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Fターム[5F041CA65]の内容

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【課題】発光素子本来の機能を損なうことなく、20A/cmの密度の電流を流すために必要な電圧を3V未満として、従来よりも低電圧で動作することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】多重量子井戸15に含まれるInGa1−bNバリア層のIn組成比bを0.04≦b≦0.1とし、かつ、このInGa1−bNバリア層を含めて、発光素子に含まれるIn組成比が0.04〜0.1の範囲のInGaN層の厚さの合計を60nm以下とする。 (もっと読む)


【課題】 禁制帯幅の制御が可能な六方晶構造を有するIII族酸化物半導体を見出し、これを含む半導体素子、光電変換素子、紫外線検出素子、酸化物発光素子、発光素子を提供することにある。
【解決手段】 Aなる構成を有するIII族酸化物を含む半導体素子において、薄膜技術を用いてAの元素がIn、Ga、アルミニウムAl、ボロンBの少なくとも二つを固溶させた混晶半導体薄膜を有するようにした。バルクでの熱力学的固溶限界域を超えた組成での固溶体薄膜、熱力学的に不安定な六方晶構造を有する混晶薄膜を得ることが出来る。 (もっと読む)


【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体から基板を除去した後、窒化ガリウム系化合物半導体にドライまたはウェットエッチング等の後加工を施すこと無しに凹凸を形成可能とし、窒化ガリウム系化合物半導体に直接加工をしないために、後加工によるダメージを大幅に抑えることができる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 XB(ただし、XはZr,Ti及びHfから選択される1種以上の元素)から成る単結晶基板4の一方主面に、窒化ガリウム系化合物半導体層1がエピタキシャル成長可能な凹凸5を形成し、次に単結晶基板4の一方主面に窒化ガリウム系化合物半導体層1を成長させ、次に単結晶基板4を窒化ガリウム系化合物半導体層1から除去することにより主面に凹凸5が転写されて形成された窒化ガリウム系化合物半導体を作製する。 (もっと読む)


【課題】素子の構造に起因するピエゾ電界を解消することができ、かつ光伝送路とのマッチングに優れる発光素子およびこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】GaN系半導体層のピエゾ電界を抑えるものとして、発光層であるInGaN層104Aに隣接するp型GaN層104Bの、InGaN層104Aとの界面部分にMgドープのGaN層140を設けたので、バンドの傾斜をもたらすピエゾ電界が打ち消されて光応答速度を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】 成長用基板上に発光層部を含む化合物半導体層をMOVPE法により成長した後、成長用基板をエッチング除去し、該成長用基板が除去された化合物半導体層に透明基板を貼り合わせる発光素子の製造方法において、透明基板の貼り合わせ不良や化合物半導体層への割れ等を生じにくくする。
【解決手段】 基板除去工程後において素子化対象層50の第二主表面に、選択化学エッチングにより溶解されずに残留した柱状半導体欠陥部の突起状露出部分11を除去する突起除去工程を、貼り合わせ工程に先立って実施する。 (もっと読む)


【課題】 発光面全体に渡って均一な発光が得られる窒化物半導体発光素子を提供す
る。
【解決手段】 基板上に、n型層、活性層及びp型層が積層されてなる積層体を備え
、その積層体はn側の電極をライン状に形成するためにn型層表面が露出された互いに平
行なn電極形成領域を有し、そのn電極形成領域にそれぞれnライン電極が形成され、p
型層のほぼ全面に透光性電極が形成されており、nライン電極は、互いに分離されて等間
隔に配置されかつ各nライン電極の一端にはそれぞれnパッド電極が形成され、透光性電
極上には、nライン電極と交互に配置されかつ隣接するnライン電極から等距離になるよ
うにライン状の電流拡散導体が形成され、その電流拡散導体の一端にそれぞれpパッド電
極が形成されている。 (もっと読む)


