空洞共振発光素子を製作する方法では、窒化ガリウム種結晶（１４）及び供給源材料（３０）を、多ゾーン炉（５０）内に配設される密封容器（１０）内に配設される窒素含有過熱流体（４４）内に配置する。窒化ガリウム種結晶（１４）上で窒化ガリウム材料を成長させて、単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）が得られる。成長は、窒化ガリウム種結晶（１４）と供給源材料（３０）の間に時間的に変化する熱勾配（１００、１００’、１０２、１０２’）を適用して、この成長の少なくとも一部の間、成長速度を速くすることを含む。単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）上に、第ＩＩＩ族窒化物層のスタック（１１２）を堆積させる。スタック（１１２）は、１以上の空洞共振発光素子（１０８、１５０、１６０、１７０、１８０）が製作されるように適合された第１ミラーサブスタック（１１６）及び活性領域（１２０）を含む。 （もっと読む）

光の取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
サファイア基板ＳＳＢ上にＧａＮから成る下地層ＡＬＹ、下地層ＡＬＹ上に、表面が凹凸状のＧａＮから成る転写層ＴＬＹ、転写層ＴＬＹの凹凸状の表面に光吸収層ＢＬＹ、光吸収層ＢＬＹ上に平坦化層ＣＬＹと少なくとも活性層を有する発光構造層ＤＬＹから成る成長層４を形成し、成長層４側に支持基板２を取り付ける。サファイア基板ＳＳＢの裏面側からＹＡＧレーザの２倍波（波長５３２ｎｍ）の光を照射し、光吸収層ＢＬＹを分解させて、サファイア基板ＳＳＢを剥離することにより、表面が凹凸状となる平坦化層ＣＬＹを光取り出し面として露出させる。成長層４内の活性層から発生する光は、凹凸状の表面を有する平坦化層ＣＬＹを介して素子外部へ放射され、光の取り出し効率が向上する。
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発光素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と、該発光層部２４の少なくとも一方の主表面側に形成され、発光層部２４からの発光光束のピーク波長に相当する光量子エネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる厚さ４０μｍ以上の透明厚膜半導体層９０とを有する。透明厚膜半導体層９０は、側面部９０Ｓが化学エッチング面とされ、かつ、該透明厚膜半導体層９０のドーパント濃度が５×１０^１６／ｃｍ^３以上２×１０^１８／ｃｍ^３以下とされる。これにより、透明厚膜半導体層を有するとともに、その側面部からの光取り出し効率を飛躍的に高めることができる発光素子を提供する。
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本発明は、ＩＩＩ族窒化物の自立基板の作製に関するものである。本発明は、より詳細には、エピタキシによって初期基板からＩＩＩ族窒化物、とくに窒化ガリウム（ＧａＮ）の自立基板を実現する方法であって、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシ工程の際に自然に蒸発させるための犠牲層として、単結晶珪素ベースの中間層の蒸着を含むことを特徴とする方法を対象とする。この方法はとくに、平坦で直径が２”を超えるＩＩＩ族窒化物自立基板を得ることを可能にする。 （もっと読む）

バンドキャップの大きい無機のヘテロ構造内にエレクトロルミネッセンス層として量子ドットを採用した光電子デバイスが提供される。量子ドットは、デバイスの光学的活性部品として機能し、多重量子ドット層の実施形態では、格子不整合基板を有するヘテロ構造におけるナノスケールのエピタキシャル横方向成長（ＮＥＬＯＧ）を支援する。こうしたデバイスの量子ドットは、光学的に励起されて、フォトルミネッセンスを生じるのとは対照的に、電気的に励起され、エレクトロルミネッセンスを発する。エレクトロルミネッセンスには、本質的に「ストークス損失」が存在しないので、本発明のデバイスは、光学的に励起された量子ドットデバイスより高い効率を有する。さらに、本発明で得られたデバイスによれば、量子ドットの大きさと組成を調製し、製造プロセスを制御することにより、深い緑色の可視光を得ることができるとともに、白色光を含む可視スペクトル中の任意の他の色を得ることができる。

