【課題】色度のばらつきを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、複数の半導体発光装置が一括形成された半導体発光装置ウェーハであって、発光部と、波長変換部と、を備えた半導体発光装置ウェーハが提供される。前記発光部は、第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する。前記波長変換部は、前記第１の主面側に設けられ、蛍光体を含有する。前記波長変換部の厚さは、前記発光部から出射する光の前記ウェーハの面内における波長及び強度の少なくともいずれかの分布に基づいて変化してなる。 （もっと読む）

【課題】支持基板上に絶縁膜を介して半導体素子を搭載した半導体装置において、絶縁膜の絶縁性能が改善された半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体装置は、支持基板と、支持基板上に設けられた金属層と、金属層上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に金属層を介して設けられ半導体膜と、を含む。絶縁膜は、第１の絶縁体層と、第２の絶縁体層と、第１および第２絶縁体層の間に設けられた金属酸化物導電体層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】亜鉛シリサイドやシリカなどが残留しないＺｎＯ基板の成長前処理方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ極性面を主面としたＺｎＯ単結晶の基板を、ＥＤＴＡキレート化合物を含む溶液をエッチャントとして用いてエッチングするエッチング工程と、エッチングの後、配位子を有する電解質溶液を洗浄液として用いて基板を洗浄する洗浄工程と、を有する。前記エッチャントはＥＤＴＡ・２Ｎａ（エチレンジアミン４酢酸２ナトリウム）及びＥＤＡ（エチレンジアミン）の混合溶液であり、前記洗浄液は、ＥＤＴＡ・２Ｎａ及びＥＤＡの混合溶液、ＥＤＴＡ・２Ｎａ及びＥＤＡのうちいずれか１の純水による希釈液である。 （もっと読む）

【課題】短時間で半導体素子を製造する。
【解決手段】（ａ）成長基板１０上に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成され、空洞１１ｄを備える空洞含有層１１を形成する。（ｂ）空洞含有層１１上に、ｎ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成され、空洞を閉じるｎ層１２を形成する。（ｃ）ｎ層１２上に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成される活性層１３を形成する。（ｄ）活性層１３上に、ｐ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成されるｐ層１４を形成する。（ｅ）ｐ層１４上方に、支持基板２０を接着する。（ｆ）空洞１１ｄが形成されている位置を境界として、前記成長基板１０を剥離する。（ｇ）ｎ層１２を平坦化する。工程（ｂ）は、（ｂ１）相対的に横方向成長の弱い条件でｎ層の一部を形成する工程と、（ｂ２）相対的に横方向成長の強い条件でｎ層の他の一部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電流−光出力特性の線形性が改善された半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、支持基板１０と、光反射層３０を介して支持基板上に設けられた半導体膜４０と、を含む。半導体膜は、光反射層側から電流拡散層４２、第１のｐクラッド層４４ａ、第２のｐクラッド層４４ｂ、活性層４６、第１のｎクラッド層４８ａ、第２のｎクラッド層４８ｂを積層して構成される。第１のｐクラッド層と第２のｐクラッド層からなるｐクラッド層全体の層厚のうち第１のｐクラッド層の層厚が占める割合は５０％以上８０％以下である。第１のｎクラッド層と第２のｎクラッド層からなるｎクラッド層全体の層厚は２μｍ以上である。ｎクラッド層全体の層厚のうち第１のｎクラッド層の層厚が占める割合は８０％以上であり且つ第２のｎクラッド層の層厚は１００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】凹凸部の凹凸の均一化を図り、半導体発光素子間での発光出力のばらつきを抑える。
【解決手段】半導体基板の上に、第１半導体層及び第２半導体層を１つのペアとする複数のペア層３３を積層して光反射部３０を形成する工程と、光反射部３０の上に、第１クラッド層と、活性層と、第２クラッド層と、をこの順に積層して発光部４０を形成する工程と、発光部４０の上に、電流分散層を形成する工程と、電流分散層の表面に凹凸部６１を形成する工程と、を有し、凹凸部６１を形成する工程の前に、電流分散層の表面をＯ_２プラズマに曝す工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を歩留まりよく製造する。
【解決手段】 （ａ）成長基板上に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成され、空洞を備える空洞含有層を形成する。（ｂ）空洞含有層上に、ｎ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成され、空洞を閉じるｎ層を形成する。（ｃ）ｎ層上に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成される活性層を形成する。（ｄ）活性層上に、ｐ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成されるｐ層を形成する。（ｅ）ｐ層上方に、支持基板を接着する。（ｆ）空洞が形成されている位置を境界として、成長基板を剥離する。工程（ａ）または（ｂ）において、空洞を閉じる前に、加熱を行いながら、層を構成する材料の少なくとも一部の供給を減少させる。 （もっと読む）

