【課題】ホウ素ドープダイヤモンド層（ｐ形ダイヤモンド層）に存在する正孔の流出を抑制して、ホウ素ドープダイヤモンド層での発光効率を向上させ、高輝度の紫外線や可視光線を発する発光素子を提供する。
【解決手段】ホウ素がドープされたｐ形ダイヤモンド層と、バンドギャップが５．４７ｅＶ超であり、酸化物、フッ化物、またはこれらの混合物からなる正孔流出阻止層と、電子注入層とが順次積層された構造を有することを特徴とするダイヤモンド半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子において高い外部量子効率を安定に確保する。
【解決手段】 基板（１０）の表面部分には活性層（１２）で発生した光を散乱又は回析させる少なくとも１つの凹部（２０）及び／又は凸部（２１）を形成する。凹部及／又は凸部は半導体層（１１、１３）に結晶欠陥を発生させないように、第１の傾斜面（２２）、第２の傾斜面（２３）、又は第１，２の傾斜角θ_１、θ_２を有する側面形状とする。好ましくは、θ_１＞θ_２となるような第１，２の傾斜面（２２，２３）もしくは突出した曲面の側面（２６）で構成する。 （もっと読む）

【課題】発光面積を維持しつつ、順方向電圧の上昇を抑制できる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の半導体層と、発光層２５と、第１導電型とは異なる第２導電型の半導体層とを含む窒化物化合物半導体からなる半導体積層構造と、第２導電型の半導体層にオーミック接触するｐコンタクト電極３０と、ｐコンタクト電極３０にオーミック接触する点状の第２電極と、第２導電型の半導体層及び発光層２５の一部が除去されて露出した第１導電型の半導体層にオーミック接触すると共に、第２電極の数より多く設けられる複数の点状の第１電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減させることができ、歩留りを向上させることのできる発光素子の製造方法及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１の製造方法は、ｎ型半導体層と発光層２５とｐ型半導体層とを含む半導体積層構造の一部を除去して、ｎ型半導体層の表面の一部を露出させる工程と、ｐ型半導体層上に拡散電極３０を形成する工程と、拡散電極３０上にｐ電極４２を形成すると同時に露出したｎ型半導体層上にｐ電極４２と同一材料からなるｎ電極４０を形成する工程と、絶縁層５０を形成する工程と、ｐ電極４２及びｎ電極４０上の絶縁層５０を除去して、ｐ電極４２上及びｎ電極４０上に開口５２を形成する工程と、ｐ電極４２上及びｎ電極４０上の開口５２にバリア層７０を形成する工程と、ｐ電極４２上及びｎ電極４０上に形成したバリア層７０上にはんだ層８０を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤとの線膨張率差が小さく、しかも熱伝導性に優れたＬＥＤ搭載構造体と、ＬＥＤ搭載構造体の製造方法と、ＬＥＤ搭載構造体を製造するためのＬＥＤ搭載用基板を提供する。
【解決手段】炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化珪素、ダイヤモンド及び黒鉛の中から選ばれる１種類以上の粒子からなる多孔体に、溶湯鍛造法にてアルミニウム合金を含浸し、板厚０．０５〜０．５ｍｍで、表面粗さ（Ｒａ）０．０１〜０．５μｍに加工した後、表面のアルミニウム合金を０．５〜１０μmエッチング除去し、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｓｎの中から選ばれる１種類以上の金属層を形成し、且つ、全表面の５０％〜９０％の面積が、セラミックス粒子が露出してなることを特徴とするＬＥＤ搭載用基板。それを用いたＬＥＤ搭載構造体及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶の破壊の原因になる亀裂（クラック）が生じにくい窒化物半導体自立基板、窒化物半導体自立基板の製造方法、及び窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】直径が４０ｍｍ以上、厚さが１００μｍ以上の窒化物半導体単結晶を準備しＳ１０，Ｓ２０、前記窒化物半導体単結晶の表面と、裏面と、側面との全体を保護膜で被覆して被覆基板を形成するＳ３０。前記被覆基板を１３００℃より高い温度下において２０時間以上の熱処理Ｓ４０を施した後、前記被覆基板から前記保護膜を除去して窒化物半導体自立基板を形成するＳ５０。これにより、直径が４０ｍｍ以上、厚さが１００μｍ以上であり、転位密度が５×１０^６／ｃｍ^２以下であり、不純物濃度が４×１０^１９／ｃｍ^３以下であり、最大荷重が１ｍＮ以上５０ｍＮ以下の範囲内におけるナノインデンテーション硬さが１９．０ＧＰａ以上である窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）