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固体デバイスから放射するように固体デバイスに電力を供給する構成および配置をとる電源と結合可能な固体デバイスを含む発光アセンブリである。一連の希土類ドープケイ素および／または炭化ケイ素ナノ結晶は、単一層内で、または個別の層内で組み合わされ、必要な赤色、緑色、および青色（ＲＧＢ）を発生し、白色光を形成する。

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本発明は高輝度の窒化物マイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）及びその製造方法に関するものである。本発明はマイクロサイズの複数の発光チップ１０を形成し、そのチップ間のギャップをＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＤＢＲ（ＺｒＯ_２／ＳｉＯ_２、ＨｆＯ_２／ＳｉＯ_２）、ポリアミドなどの充填材５で埋め込むと共に、発光チップアレイと充填材の上面１１をＣＭＰ加工により平坦化した後、大面積の透明電極６を形成する。それによって、全ての発光チップが同時に作動するように構成したことを特徴とする高輝度の窒化物マイクロＬＥＤ及びその製造方法を提供する。また、フリップチップ構造を採用してマイクロサイズ発光チップアレイの電極形成の均一度が向上した高輝度の窒化物マイクロＬＥＤを提供する。
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本発明は複数のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法に関し、これらの半導体チップはそれぞれ少なくとも１つの半導体層を備えた複数の構造素子をそれぞれ有する。この方法においては基板ならびに成長表面を有するチップ結合体ベースが提供される。成長表面の上には複数の窓を有するマスク材料層が形成され、これらの窓の大部分は１μｍ以下の平均的な広がりを有する。マスク材料は後続のステップにおいて成長すべき半導体層の半導体材料がこのマスク材料上では実質的に成長しない、または成長表面に比べて実質的に成長しにくいように選択される。続けて、半導体層が実質的に窓の内部に位置する成長表面の領域の上に析出される。さらなるステップではチップ複合体ベースが被着された材料と共に半導体チップに個別化される。さらに本発明は本方法に応じて製造されるオプトエレクトロニクス半導体チップに関する。
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【課題】異なる色の発光素子の組み合わせからなる半導体発光装置において、色むらの低減を図ること。
【解決手段】ＬＥＤチップアレイ（２）は、青色ＬＥＤ（６）と赤色ＬＥＤ（８）を有する。青色ＬＥＤ（６）は、ＳｉＣ基板（４）上に結晶成長によって形成されている。ＳｉＣ基板（４）上には、半導体プロセスによるボンディングパッド（４６）、（４８）が形成されている。赤色ＬＥＤ（８）は、青色ＬＥＤ（６）とは別途に作製され、前記ＳｉＣ基板（４）上の前記ボンディングパッド（４６）、（４８）にフリップチップ実装されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光効率を高く維持しながら、基板に対して優れた接合性を有する半導体発光装置とその製造方法、およびこれを備える照明装置、さらには表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】このために、本発明に係る半導体発光装置は、発光層を有するものであって、その発光層の出射側に、表面に凹凸構造が設けられた光透過部が形成されているとともに、当該凹凸構造の上にさらに透光性を有した被膜が形成された構成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

大型の窒化ガリウム発光ダイオードにおいて熱放散を改善する方法は、サファイアをより良い熱伝導体に代えることにより、結果として熱エネルギをより効果的に除去することを含む。ＧａＮエピタキシャル層と支持ウエハとの間に信頼性があり、強力な仮のボンディングを達成する方法。成長基板から二次基板にエピタキシャル膜を転写する方法。エキシマ・レーザが成長基板からの膜の剥離を開始する。このレーザ・ビームはシャドー・マスクによって成形され、成長基板にある既存のパターンと位置合わせされる。白色スペクトル光を放射するＬＥＤを製造する方法。ダイを分割およびパッケージングする前にＧａＮエピタキシャル・ウエハ上に青色またはＵＶスペクトルを励起後に白色スペクトルを放射する蛍光体。ＧａＮエピタキシャル層上に金属基板を堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、１回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製することを課題とする。
【解決手段】 基板11の一面上に、ｎ型半導体薄膜層13と、活性層と、ｐ型半導体薄膜層17とを積層形成し、このｐ型半導体薄膜層17上面に一方の電極32を基板11の他面上に他方の電極33aを設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、基板11の他面側から電極33aと接続されるｎ型半導体薄膜層13に到達する深さの縦穴20を波長が５００ｎｍ以下の短波長レーザを照射して設け、基板11の他面に設けた電極33aとｎ型半導体薄膜層13を縦穴20に形成した導電性材料30を介して電気的に接続し、電極32を基台100の第１のリード電極101に接続し、電極33aを第２のリード電極103にワイヤボンド線104で接続する。 （もっと読む）

