長温度と同じ一定温度で障壁層Ｅを成長する工程とを含み、さらに前記障壁層Ｃを成長する工程の前に、井戸層の成長温度と同じ一定温度で障壁層Ａを成長する工程を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面上にニトリド半導体素子の層構造を製造する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、シリコン表面を有する基板を提供する工程、アルミニウム含有のニトリド核形成層を基板のシリコン表面上に堆積させ、場合によりアルミニウム含有のニトリドバッファ層をニトリド核形成層上に堆積させ、マスキング層をニトリド核形成層又は存在する場合には第一のニトリドバッファ層上に堆積させ、かつガリウム含有の第一のニトリド半導体層をマスキング層上に堆積させる工程から成る。
【効果】完成した層構造中の引張応力は、公知の解決法と比べて減少する。 （もっと読む）

【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド薄膜内に存在する結晶欠陥、不純物等を減少させ、高品質なダイヤモンド薄膜を作製可能なダイヤモンド薄膜作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンドが安定な高圧力下でアニールを行う。これにより、結晶中に含まれる格子欠陥等が回復、除去され、ダイヤモンド結晶薄膜を高品質化する事ができる。「（ダイヤモンドが）安定な、安定に」とは、ダイヤモンドがグラファイト化せずにダイヤモンドの状態を保つ状態を指す。ダイヤモンドが安定にアニール出来る領域内でアニールを行う温度（アニール温度、とも呼ぶ）Ｔおよびアニールを行う圧力（アニール圧力、とも呼ぶ）Ｐが決定される。この領域は、図２１に示される、Ｐ＞０．７１＋０．００２７ＴまたはＰ＝０．７１＋０．００２７Ｔを満たし、なおかつＰ≧１．５ＧＰａの領域である。このような領域は、図２１中の斜線部分である。 （もっと読む）

【課題】イオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニールにより起こるダイヤモンド表面のエッチングを防ぎ、従来の方法では得られない高品質Ｐ型、Ｎ型ダイヤモンド半導体を得るダイヤモンド半導体の作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板５−１１を用意し、そのダイヤモンド基板５−１１上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとして基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜５−１２を１μｍ積層する。上記ダイヤモンド薄膜５−１２にイオン注入装置を用い、加速電圧６０ｋＶ、ドーズ量１×１０^１４ｃｍ^−２でドーパントを打ち込む。その後、イオン注入ダイヤモンド薄膜５−１３上に保護層（白金）５−１４を形成する。表面に保護層５−１４が形成されたイオン注入ダイヤモンド薄膜５−１３を、超高温高圧焼成炉内に配置し、３．５ＧＰａ以上、６００℃以上の圧力、温度下でアニールする。 （もっと読む）

【課題】成長途中に生じる凹部を縮小させ、バルク状でかつ結晶性の高い窒化物半導体単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法による窒化物半導体単結晶の製造方法であって、種基板１との界面の裏側に主面および凹部を有する第１の窒化物半導体単結晶部２を前記種基板１上に成長させる工程と、前記凹部内にマスク４を設ける工程と、前記マスク４を覆うように前記第１の窒化物半導体結晶部２上に第２の窒化物半導体結晶部を成長させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光効率が向上した発光素子及び発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明による発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に形成され、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含み、上部領域に酸素（Ｏ_２）が注入された酸素注入領域を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に電極と、を含む。上記電極は、上記発光構造物と隣接した第１領域、及び上記第１領域の上に第２領域を含み、上記第１領域の酸化物の濃度が上記第２領域の酸化物の濃度より高い。 （もっと読む）

【課題】割れやクラックを生じることなく、複数枚の窒化物半導体自立基板を取得可能な構造を有する窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】厚さ２ｍｍ以上に同種の窒化物半導体層が積層され、且つ前記積層された同種の窒化物半導体層は、不純物濃度の低い窒化物半導体層１と不純物濃度の高い窒化物半導体層２とが交互に２周期以上積層されて構成されている窒化物半導体結晶１０を製造する。この後、積層形成された前記窒化物半導体結晶１０を、前記不純物濃度の低い窒化物半導体層１を切断位置にしてスライスする窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、一方主面２Ａに向かって光を発する光半導体層２と、一方主面２Ａとなす内角ｔ１が９０度未満の傾斜面４を有するとともに、光半導体層２の一方主面２Ａ上に列をなして配置された複数の光透過性の突起３と、を含み、複数の突起３を平面視したとき、それぞれの傾斜面４が、複数の突起３が配置された列の一方方向に向けて配置され、複数の突起３を列方向Ｇｅと垂直な方向から断面視したとき、その断面外郭線が一方主面２Ａの法線Ｈｂに対して非線対称形状である。 （もっと読む）

【課題】 ダイオードベースのデバイスとその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板、前記基板の一部を露出する、少なくとも１のアスペクト比を有する開口を含む誘電材料、前記開口内の少なくとも一部に設置された下領域と前記開口上に延伸した上領域を含み、前記基板と格子不整合の半導体材料を含む下ダイオード材料、前記下ダイオード材料の前記上領域に隣接した上ダイオード材料、及び前記上ダイオード材料と下ダイオード材料の間にあり、前記基板の上表面から離れて延伸した表面を含む活性ダイオード領域を含むダイオード。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ含有へテロ層スタックと、光透過率のために粗面化された表面とを含む半導体デバイスの改良された製造方法の提供。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族材料の伝導層２を成長させる工程と、伝導層２の上に、伝導層２の第１部分が露出するようにマスクを形成する工程と、伝導層２の第１露出部分を部分的に分解してする工程とを含む。好適には、分解を伴う１つの工程で再堆積が起こり、複数の成長結晶３の結晶ファセット３１に基づきテクスチュア表面を得る。結果のデバイスは、好適には、発光素子を含む。この伝導層は、上側に存在するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の導電性制御を効率よく行うことができるＧａ_２Ｏ_３系単結晶の導電率制御方法を提供する。
【解決手段】ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板と、このｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板の上に、ｎ型β−ＡｌＧａＯ_３クラッド層、活性層、ｐ型β−ＡｌＧａＯ_３クラッド層およびｐ型β−Ｇａ_２Ｏ_３コンタクト層とを備えた発光素子において、Ｓｉ濃度を１×１０^−５〜１ｍｏｌ％に変化させることにより、抵抗率が２．０×１０^−３〜８×１０^２Ωｃｍ、キャリア濃度が５．５×１０^１５〜２．０×１０^１９／ｃｍ^３の範囲に制御するものである。 （もっと読む）