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発光ダイオード (162,814) | LED形式 (36,241) | 製造方法 (9,002) | 母体成長 (4,236) | 気相成長(VPE) (3,285)

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【課題】発光ダイオードを用いたディスプレイのコストを低減する。
【解決手段】基板と、基板上に設けられた電流供給線330および複数の画素電極32と、複数の画素電極32の各々の上にランダムに散布された複数の粒子状発光ダイオードと、複数の粒子状発光ダイオードを覆う対向電極とを備えている。電流供給線330と画素電極32の間には、過電流により導通が絶たれるヒューズ部331を有している。この結晶性半導体の外周面は、複数の平坦な結晶格子面からなる。活性層は第1半導体の周囲の一部に形成されている。第2半導体は活性層の周囲を覆っている。第1半導体は対向電極と電気的に接続されている。第2半導体は、画素電極32と電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】コストを低減し、かつ反りを低減したAlGaAs支持基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、LEDの製造方法、AlGaAs支持基板、エピタキシャルウエハおよびLEDを提供する。
【解決手段】AlGaAs支持基板10は、主表面11aと、主表面11aと反対側の裏面11bとを有するGaAs基板11と、GaAs基板11の主表面11a側に形成された第1のAlxGa(1-x)As層12と、GaAs基板11の裏面11b側に形成された第2のAlyGa(1-y)As層13とを備えている。AlGaAs支持基板10の製造方法は、以下の工程を備えている。GaAs基板11を準備する。主表面11a側に、液相成長法により第1のAlxGa(1-x)As層12を形成する。裏面11b側に、液相成長法により第2のAlyGa(1-y)As層13を形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明によれば、結晶性が向上したIII族窒化物半導体積層構造体を生産性良く得ることができる。
【解決手段】サファイア基板表面に、シード層として、縦断面TEM(透過型電子顕微鏡)写真の200nm観察視野において結晶粒界が観察されないAlN結晶膜を形成させ、ついでIII族窒化物半導体からなる、下地層、n型半導体層、発光層およびp型半導体層を積層してなるIII族窒化物半導体積層構造体を反応炉を用いて製造するに際し、少なくとも下地層を成膜したIII族窒化物半導体積層構造体ウエハーを反応炉から取り出し、ついで次の成膜を別の反応炉で行なう。 (もっと読む)


【課題】歪みを内包する六方晶系III族窒化物からなる発光層を含みこの発光層からの電子の溢れを低減できる窒化物系半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体光素子LE1では、歪みを内包した井戸層21は、c軸方向に延びる基準軸に直交する面に対して傾斜角αで傾斜した基準平面SR1に沿って延びる。傾斜角αは59度より大きく80度未満の範囲及び150度より大きく180度未満の範囲である。負のピエゾ電界を有する発光層SP−に隣接して、障壁層のバンドギャップより大きなバンドギャップを有する窒化ガリウム系半導体層Pが示されている。井戸層W3におけるピエゾ電界の向きはn層からp層への方向であり、窒化ガリウム系半導体層Pにおけるピエゾ電界の向きはp層からn層への方向である。このため、発光層SP−と窒化ガリウム系半導体層Pとの界面には、伝導帯ではなく価電子帯にディップが形成される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、(AlGaIn)Nの光電子デバイス及び電子デバイスのための基材として好適な、高い品質の(AlGaIn)N構造物及びそのような構造物を形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る方法は、半導体構造物を分子線エピタキシー反応槽内で処理すること;基材上にAlInGa(1−(x+y))As(0≦x+y≦1)及びAlInGa(1−(x+y))P(0≦x+y≦1)のうち少なくとも1つを含むぬれ層を成長させること;上記ぬれ層をインシチューアニーリング(in−situ annealing)すること;付加的なリン又はヒ素の流体と共に、プラズマ励起された窒素を窒素源として用いて、上記ぬれ層上に第1のAlGaInN層を成長させること;上記第1のAlGaInN層の上に、窒素源としてアンモニアを用いて第2のAlGaInN層を成長させること;を含む。 (もっと読む)


【課題】励起子発光を実現し、整流特性に優れた半導体結晶微粒子薄膜、およびその成膜方法、および上記薄膜を含有する電界発光素子を提供する。
【解決手段】基板温度を250℃以下とした基板上に、ヘキサ−μ−アセタト−μ4−オキソ−四亜鉛粉末を原料に使用した反応性CVD法により成膜してなる酸化亜鉛からなる半導体結晶微粒子薄膜であって、該結晶微粒子の数平均粒径が0.3〜20.0nmであり、かつ一定量のカルボン酸が亜鉛に配位している。 (もっと読む)


