【課題】大口径にすることも可能な単結晶を基板として使用する、ＧａＮ層を含む積層基板及びその製造方法並びに基板を用いたデバイスを提供する。
【解決手段】（１１１）シリコン基板３上に化学気相堆積法によりゲルマニウム層７をヘテロエピタキシャル成長させるゲルマニウム成長工程、得られたシリコン基板３上のゲルマニウム層７を７００〜９００℃の温度範囲内で熱処理を行う熱処理工程、及び、引き続いてゲルマニウム層７上にＧａＮ層９をヘテロエピタキシャル成長させるＧａＮ成長工程、を含むＧａＮ層含有積層基板１の製造方法、及びこの製造方法により得られるＧａＮ層含有積層基板１、並びに基板１を用いて製造されたデバイス。 （もっと読む）

【課題】大口径の厚いＡｌＮ結晶を安定して成長させることができるＡｌＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＡｌＮ結晶の成長方法は、１０００μｍ以上のパイプ径を有するマイクロパイプ４ｍｐの密度が０ｃｍ^-2でありかつ１００μｍ以上１０００μｍ未満のパイプ径を有するマイクロパイプ４ｍｐの密度が０．１ｃｍ^-2以下である主面４ｍを有するＳｉＣ基板４を準備する工程と、気相法により主面４ｍ上にＡｌＮ結晶５を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有する窒化物系結晶を再現良くエピタキシャル成長させることが可能な、III‐Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法、III‐Ｖ族窒化物系半導体デバイス、III‐Ｖ族窒化物系半導体基板のロットを提供する。
【解決手段】III‐Ｖ族窒化物系単結晶からなり、平坦な表面を有するIII‐Ｖ族窒化物系半導体基板であって、基板面内の任意の点における基板表面に最も近い低指数面の法線ベクトルを、基板表面に投影したベクトルが、基板面外の特定の点又は領域を向いている。例えば、ＧａＮ基板２１の基板表面に最も近い低指数面の法線ベクトルを、基板表面に投影したときにできるベクトルは、矢印２３で表わされているように、ＧａＮ基板２１の外部の収束中心領域２４に向かって収束するような分布となっている。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスに好適に用いられるＩＩＩ族窒化物結晶基板ならびにその基板を含む発光デバイスおよびその発光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板は、面積が１０ｃｍ²以上の主面を有し、主面の外周からの距離が５ｍｍ以下の外周領域を除く主領域において、総転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以上３×１０⁶ｃｍ^-2以下であり、総転位密度に対する螺旋転位密度の比が０．５以上である。 （もっと読む）

【課題】抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板は、２５ｍｍ以上１６０ｍｍ以下の直径を有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａである。ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａの抵抗率が１×１０^-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下である。ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａの直径方向の抵抗率の分布が−３０％以上３０％以下である。ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａの厚さ方向の抵抗率の分布が−１６％以上１６％以下である。 （もっと読む）

【課題】表面における結晶軸のばらつきが少ないＧａＮ基板の製造方法、ＧａＮ基板及びこのＧａＮ基板を用いて作製した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１の製造方法は、ＧａＮ単結晶からなる基板１の表面を、基板１表面における結晶軸ｘ_０，ｘ_１の方向ａ_０，ａ_１のばらつきに基づいて凹型の球面状に加工する工程を有する。ＧａＮ基板１の表面を凹型の球面状に加工することで、加工後のＧａＮ基板１表面において、法線ｎ_０，ｎ_１に対する結晶軸ｘ_０，ｘ_１の方向ａ_０，ａ_１のばらつきが減少する。また、結晶軸ｘ_０，ｘ_１の方向ａ_０，ａ_１のばらつきが減少したＧａＮ基板１を用いて半導体デバイスを製造することにより、一つのＧａＮ基板１から作製される複数の半導体デバイスのデバイス特性を均一にできるため、半導体デバイスを作製する際の歩留まりを高めることができる。 （もっと読む）