【課題】発光効率を高めることができて、しかも製造コストを低減できる半導体発光素子及びその製造方法を提供する
【解決手段】、AlGaInP活性層4上には、n型Al0.6Ga0.4As電流拡散層2及びn型Al0.5In0.5Pクラッド層3が形成されている一方、AlGaInP活性層4下には、p型Al0.5In0.5Pクラッド層5、p型GaInP中間層6、p型GaPコンタクト層7及びp型GaP透光性半導体層8が形成されている。p型GaPコンタクト層7のキャリア濃度はp型GaP透光性半導体層8のキャリア濃度よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシー層構造とその製造方法の提供。
【解決手段】本発明は一種の転位密度の少ない窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシー層構造とその製造方法に関わるもので、おもに基板表面において、反応前駆物質Cp2MgおよびNH3による表面処理を行った後、窒化ガリウム系緩衝層を該基板に形成し、基板と緩衝層との間に境界層または境界区域構造を形成する。この構造は後工程において、窒化ガリウム系緩衝層の上に形成する窒化ガリウムエピタキシー層の転位密度を減少することにより、高品質なエピタキシー層を獲得し、転位密度の均一性を向上する。 (もっと読む)


【課題】低コストかつ均一性の高い光制御構造を作成する。
【解決手段】 光透過層10に被覆層Qと感電子線レジストRを形成し、これらの上に周期パターンを有するステンシルマスクMをセットする。このステンシルマスクMの上から全体に電子線を照射することにより、ステンシルマスクMの周期パターンを感電子線レジストRに転写することができる。次いで、現像した感電子線レジストRをエッチングレジストとして被覆層Qのエッチングを行い、さらにエッチング後の被覆層Qをエッチングレジストとして光透過層10のエッチングを行う。これにより、光透過層10にてステンシルマスクMに忠実で均一性に優れる周期構造11を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】 半導体発光素子の信頼性を低下させることなく、光取り出し効率を向上させることができ、大掛かりな装置を必要とせずに低コストで作製することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 発光素子本体20からの光は、針状結晶配列体21に入射し、針状結晶配列体21を透過して、外部に放射される。針状結晶配列体21は、液相法によって結晶成長させて形成される。発光素子本体20のうち光取り出し面が形成される部分の屈折率よりも屈折率が小さく形成され、針状結晶体22は、光取り出し面に垂直な方向に配向して形成される。複数の針状結晶体22は、回折格子として機能し、臨界角度以上の角度で前記針状結晶配列体21と、針状結晶配列体21から光が放射される側の媒体との界面に入射する光の、+1次または−1次の回折光を出射することができる。 (もっと読む)


【課題】高い光取り出し効率を有し、発光特性に優れるとともに、生産性に優れた窒化物系半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の基板101上に、少なくともn型半導体層、発光層、及びp型半導体層を順次積層して半導体層104を形成した後、該半導体層をブラスト加工することにより、前記半導体層を、前記ブラスト加工によって形成された傾斜面104dからなる側面を有する積層半導体とする工程と、前記積層半導体上に第2の基板を設けた後、前記第1の基板と前記積層半導体との界面にレーザー光を照射して前記第1の基板を前記積層半導体から剥離する工程とを少なくとも備え、前記第1の基板として、前記半導体層よりも高いビッカース硬度を有する基板を用いることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】III-V族窒化物半導体からなるデバイス構造の結晶性を損なうことなく、該デバイス構造を支持する厚膜半導体層の膜厚を十分に大きくできるようにする。
【解決手段】半導体装置におけるデバイス構造体20は、それぞれがIII-V族窒化物半導体からなり、第1半導体層11、発光層12及び第2半導体層13を有している。第2半導体層13における発光層12の反対側の面上には、厚さが約100μmと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体20を構成する各半導体層11、12、13よりも大きい、n型窒化ガリウムからなる第3半導体層14が接合されて形成されている。 (もっと読む)


【課題】高輝度化および低出力化を図ることが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】InGaNを含む井戸層31、および井戸層31を挟みかつInGaNまたはGaNを含むバリア層32を有する量子井戸構造とされた活性層3と、活性層3を挟むn−GaN層2およびp−GaN層4と、を備える半導体発光素子Aであって、井戸層31の全体と、バリア層32のうちp−GaN層4寄りのドープ部32aとには、Siがドープされており、バリア層32のうちn−GaN層寄りのアンドープ部32bは、アンドープとされている。 (もっと読む)