【課題】発光層で生じた光を効率良く外部に取り出すことができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第1半導体層と第2半導体層と第1及び第2半導体層の間に設けられた発光層とを有し、第2半導体層と発光層が選択的に除去されて第2半導体層の側の第1主面に第1半導体層の一部が露出した積層構造体と、第1主面上の第1半導体層上に設けられた第1金属膜を含む第1領域と、第1半導体層上に設けられ、発光層から放出される光に対する反射率が第1金属膜よりも高く、第1半導体層に対する接触抵抗が第1金属膜よりも高い第2金属膜を含む第2領域と、を有し、第1及び第2半導体層にそれぞれ接続された第1及び第2電極と、第1及び第2電極に覆われていない第1及び第2半導体層上に設けられ、屈折率の異なる誘電体膜が複数積層された誘電体積層膜と、を備えた半導体発光素子を提供する。 (もっと読む)


【課題】素子の光取出面積をより拡大することができ、ひいては光取出効率の更なる向上を図ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】 GaP光取出層の(100)主表面を異方性エッチングして面粗し突起部Fを分散形成し、さらに、その頂面を平坦化して、該面粗し突起部Fよりも小さい微小突起SFがさらに分散形成することで、面粗し突起部Fの頂面の総評面積が微小突起SFにより拡大し、光取出効率を大幅に向上することができる。 (もっと読む)


【課題】 素子の光取出面積をより拡大することができ、ひいては光取出効率の更なる向上を図ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子を構成する積層体の、光取出面をなす一方の主表面に有底孔LPを分散形成し、その有底孔LPの内面に異方性エッチング処理による微細な面粗し突起部を分散形成する。光取出面を平坦に形成する場合と比較して、面粗し対象面の総面積が有底孔LPを形成する分だけ増大し、これにさらに面粗し突起部Fを重畳形成することによって、面粗し突起の総形成量を増加させることができる。その結果、異方性エッチングによる面粗し処理のみを行なう従来の手法と比較して、素子の光取出面積をより拡大することができ、ひいては光取出効率の更なる向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】p型第二電流拡散層のp型第一電流拡散層との界面近傍における汚染の少ない、順方向電圧が良好な発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、GaAs基板上にAlGaInPからなる4元発光層をエピタキシャル成長させる工程と、成長させた4元発光層上にp型第一電流拡散層を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程と、成長させたp型第一電流拡散層上にp型第二電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程とを有する発光素子の製造方法であって、少なくとも、p型第一電流拡散層を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程の後、p型第二電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程の前に、HVPE炉内に水素を線速12(m/min)以上で流しながら基板を熱処理する工程を有する発光素子の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】p安定化降下電圧(ΔVf)が良好な発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】GaAs基板上にAlGaInPからなる4元発光層を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程と、4元発光層の基板と反対側となる片方の主表面(第一主面)にp型GaPからなる第一の電流拡散層を気相成長させる工程と、GaAs基板を除去する工程と、GaAs基板が除去された側の発光層の主表面(第二主面)にn型GaPからなる第二の電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程とを有する発光素子の製造方法において、少なくとも、GaAs基板を除去する工程の後、n型GaPからなる第二の電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程の前に、HVPE炉内に水素を線速12(m/min)以上で流しながら熱処理する工程を有する。 (もっと読む)


半導体発光素子を製造する際に、サファイア基板から分離されるグループ3−5族窒化物系半導体からなる多層発光構造体薄膜の損傷を最小化し、その結果、半導体発光素子の全体的な性能を向上させることができる垂直構造半導体発光素子製造用支持基板及びこれを用いた垂直構造半導体発光素子を提供する。本発明による垂直構造半導体発光素子製造用支持基板は、グループ3−5族窒化物系半導体からなる多層発光構造体薄膜が積層される、サファイア基板との熱膨脹係数の差が5ppm以下の物質からなる選択支持基板と、上記選択支持基板上に形成される犠牲層と、上記犠牲層の上部に形成される金属厚膜と、上記金属厚膜の上部に形成され、ソルダリングまたはブレイジング合金物質からなるボンディング層と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ZnO基板上へZnO系半導体結晶を1000℃よりも高い高温で成長可能なホモエピタキシャル成長方法、ホモエピタキシャル結晶構造、ホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】ZnO基板40上に亜鉛含有ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入して、ZnO基板40上にZnO系半導体層46を結晶成長する工程を有し、亜鉛含有ガスの分圧は、1×10-4 気圧以下、結晶成長温度は1000℃以上、VI族元素とII族元素の供給比VI/IIは1以上〜100以下であるホモエピタキシャル成長方法、ホモエピタキシャル結晶構造、ホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 (もっと読む)