【課題】内部量子効率および光取り出し効率に優れた発光素子の形成に好適に使用できる結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体層の得られる製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層１０３を形成するＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法において、基板１０１の（０００１）Ｃ面上に前記Ｃ面に非平行の表面１２ｃからなる複数の凸部１２を形成することにより、前記基板１０１上に前記Ｃ面からなる平面１１と前記凸部１２とからなる上面１０を形成する基板加工工程と、前記上面１０上に前記ＩＩＩ族窒化物半導体層１０３をエピタキシャル成長させて、前記凸部１２を前記ＩＩＩ族窒化物半導体層１０３で埋めるエピ工程とを備えるＩＩＩ族窒化物半導体層１０３の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層を形成できる製造装置を提供する。
【解決手段】基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、チャンバ４１と、チャンバ４１内に配置されたＩＩＩ族元素を含有するターゲット４７と、ターゲット４７をスパッタして原料粒子を基板１１に供給する第１プラズマを発生させる第１プラズマ発生手段５１と、窒素元素を含む第２プラズマを発生させる第２プラズマ発生手段５２と、第１プラズマ発生手段５１と第２プラズマ発生手段５２とを制御して、チャンバ４１内に第１プラズマと第２プラズマとを交互に発生させる制御手段とを備えるＩＩＩ族窒化物半導体層の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】追加のヒータを用いること無く、フローチャンネルの汚れに影響を低減可能な、エピタキシャル基板を作製する方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体光素子のためのエピタキシャル基板を作製する方法では、ヒータ１５を用いて加熱しながら、フローチャネル１７内のサセプタ１３上に配置された基板１９上に窒化ガリウム系半導体光素子のための複数の窒化ガリウム系半導体膜を含む半導体積層２１を有機金属気相成長法で成長してエピタキシャル基板Ｅ１を作製する。フローチャネル１７内のサセプタ１３上にダミー基板２３を配置すると共にフローチャネル１７を遮熱用カバー２５で覆って、ヒータ１５を用いて加熱しながらプロセスガスＧ３を流してフローチャネル１７のベーキングを行う。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が制御された低転位密度のＩＩＩ族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体基板１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄは、不純物元素として、Ｃ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｂｅ、Ｚｎ、ＶおよびＳｂからなる群から選ばれる少なくとも１種類の元素を１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上の濃度で含有し、基板の主面内における不純物元素の最小濃度に対する最大濃度の比で表わされる不純物元素の濃度の面内分布が１以上３以下であり、比抵抗が１×１０⁴Ω・ｃｍ以上で、厚さが７０μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】発光素子、電子デバイス用素子に用いられるＧａＮ自立基板であって、素子の歩留りの向上ができるＧａＮ自立基板及びＧａＮ自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に形成したＧａＮ薄膜上にマスクを形成して下地基板とした後、前記下地基板上にＩＩＩ族原料ガスとＶ族原料ガスとを導入し、成長温度１１００℃以上１４００℃以下、ＩＩＩ族原料ガスの分圧に対する前記Ｖ族原料ガスの分圧の比（Ｖ／ＩＩＩ比）が０．４以上１以下の範囲内の第１の条件で マスクが形成されていないＧａＮ薄膜の領域から、断面が略三角形状のＧａＮ単結晶としての成長結晶を成長させ、つづいて第２の条件で選択横方向成長させることにより、ＧａＮ単結晶を成長させる。こうして得られたＧａＮ単結晶は基板表面と、基板表面に含まれる極性反転区（インバージョンドメイン）とを備え、極性反転区の基板表面における個数密度が２０ｃｍ^−２以下となる。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

【課題】 輝度を増して温度を下げられるハイパワー発光ダイオード構造の提供。
【解決手段】 基板底部に導熱板を設け、且つ導熱板上表面に複数の絶縁膜を敷設すると共に、絶縁膜表面より突出する複数の電気接点を設け、並びに中央の電気接点内に少なくとも一つのエピタキシャルチップを設け、該エピタキシャルチップの周囲に複数の導熱機能を具備する注入孔を設け、且つ基板上に射出方式を利用してエピタキシャルチップ周囲を被覆可能なフレームを形成し、そのフレーム底面に複数の係止部を形成し、且つ複数の係止部を基板の注入孔に係合して位置決めし、フレーム上面に透光材料で製造した透光カバーを設け、エピタキシャルチップ底面を導熱板に確実に接合させて急速放熱し、透光カバー上部の円弧凸状表面の光の屈折により、発射光源輝度を高める。 （もっと読む）

