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【課題】 高効率な紫外線発生源として用いられ得るとともに、導電性基板を採用することにより、プロセスコストも顕著に低減可能である発光素子およびその製造方法を提供すること
【解決手段】 酸化ガリウム単結晶基板上に、窒化ガリウム柱状結晶を形成してなることを特徴とする発光素子。酸化ガリウム単結晶基板上に、温度650〜750℃、ガス流量80〜120sccm、時間1〜30分の条件でアンモニアをフローさせ、前記酸化ガリウム単結晶基板表面を窒化させる窒化工程と、前記窒化工程後、800〜1000℃の表面温度の前記酸化ガリウム単結晶基板上で金属ガリウムとアンモニアとを反応させ、前記酸化ガリウム単結晶基板上に窒化ガリウム柱状結晶を成長させる工程とを有することを特徴とする発光素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】サファイア基板上にAlGaN系の材料との格子整合性の良いバッファ層を配置し、深紫外光LEDのの発光強度を高める。
【解決手段】サファイア基板上のAlN高品質バッファは、AlN核形成層3と、パルス供給AlN層5と、連続成長AlN層7とを有している。連続成長AlN層7上には、パルス供給AlN層11と連続成長AlN層15との組が少なくとも1組形成されている。AlN層3は、NHパルス供給法を用い第1の成長モードである初期核形成モードで成長している。パルス供給AlN層5は、NHパルス供給を用い第2の成長モードであるグレインサイズを拡張し、転位を低減する低速成長モードで形成され、転位を低減するとともに、核成長層3を埋め込むことができる。連続成長AlN層7は、高速縦方向成長モードであり、平坦性を向上させるとともにクラックの発生を抑制するモードである。 (もっと読む)


【課題】凹部が浅く扁平であるPSS(Patterned Sapphire Substrate)を用いた場合であっても、PSSと窒化物半導体膜との間に空洞を確実に形成することのできる、PSS/窒化物エピウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】AlGa1−xN(0<x≦1)からなる低温バッファ層を、凹部の底面上と凸部の上面上とで低温バッファ層の成長速度および/またはAl組成xが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、低温バッファ層の膜厚を設定する。 (もっと読む)


【課題】製造時における金属接触部の劣化や金属の窒化物半導体層への拡散を防止してコンタクト抵抗の低減を図る。
【解決手段】基板、第1接触部、前記基板上に蒸着したドープ半導体材料第1層、前記第1層に蒸着した半導体接合領域、前記接合領域に蒸着したドープ半導体材料を有する第2層(この第2層は前記第1層と逆極性にドープした半導体を有する)、及び第2接触部を含んでなり、前記第2接触部は前記第2層と電気的に導通し、前記第1接触部は前記基板と前記接合領域との間で前記半導体デバイス内に包埋されて前記第1層と電気的に導通する半導体材料、並びに埋め込み接触半導体デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】スペーサ層の使用を不要にし、しかも低い転移密度を有するAlInGaN系の電子または光電子デバイスを提供する。
【解決手段】AlInGaN合金層3は窒化物基板2上にエピタキシャル成長により製膜される。そして上記AlInGaN合金層3はその成長の土台であった前記窒化物基板2から分離される。この結果得られる電子または光電子デバイス構造体は、高い品質のエピタキシャル層及び低い転移密度を有する基板となる。 (もっと読む)


【課題】薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム結晶の成長方法は、キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長(HVPE)法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法である。窒化ガリウム結晶の成長時におけるキャリアガスの露点が−60℃以下であることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いIII族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶基板およびIII族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本III族窒化物結晶の製造方法は、液相法により少なくとも1種類の金属元素を含有する溶媒とIII族元素とを含む結晶成長用液体2を用いて第1のIII族窒化物結晶10を成長させる工程と、金属元素の少なくとも1種類を含む結晶処理用液体4中で第1のIII族窒化物結晶10を熱処理する工程と、熱処理がされた第1のIII族窒化物結晶10上に気相法により第2のIII族窒化物結晶20を成長させる工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】湾曲した窒化物半導体結晶から、面内および基板間で格子面方向のばらつきが少ない窒化物半導体基板を得る方法を提供する。
【解決手段】異種基板上にエピタキシャル成長させて得られた湾曲した窒化物半導体結晶12の凹状の面にダイアモンド砥粒などにより研削を行って加工変質層13を導入する。加工変質層13の導入によって窒化物半導体結晶12の曲率半径は大きくなり、面内各点での格子面方向[hkil]若しくは[hkl]が平行化される。この状態の窒化物半導体結晶12から、表面12aから裏面12bに向かってスライスして複数の基板14を切り出す。このようにして得られた基板14は、基板表面と特定の結晶格子面とが成す角度が基板の面内で略同じとなるため、湾曲した窒化物半導体結晶12から、結晶格子面が揃った複数の基板14を切り出すことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】格子定数差が大きな半導体基板上にボトムアップ的に制御性よくナノワイヤを作製する。
【解決手段】Au微粒子12をSi(111)基板11上に形成し、GaPナノワイヤ13をSi(111)基板11上に成長させた後、InPバッファ層14をGaPナノワイヤ13上に形成し、さらにGaInAsナノワイヤ15をInPバッファ層14上に成長させた後、GaPナノワイヤ13、InPバッファ層14およびGaInAsナノワイヤ15の周囲が覆われるようにInPキャッピング層16を形成する。 (もっと読む)


【課題】アズグロウンの状態での基板の反りを小さくすることにより、基板表面の面方位のばらつきを低減させることができるIII−V族窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びに当該基板を使用した基板面内均一性に優れたIII−V族窒化物系半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板裏面の転位密度が3×10cm−2以下であり、かつ厚さ方向において基板裏面から表面に至るまで転位密度が3×10cm−2/mm以下の割合で減少しているGaN自立基板10を用いて、その上にGaN系半導体結晶からなるエピタキシャル層を形成して発光素子を形成する。 (もっと読む)