【課題】結晶性が高く内部量子効率に優れ、高い発光出力が得られるIII族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板11上にIII族窒化物系化合物からなるAlNシード層12が積層され、該AlNシード層12上に、III族窒化物半導体からなるn型半導体層14、発光層15及びp型半導体層16の各層が順次積層されてなり、p型半導体層16の(0002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が60arcsec以下であり、且つ(10‐10)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が250arcsec以下である。 (もっと読む)


チューブ状の炭素分子の側面に共有結合された少なくとも1つのフラーレン部分を有するカーボンナノバッド分子(3、9、18、23、29、36)は、素子の中で電磁放射線と相互作用するために使用され、電磁放射線との相互作用は当該カーボンナノバッド分子の緩和および/または励起を介して起こる。 (もっと読む)


【課題】
LEDの所望の特性を犠牲にしたり変更することなしに、GaNベースLEDを低コストで大量生産する。
【解決手段】
発光ダイオードにおいて、金を含む金属層及び該金属層上の第1の極性を有する反射導電層(500)と、該反射導電層上の第1の極性を有する第1のGaN層(140)と、該第1のGaN層上の活性層(160)と、該活性層上の第2の極性を有する第2のGaN層(180)と、該第2のGaN層上の透過性導電層(220)と、該透過性導電層上の第2の極性を有する電極(240)とを有して構成され、反射導電層(500)が第1の極性を有する電極として機能する。 (もっと読む)


より高い不純物濃度のアルカリ金属を保有する六方晶系ウルツ鉱基板を使用することによって、低い不純物濃度のアルカリ金属を伴う六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層を得る方法であって、エピタキシャル層がその上に成長させられる基板の表面は、c面とは異なる結晶面を有する方法。本発明の1つ以上の実施形態による、六方晶系ウルツ鉱基板上に成長させられる六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、六方晶系ウルツ鉱基板中のアルカリ金属の不純物濃度よりも低い、六方晶系ウルツ鉱型層中のアルカリ金属の不純物濃度を有し、六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、c面とは異なる結晶面を有する六方晶系ウルツ鉱基板の表面上に成長させられる。
(もっと読む)


【課題】貼り合せプロセス以降のプロセスに耐性を持つ高品質な半導体発光素子とその半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板と、前記支持基板上に順次積層された、AuとInを含む接合金属層と、内部に発光領域を含むエピタキシャル層を備える半導体発光素子およびその製造方法に関する。 (もっと読む)


【課題】従来のGaN薄膜は基板から剥離しやすく、GaN薄膜の結晶性は低下してしまう。そのためGaN薄膜を有する発光素子の発光輝度は低かった。
【解決手段】第1電極と、前記第1の電極に対向する位置に設けられた第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極の間に設けられ、前記第1電極及び前記第2電極と電気的に接続された、GaNを含む窒化物半導体からなる発光層と、前記発光層と前記第1電極とに囲まれた空洞部と、を備える発光素子。 (もっと読む)


【課題】 小型化が可能で、ディスプレイとして使用する場合には、解像度を高くすることが可能な発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板2上には、一導電型半導体層3aと、一導電型半導体層3aに積層される逆導電型半導体層3bを含み、離間して設けられる複数の発光素子3が設けられる。これらの発光素子3を覆うように複数の蛍光体が設けられ、この蛍光体は、発光素子3から放射される光によって励起され、異なる波長の蛍光を発光する複数の蛍光物質をそれぞれ含む。共通カソード電極4は、同じ蛍光体に覆われた発光素子3に含まれる一導電型半導体層3aと電気的に接続され、共通アノード電極5は、異なる蛍光体に覆われた発光素子3に含まれる逆導電型半導体層3bと電気的に並列接続される。 (もっと読む)


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