【課題】AuSn半田による実装に適した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体層上に形成された電極と、該電極の上面の一部を残して該電極表面を被覆するパッシベーション膜とを備えた半導体発光素子において、
チタン層とニッケル層を一組とする繰り返し構造の多層膜を少なくとも一組、前記電極上に形成する。 (もっと読む)


【課題】電極とp型窒化物半導体との間のコンタクト抵抗異常による電圧異常を防止して、p型窒化物半導体の歩留まりを向上させるためのp型窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】p型窒化物半導体の製造方法は、p型不純物を含む窒化物半導体12を準備する準備工程と、アルゴンまたは窒素の少なくともいずれか一方を含むキャリアガスとメタンとを含むアニール雰囲気ガス中で、700℃以上950℃以下の温度で、窒化物半導体12にアニール処理を行なうアニール処理工程と、窒化物半導体12に電極を形成する電極形成工程とを備えている。 (もっと読む)


【課題】ウェハサイズが大きい場合においても良好なウェハ貼合せ歩留りを有するウェハ接合用ジグ及びそのウェハ接合用ジグを用いて作られた発光素子を提供する。
【解決手段】重ね合わされたウェハ2を上面から覆う上プレート3と、上記重ね合わされたウェハ2を下面から覆う下プレート4と、これら上プレート3と下プレート4とを両プレート3,4の周辺部で締結する締結具5とを有し、両プレート3,4により上記重ね合わされたウェハ2を上下から圧した状態を保持するウェハ接合用ジグ1において、上記上プレート3と上記下プレート4との間に少なくとも1枚の圧力分散板6を設けた。 (もっと読む)


【課題】 光出力の劣化を抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 一定の波長の光を反射するn型DBR層13、n型DBR層13の上に形成された同波長の光を放射する発光層15を有する発光領域層17、発光領域層17の側部にプロトン注入により形成された高抵抗領域20、発光領域層17及び高抵抗領域20の上に接して、高抵抗領域20との界面近傍に拡散されたプロトンを有し、実質的に電流拡散の機能を有する、同波長の光を反射するp型DBR層22、p型DBR層22の上、且つ、発光領域層17の上方にp型コンタクト層24を介して形成されたp側電極25、及び、p側電極25とは反対側のn型DBR層13の下方に形成されたn側電極29を備えている。 (もっと読む)


【課題】改良された光抽出効率を有する発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】多層スタック、および多層スタックの発光スタック表面に対して光学的に近接したパターン化封止材料領域を有する封止材料層を含む発光装置が開示される。封止材料層を製造する方法、および封止材料層を発光スタック表面に付着させる方法も開示される。 (もっと読む)


【課題】190〜300nmの短波長光を発光する半導体発光素子用として好適な半導体層を提供する。
【解決手段】本発明の半導体層は、一般式BAlGaN(式中、0<x<1,0≦y<1,0<z<1,x+y+z=1)で表されるIII−V族半導体化合物を主成分とし、レーザアシスト有機金属気相成長法により成膜されたものである。半導体発光素子1は、BeO基板、TiB基板、ScB基板、VB基板、YB基板、MnB基板、MgB基板、FeB基板、及びCrB基板のうちいずれかからなる第1導電型基板11に、第1導電型電極22と、第1導電型BAlGaNクラッド層12と、BGaN層及び/又はBAlGaN層を含む半導体活性層14と、第2導電型BAlGaNクラッド層16と、第2導電型電極21とが設けられた素子である。 (もっと読む)


【課題】ドナーをドープしたn型窒化物半導体の異常成長を防止し、窒化物半導体素子の製造歩留りを改善する。
【解決手段】有機金属化合物気相成長法によってn型窒化物半導体を基板上に層状に形成する工程を含んでいる窒化物半導体素子の製造方法において、前記基板上に窒素原料を連続的に供給しつつ3族原料とドナー原料とを交互に供給して前記n型窒化物半導体を形成する。好ましい実施形態では、3族原料とドナー原料とを交互に供給する際のドナー原料の流量を、当該流量をその0.5倍から2倍まで変化させたときのn型窒化物半導体の抵抗率の変化幅が0.01Ω・cm未満となる流量に設定する。 (もっと読む)


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