【課題】従来の基板では困難であった製造コストの低減と、ひずみの低減とを同時に達成することが可能な基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複合基板９は、金属基板２と、金属基板２上に接触して形成されたＧａＮ層１とを備えている。金属基板２とＧａＮ層１とは格子整合していない。金属基板２とＧａＮ層１とは、たとえばファンデルワールス力により接合されている。そして、金属基板２とは反対側のＧａＮ層１の主面１１は、劈開面となっている。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３系化合物を半導体として用い、これに適合したオーミック特性が得られる電極を有するとともに、オーミック特性を得るための熱処理を不要とすることが可能なＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体を提供する。
【解決手段】ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板２の下面に、ＰＬＤ法により少なくともＴｉ層からなるｎ型電極２０を形成する。このｎ電極２０は２５℃においてオーミック特性を有する。ｎ型電極２０は、Ｔｉ層およびＡｕ層からなる２層、Ｔｉ層、Ａｌ層およびＡｕ層からなる３層、あるいはＴｉ層、Ａｌ層、Ｎｉ層およびＡｕ層からなる４層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】量産に用い得る厚さと面積を確保しながら、容易な生産方法でかけやわれの発生を抑制してオリエンテーションフラットを形成することを目的とする。
【解決手段】窒化ガリウム結晶体２７から、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４を陵線等に平行に除去することで、欠けや割れの発生を抑制した窒化ガリウム基板を提供できる。しかも、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４の陵線等は特有の結晶方位を有し、かつ、明瞭であるので、立体構造物１４の陵線等に平行に切断加工した窒化ガリウム結晶体２７の切断線２１をデバイス加工の基準線となるオリエンテーションフラットに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 水素化物気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）プロセスによってＩＩＩ-Ｖ族の材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態において、処理チャンバ内の基板上に窒化ガリウム材料を形成する方法であって、金属源を加熱して、加熱された金属源を形成するステップであって、加熱された金属源が、ガリウム、アルミニウム、インジウム、その合金、又はこれらの組み合わせを含む、前記ステップと、加熱された金属源を塩素ガスにさらして、金属塩化物ガスを形成するステップと、基板を金属塩化物ガスと窒素前駆ガスにさらして、ＨＶＰＥプロセス中、基板上に金属窒化物層を形成するステップとを含む、前記方法が提供される。前記方法は、更に、金属窒化物層を形成する前の前処理プロセス中、基板を塩素ガスにさらすステップを提供する。一例において、処理チャンバの排気コンジットは、前処理プロセス中、約２００℃以下に加熱される。 （もっと読む）

【課題】短波長の光を放射又は吸収するよう機能する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体光デバイスの主要部に、高純度の酸化モリブデンが提供される。本発明においては、半導体光デバイスの発光領域又は吸収領域に高純度の酸化モリブデンが用いられる。これにより、深紫外波長領域の光を放射又は吸収できる安価な光デバイスが実現される。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、発光強度が高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる、ｎ型半導体層３、発光層４およびｐ型半導体層５をこの順序で有し、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層に正極１０および負極２０がそれぞれ設けられた発光素子において、正極が半導体層上に形成された透光性電極１１および該透光性電極上に形成されたボンディングパッド電極１３を有し、透光性電極が金属酸化物からなる透明導電材料を含み、ボンディングパッド電極が透光性電極側にＰｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、ＡｌおよびＡｇの少なくとも１種を含む金属からなる反射層を有し、かつ透光性電極の中心に設けられていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 高効率な紫外線発生源として用いられ得るとともに、導電性基板を採用することにより、プロセスコストも顕著に低減可能である発光素子およびその製造方法を提供すること
【解決手段】 酸化ガリウム単結晶基板上に、窒化ガリウム柱状結晶を形成してなることを特徴とする発光素子。酸化ガリウム単結晶基板上に、温度６５０〜７５０℃、ガス流量８０〜１２０ｓｃｃｍ、時間１〜３０分の条件でアンモニアをフローさせ、前記酸化ガリウム単結晶基板表面を窒化させる窒化工程と、前記窒化工程後、８００〜１０００℃の表面温度の前記酸化ガリウム単結晶基板上で金属ガリウムとアンモニアとを反応させ、前記酸化ガリウム単結晶基板上に窒化ガリウム柱状結晶を成長させる工程とを有することを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）