本発明の複数の実施の形態は、表面プラズモン増強による電磁波放射装置および装置の製造方法に関する。本発明の一実施の形態においては、電磁波放射装置(100)は多層コア(106)、金属デバイス層(108)、および基板(104)を備える。多層コア(106)は内層(110)および内層の少なくとも一部を囲む外層(112)を有する。金属デバイス層(108)は外層の少なくとも一部を囲む。基板(104)は内層(110)と電気通信を行う下部導電層(118)および金属デバイス層(108)と電気通信を行う上部導電層(122)を有し、これにより、適切な電圧が下部導電層および上部導電層間に印加されると、露出部分が表面プラズモン増強による電磁波を放射する。
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【課題】製造プロセスが簡易化された、光取り出し効率が良い発光素子及びその製造法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたp型半導体層と、p型半導体層上に形成された活性層と、1面を導波構造配置面として形成し、他面を活性層上に形成したn型半導体層と、それぞれn型半導体層及び基板に電気的に接続された第1の電極と第2の電極と、導波構造配置面から延伸して形成された互いにある間隔をおいた複数のナノロッドを有し、n型半導体層の導波構造配置面に形成された導波構造と、を有する。 (もっと読む)


【課題】発光効率を向上させた発光素子などの半導体装置を得ることが可能なGaN基板、当該GaN基板の主表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル層付き基板、半導体装置およびGaN基板の製造方法を提供する。
【解決手段】GaN基板は、主表面を有するGaN基板であって、主表面の法線ベクトルに対し、面方位[0001]に対応するベクトルABを、互いに異なる2つのオフ角θ1およびθ2だけ傾斜させたベクトルADの方向に傾斜させる。 (もっと読む)


【課題】製造装置への負担を軽くすることができ、ドーピングの制御性や再現性が良くなり、かつ結晶構造を変化させずにp型伝導が得られるZnO系薄膜及びZnO系半導体素子を提供する。
【解決手段】
ZnO系薄膜は、p型化を行うために、基本構造をMgZnO/ZnO超格子層3の超格子構造とし、この超格子層は、アクセプタドーピングされたMgZnO層3bとアクセプタドーピングされたZnO層3aとの積層構造で形成されているので、ドーピングの制御性や再現性が良くなり、かつドーピング材料による結晶構造の変化を防止できる。 (もっと読む)


【課題】転位密度が低く不純物濃度の低いIII族窒化物結晶をその結晶を破損させることなく製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器7のGa−Na−Li融液2に窒素ガス(窒素含有ガス3)を溶解させて、GaN下地基板1の主面1m上に厚さ100μmのGaN結晶を成長させた(a)。つづいて、反応容器7に金属Naをいれ、加熱により結晶処理用液体4であるNa融液を形成した後、窒素ガス(窒素含有ガス3)を溶解させて、GaN結晶(III族窒化物結晶10)の熱処理を行なった。この結果、結晶の表面に荒れが起こったものの、結晶の破損には至らず、またGaN結晶(III族窒化物結晶10)およびGaN下地基板1の不純物濃度は、Na濃度が5×1015cm-3と熱処理前のNa濃度と同様であったのに対し、Li濃度が3×1016cm-3と熱処理前のLi濃度に比べて大幅に低減した。 (もっと読む)


【課題】デバイス設計性を向上させた発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板2の一面に半導体層3を形成する第1工程と、前記透明基板2の他面側から所定の光Lを照射して、前記透明基板2と前記半導体層3とを分離する第2工程とを備えている第2工程は、所定の光Lとして、紫外領域の1fs〜1000fsの極短パルスのレーザ光L3を用いて、半導体層3と透明基板2との界面をアブレーション加工することにより、透明基板2を半導体層3から容易に分離することができる。
【選択図】図2
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【課題】高品質で、クラックのない大きな単結晶を成長させることができ、且つ単結晶の生産性の良い結晶成長方法、およびそれに用いる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】本発明の結晶成長方法は、反応容器内で原料液と原料ガスとを加熱して反応させることによって、前記原料液と前記原料ガスとの化合物の単結晶を得る結晶成長方法であって、前記単結晶と前記原料液とを分離した後に、冷却を開始する。 (もっと読む)


【課題】デバイス設計性を向上させた発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板2の一面に半導体層3を形成する第1工程と、前記透明基板2の他面側から所定の光Lを照射して、前記透明基板2と前記半導体層3とを分離する第2工程とを備えている。第2工程は、所定の光Lとして、異なる透過率の光L2を用いて光の強度分布を制御して、半導体層3の透明基板2の一面との界面に予めデバイス設計にて決めた微細凹凸構造3aを精度良く形成する。 (もっと読む)


【課題】下地基板から容易に剥離でき、損傷の低減されたIII族窒化物半導体自立基板を提供する。また、結晶性に優れた大面積のIII族窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体自立基板の製造方法が、下地基板上にIII族窒化物半導体層を気相成長させる工程と、前記III族窒化物半導体層から下地基板を除去する工程とを含み、前記下地基板の裏面には下地基板の劈開方向に沿って、前記下地基板全面を横断する様に、予めパターン化した溝形状が形成されている。 (もっと読む)


【課題】CVD法で製膜を繰り返すような多くの工程を必要とせずに製造することができ、比較的短波長領域で発光する発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、第1電極と、第2電極と、第1及び第2電極間に設けられ且つ微粒子を含む絶縁層を備え、前記微粒子は、Geの酸化物であり、その平均酸化率が35〜70%であることを特徴とする。 (もっと読む)


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