【課題】アンドープの活性層を有する窒化物半導体発光素子において、発振閾値を引き下げ、動作寿命が向上した窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】アンドープの障壁層とアンドープの井戸層とからなる活性層と、第１導電型のクラッド層との間に設けられた第２導電型の不純物添加層が、前記第２導電型の不純物添加層に最近接する障壁層から５０ｍｅＶ以上のバンドギャップを有し、かつ前記第２導電型の不純物添加層と前記第１導電型のクラッド層との間に設けられた第１導電型の不純物添加層以下のバンドギャップを有する窒化物半導体発光素子とする。 （もっと読む）

発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。
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【課題】 電力効率のよい窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】 基板上に、ｎ側コンタクト層、ｎ側クラッド層及びｎ側光ガイド層が積層されたｎ型窒化物半導体層領域と、ｎ側光ガイド層上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、その活性層上に形成された、ｐ側光ガイド層、ｐ側クラッド層及びｐ側コンタクト層が積層されたｐ型窒化物半導体層領域とを有し、ｐ側クラッド層を、１０オングストローム以上で１００オングストローム以下の膜厚を有し、Ａｌを含まない窒化物半導体からなる第１の層と、該第１の層と組成が異なりかつ１０オングストローム以上で１００オングストローム以下の膜厚を有し、Ａｌを含む窒化物半導体からなる第２の層とが積層された超格子層とした。 （もっと読む）

【課題】 窒化物系化合物半導体素子に長期信頼性を施与し、しかも素子特性を低下させることのない表面保護膜を備えた半導体素子を提供すること。
【解決手段】 サファイア基板１上にバッファ層２を介して第一導電型の半導体層３１、発光層３２、第二導電型の半導体層３３を順次成長してなり、ワイヤーボンディング用電極４１、４２からなる窒化物系発光素子の表面に、素子構造の成長技術であるＭＯＶＰＥを使って、非晶質又は多結晶窒化アルミニウムを主成分とする表面保護膜５を低温で形成することにより、機械的に、熱的に、化学的に安定した表面に変える事により素子の信頼性を向上する。 （もっと読む）

【課題】各発光素子の発光強度を均等にして、高性能かつ高信頼性のＬＥＤアレイを提供する。
【解決手段】単結晶基板１上に一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３と個別電極４とを順次積層し、この一導電型半導体層２を引き出した延在部７の上に共通電極５と絶縁膜６とを並設して成る発光素子を複数個配列して成る発光素子群９にて構成され、この発光素子群９内における各発光素子の延在部７における共通電極５に至る電極間隔ｘが異なるとともに、一方の発光素子の電極間隔ｘと他方の発光素子の電極間隔ｘとを同じにして、双方の共通電極５を通電せしめるように成し、そして、前記延在部７と共通電極５との接触面積ｓを、電極間隔ｘが長くなるにしたがって、大きくしている。 （もっと読む）

【課題】 結晶欠陥の発生を抑え、電極形成面の凹凸を減らして平坦化し、半導体発光素子作成プロセスにおいて電極の剥がれが生じにくい半導体発光素子用ウェハーを提供すること。
【解決手段】 半導体基板１と、少なくともＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶よりなる第１クラッド層２、発光層３、前記第１クラッド層と反対導電型の第２クラッド層４、及び窓層５、がこの順序で積層されており、該基板には下部電極７、および該窓層には上部電極６が形成され、該窓層は少なくとも発光層に近い第１窓層１１と発光層より遠い第２窓層１２とを有し、該第２窓層は該第１窓層より不純物濃度の高い半導体層であって、前記第１窓層と第２窓層の界面近傍において、ＩＩＩ族元素の組成比を変化させた第１の介在層を有することを特徴とするものである。この結果、ヒロックの少ないウェハーを得ることができる。 （もっと読む）