【課題】効率的な製造が可能な多波長発光素子を提供する。
【解決手段】多波長発光素子100は、表面に面方位が相互に異なる第１及び第２結晶成長面121,122を有する基板110と、基板110上に第１結晶成長面121から半導体が結晶成長して形成された第１半導体層131と、第１半導体層131上に半導体が結晶成長して形成された第１半導体発光層151と、基板110上に第２結晶成長面122から半導体が結晶成長して形成された第１半導体層131の主面とは異なる結晶面を主面とする第２半導体層132と、第２半導体層132上に、第１半導体発光層151を形成する半導体と同一の構成元素で且つ元素組成比が異なる半導体が結晶成長して形成された第２半導体発光層152とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、電極により得られる光の導波路は、帯状の第１領域１６０および帯状の第２領域１６２を有し、第１領域１６０は曲率を備える第１部分１６２を有し、第２領域１７０は曲率を備える第２部分１７２を有し、第１領域１６０と第２領域１７０とは、第１層の側面１３０に設けられる反射部１８０，１８４にて接続され、反射部１８０，１８４が設けられる側面１３０に対向し、出射面となる第１層の側面１３２において第１領域１６０から出射される第１の光２０と、出射面１３０において第２領域１７０から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】歩留りを維持しつつ光取り出し効率を向上させることができる光半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体膜の表面に半導体膜の結晶軸に沿って等間隔に配列された複数の凹部を形成する。半導体膜の表面をエッチング処理することにより半導体膜の表面に複数の凹部の配列形態に従って配列され且つ半導体膜の結晶構造に由来する複数の突起を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、パッド電極の下に信頼性の高い電流ブロック構造を備える半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電型の第１の半導体層と、前記第１導電型とは異なる導電型の第２導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、前記第２の半導体層の前記発光層とは反対側の表面に設けられた導電性酸化物を含む第１の層と、前記第１の層の一部に接触し、前記導電性酸化物を還元する材料を含んだ第１の電極と、前記第１の電極の表面を覆う第１の部分と、前記第１の層に接触する第２の部分と、を有する第２の電極と、前記第１の半導体層に電気的に接続された第３の電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの基板上に形成した高品質な結晶を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ＧａＮを含む下地層と、窒化物半導体を含む機能部と、前記下地層と前記機能部との間に設けられ、ＡｌＮを含む層を含む中間層と、を備えた半導体装置が提供される。前記下地層のうちの前記中間層とは反対側の第１領域におけるシリコン原子の濃度は、前記下地層のうちの前記中間層の側の第２領域におけるシリコン原子の濃度よりも高く、前記下地層の前記中間層とは反対側の第１面は、複数の凹部を有する。 （もっと読む）