【課題】第２電極の特にカバーメタルを高い信頼性、高い精度をもって形成することを可能とする半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法において、積層構造体２０を構成する第２電極３０を、（ａ）第２化合物半導体層２２上に、銀を含む第１層３１及びアルミニウムを含む第２層３２から構成された第２電極構造体３３を形成した後、（ｂ）第２電極構造体３３にジンケート処理を施して、第２電極構造体３３上に亜鉛層３４ａを析出させ、次いで、（ｃ）第２電極構造体に無電解ニッケルメッキを施す各工程に基づき形成する。 （もっと読む）

【課題】表面が（１１１）面以外であるシリコン層と、表面が（０００１）面である窒化物半導体層とを基板に設け、かつシリコンと窒化物半導体の線膨張係数の違いに起因した応力を小さくする。
【解決手段】まずＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を準備する。ＳＯＩ基板は、表面が（１１１）面であるシリコン基板１００上に絶縁層１２０及びシリコン層２００を積層した基板である。シリコン層２００は、表面が（１１１）面以外の面方位である。次いで、絶縁層１２０及びシリコン層２００に、底面にシリコン基板１００が露出している開口部２０１を形成する。次いで、開口部２０１内にＩＩＩ族の窒化物半導体層３００を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード組み立て時のワイヤーボンディング工程においてクレータリングの発生を低減することができ、よって歩留りを向上させることができるエピタキシャルウェーハ及び発光ダイオードを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたｎ型層および該ｎ型層上にｐ型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記ｎ型層および前記ｐ型層はＧａＡｓＰまたはＧａＰであり、前記ｐ型層は少なくとも第１ｐ型層と、該第１ｐ型層より上にありキャリア濃度が高い第２ｐ型層とを有し、更に、前記ｎ型層と前記第１ｐ型層との間にｐ型キャリア濃度が漸増する第１ｐ型キャリア濃度増加層と、前記第１ｐ型層と前記第２ｐ型層との間にｐ型キャリア濃度が漸増する第２ｐ型キャリア濃度増加層を有するものであることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】サセプタなどを大型化することなく、一度に気相成長できる半導体薄膜の面積を多くできる自公転型の気相成長装置を提供する。
【解決手段】円盤状のサセプタ１２に形成された円形開口内に設けられた軸受部材１３と、軸受部材に回転可能に載置された均熱板１４と、均熱板上に載置された外歯車部材１５と、該外歯車部材に噛合する内歯車を備えたリング状の固定内歯車部材１７と、外歯車部材に保持された基板１８をサセプタの裏面側から加熱する加熱手段１９と、基板表面に平行な方向に原料ガスを導くフローチャンネル２０とを備えた自公転機構を有する横形気相成長装置において、軸受部材の外径又は外歯車部材の歯車基準円直径を基板の外径より小さい寸法とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、欠陥密度レベルの減少した、エピタキシーによる窒化ガリウム膜の製造に関する。それは、ＧａＮのエピタキシャル付着により窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を製造するための方法に関する。
【解決手段】本発明は、それが少なくとも１ステップのエピタキシャル横方向成長を含んでなり、それがＧａＮ基板への直接的イオン注入による脆化でその基板からＧａＮ層の一部を分離させるステップを含んでなることで特徴付けられる。本発明は、上記方法で得られる膜、並びに該窒化ガリウム膜を備えた光電子および電子部品にも関する。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを低減でき、クラック発生を抑制することができるIII族窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板とＧａＮ自立基板となるＧａＮ厚膜との間にボイド形成ＧａＮ層を設け、ＧａＮ厚膜の成長終了後にボイド形成ＧａＮ層を境にＧａＮ厚膜を剥離させて作製したｎ型ＧａＮ自立基板において、前記板の外周部のキャリア濃度が、それより内側のキャリア濃度よりも低いキャリア濃度分布とする。これにより、基板外周部側の圧縮歪が基板中心部側の圧縮歪よりも低減し、基板の応力が緩和されので、基板の反りが低減するとともに、クラックの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、光出力の向上を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛基板１ａの一表面側に形成されｐ型窒化物半導体層１１およびｎ型窒化物半導体層１３を有するＬＥＤ薄膜部１ｂを備えた半導体発光素子１と、該半導体発光素子１の酸化亜鉛基板１ａにおける他表面側が光取り出し面となるように金属バンプ３，４を介して半導体発光素子１を実装する実装基板２と、を有する発光装置２０であって、半導体発光素子１は、平面視において酸化亜鉛基板１ａの前記一表面側における外周部１ｄが露出するように酸化亜鉛基板１ａよりも小さいＬＥＤ薄膜部１ｂを備えてなり、金属バンプ３，４が、酸化亜鉛基板１ａの外周部１ｄにＬＥＤ薄膜部１ｂを囲むように設けられる複数個の第一の金属バンプ３と、ＬＥＤ薄膜部１ｂにおける酸化亜鉛基板１ａと対向する表面側に設けられる複数個の第二の金属バンプ４を備えている。 （もっと読む）