【課題】 ４元発光層とＧａＰ基板との接合界面において酸素、炭素等の不純物が発生し、通電した際に順方向電圧が上昇することを抑制し、これによって順方向電圧に対する寿命特性の悪化を抑制することができる化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子を提供する。
【解決手段】 少なくともｎ型ＧａＰ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰからなるｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層が順次積層された４元発光層を有し、４元発光層の、ｎ型ＧａＰ基板側の主表面の反対側となる主表面上に、電流拡散層であるｐ型ＧａＰ層が積層された化合物半導体基板であって、ｎ型ＧａＰ基板と４元発光層との間に、ｎ型クラッド層よりもキャリア濃度の高い、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰからなる高濃度キャリア層が形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤色光及び／又は赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、発光部は、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層及びバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有し、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高効率、高信頼性を達成する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、電極と、を備える。積層構造体は、窒化物系半導体からなる第１導電形の第１半導体層と、窒化物系半導体からなる第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。電極は、第１金属層、第２金属層及び第３金属層を有する。第１金属層は、第２半導体層の発光層とは反対側に設けられ、銀または銀合金を含む。第２金属層は、第１金属層の第２半導体層とは反対側に設けられ、金、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムの少なくともいずれかの元素を含む。第３金属層は、第２金属層の第１金属層とは反対側に設けられる。第３金属層の第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さは、第２金属層の前記方向に沿った厚さ以上である。 （もっと読む）

【課題】結晶性及び輝度の向上した窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成されるｐ―タイプの窒化物層と、前記ｐ―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるｎ―タイプのＺｎＯ層とを含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】極性面と異なる半導体面への電極の接触に良好なコンタクト特性を提供できるIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子４１は、III族窒化物半導体からなる主面を有する基板５５と、基板５５の主面５５ａの上に設けられた窒化ガリウム系半導体領域５１と、窒化ガリウム系半導体領域５１の主面５１ａに接触を成す電極５３ａとを備える。窒化ガリウム系半導体領域５１は不純物として酸素を含み、窒化ガリウム系半導体領域５１の酸素濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３より小さい。基板５５の主面５５ａは、該III族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる基準軸ＶＣ５５に直交する基準平面を基準にしてゼロより大きい角度を成す。主面５１ａ、５５ａは半極性及び無極性のいずれか一方を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子のＦＣ（フリップチップ）実装技術において、順方向電圧（Ｖｆ）の上昇を抑制し、且つ発光出力（Ｐｏ）を増大させる。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び当該第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の半導体層が積層された積層半導体層と、前記第１の半導体層と接続する第１の電極と、前記第２の半導体層の表面に設けた第２の電極と、を備え、前記第２の電極は、他の部分より膜厚が大きい複数の膜厚部を有し且つ前記発光層から出射する光に対して透過性の透明導電層と、前記透明導電層上に積層され且つ当該透明導電層より低屈折率の絶縁層と、前記絶縁層上に積層され且つ導電性の金属反射層と、前記絶縁層を通して設けられ、一端が前記透明導電層の前記膜厚部に電気的に接続され且つ他端が前記金属反射層と電気的に接続される導体部と、を含むことを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】高輝度の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光部は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。前記発光部は、ｎ側障壁層と第１発光層と、を含む。前記第１発光層は、前記ｎ側障壁層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた第１障壁層と、前記ｎ側障壁層と前記第１障壁層との間においてｎ側障壁層に接する第１井戸層と、前記第１井戸層と前記第１障壁層との間に設けられ、Ａｌ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎ（０．２５＜ｚ１≦１）を含む層状の第１ＡｌＧａＮ層と、を含む。前記発光部から放出される光のピーク波長λｐは、５１５ナノメートルよりも長い。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、量子井戸に誘起される分極電界を低減し、発光効率を向上させることができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられ、前記ｎ形半導体および前記ｐ形半導体層のバンド端発光よりも長波長の光を発光する少なくとも１つ以上の量子井戸を含む発光層と、を備える。そして、前記ｐ形半導体層に隣り合う前記量子井戸を構成する第１の障壁層および第２の障壁層のうちの前記ｐ形半導体層に近い前記第１の障壁層にｐ形不純物がドープされる。 （もっと読む）