【課題】蒸着の回数などの工程数増加によるコストも抑えることができ、また電極のめくれ、ハガレの不良の発生を防ぐことを考慮しつつ、ＬＥＤランプ組立工程でのワイヤーボンド部のワイヤーと電極と間の圧着部分の密着強度の強い電極の形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ｎ型半導体結晶と発光層とｐ型半導体結晶とがこの順で形成された半導体結晶にオーミック電極を形成する方法であって、半導体結晶のｐ型半導体結晶の表面上に、少なくとも、第一金属層としてＡｕを蒸着させ、第一金属層上に第二金属層としてＡｕＢｅ合金材料とＡｕの混合物を蒸着させてＡｕＢｅ合金を形成し、第二金属層上に第三金属層としてＡｕを蒸着させ、その後熱処理を行ってオーミック電極を形成することを特徴とする電極の形成方法。 （もっと読む）

【課題】レーザリフトオフのためのレーザ照射時の、未照射領域への応力の緩和。
【解決手段】２．Ａにおいて、拡大素子領域Ａ１は前回までにレーザ照射済であり、応力緩和領域Ｂ２と拡大素子領域Ａ２は今回レーザ照射中であり、応力緩和領域Ｂ３及びＢ４並びに拡大素子領域Ａ３及びＡ４はレーザ未照射である。応力緩和領域Ｂ２と拡大素子領域Ａ２のｎ型層１１の、エピタキシャル成長基板１００との界面付近の分解により窒素ガスが発生し、溝ｔｒ１ｂ、ｔｒ２ａ及びｔｒ２ｂから排出される。この際、非常に大きな体積膨張が生じる。拡大素子領域Ａ１のエピタキシャル層１０は、エピタキシャル成長基板１００と剥離しており、大きな応力はかからない。応力緩和領域Ｂ３のエピタキシャル層１０は、エピタキシャル成長基板１００と接合しているので、大きな応力がかかる。しかし、更にその右側の領域である拡大素子領域Ａ３には応力が直接には及ばない。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向特性の良好な中間層を形成し、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体を形成でき、優れた発光特性及び生産性を実現可能なＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１１に対してプラズマ処理を行う前処理工程と、該前処理工程に次いで、基板１１上に中間層１２をスパッタ法によって成膜するスパッタ工程とが備えられ、前処理工程は、基板１１の温度を２５〜１０００℃の範囲として行なうものであり、また、前処理工程及びスパッタ工程は同一のチャンバ内で行うものであり、またさらに、スパッタ工程は、中間層１２のＸ線ロッキングカーブを、ピーク分離手法を用いて、半価幅が７２０ａｒｃｓｅｃ以上であるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、ブロード成分に対応する結晶組織の領域の割合を、中間層１２の面積比で３０％以下として、中間層１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の表面平坦性低下は抑制しつつ、成長速度の向上が図られたＺｎＯ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、無電極放電管３ａと５ａにＯとＮを含むガスを導入し、放電して第１のビームを発生させる工程と、成長温度を６００℃以上として、基板の上方に、Ｚｎソースガン２から、少なくともＺｎを供給するとともに、無電極放電管３ａと５ａから第１のビームを供給して、ｎ型ＺｎＯ系半導体層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】異種基板上へＺｎＯ系半導体結晶を高温で成長可能なヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】異種基板４０上に酸化物または窒化物の配向膜からなるバッファ層４２を形成する工程と、バッファ層上にハロゲン化ＩＩ族金属と酸素原料を用いて、ＺｎＯ系半導体層４４，４６を結晶成長する工程とを有するヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法は非極性面を有する種結晶を準備し、前記非極性面からＩＩＩ族窒化物半導体を気相中で成長させる成長工程を具備し、前記成長工程は、前記種結晶の＋Ｃ軸方向に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体層を支持基板上に有する基板生産物を製造するために、異種基板同士を貼り合わせる工程を含む方法において、所望の半導体デバイスに適した基板を選択可能な方法を提供する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体から成る第１の基板１０の表層と、窒化物系化合物半導体とは異なる材料から成る第２の基板２０の表面２０ａとを互いに接合させる。第１の基板１０のうち表層を含む部分を層状に残して他の部分を除去することにより、窒化物系化合物半導体層３０を第２の基板２０上に形成する。窒化物系化合物半導体層３０の表面３０ａと、窒化物系化合物半導体層３０及び第２の基板２０の双方と異なる材料から成る支持基板４０の表面４０ａとを互いに接合させたのち、第２の基板２０を窒化物系化合物半導体層３０から剥離させる。 （もっと読む）