説明

Fターム[5F041CA65]の内容

発光ダイオード (162,814) | LED形式 (36,241) | 製造方法 (9,002) | 母体成長 (4,236) | 気相成長(VPE) (3,285) | MOCVD(有機金属気相熱分解法) (2,918)

Fターム[5F041CA65]に分類される特許

101 - 120 / 2,918


【課題】電力効率が良好な窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、n型窒化物半導体層と、下部発光層と、上部発光層と、p型窒化物半導体層とをこの順に備える。下部発光層は、複数の下部井戸層と、下部井戸層に挟まれ下部井戸層よりバンドギャップの大きい下部バリア層とが交互に積層されたものである。上部発光層は、複数の上部井戸層と、上部井戸層に挟まれ上部井戸層よりバンドギャップの大きい上部バリア層とが交互に積層されたものである。上部発光層における上部バリア層の厚さは、下部発光層における下部バリア層の厚さよりも薄い。 (もっと読む)


【課題】レーザスクライブによる不良が無く、所望の形状を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体からなる半導体素子10は、以下の構成を備えている。基板100上には、n型の第1半導体層200、活性層300、p型の第2半導体層400が順に設けられている。また、2つの第1端面840は、平面視で対向するように劈開により形成されている。また、2つの溝部820は、平面視で第1端面840と直交する方向に、2つの第1端面840まで延在している。さらに、溝部820は、底部が少なくとも活性層300の下面よりも下まで位置している。また、第2端面860は、第1端面840と直交する方向で、かつ、溝部820よりも外側に形成され、レーザによるスクライブによって形成されている。 (もっと読む)


【課題】活性領域で生じる熱を素子外部に効率的に逃すうえで好ましい構成を備えた窒化物系LEDを提供する。
【解決手段】
窒化物系発光ダイオード素子は、p型層と、前記p型層に積層されたn型層と、前記p型層と前記n型層とに挟まれた発光層と、を含む窒化物半導体積層体と、前記p型層の表面上に設けられたp側電極と、前記n型層に接続されたn側電極と、を備える。前記p側電極は、前記p型層との接触面を有するオーミック接触層と、前記p型層とで前記オーミック接触層を挟むように設けられた熱伝導性メタル層とを有しており、前記窒化物半導体積層体の積層方向に直交する平面である素子平面に対する前記熱伝導性メタル層の投影面積が、前記素子平面に対する前記接触面の投影面積よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】 光の出射効率を高めながらも、耐食性に優れた半導体発光素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 電力を供給することで発光する発光層12を有した半導体積層構造11〜14を形成し、さらにその上に、発光層12が出射する光の少なくとも一部を反射する反射膜2bを有した電極21,22を形成する。そして、電極21,22の露出面を酸化することで、少なくとも反射膜2bの表面に酸化被膜2bxを形成する。これにより、反射膜2bの耐食性を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】発光波長に応じて発光層の障壁層のAl組成比を最適化して、発光効率を向上させること。
【解決手段】InGaNからなる井戸層、AlGaNからなる障壁層、が順に繰り返し形成されたMQW構造の発光層を形成するに当たり、障壁層131のAl組成比をx(%)、障壁層131のバンドギャップエネルギーと井戸層130のバンドギャップエネルギーとの差をy(eV)として、12.9≦−2.8x+100y≦37、かつ、0.65≦y≦0.86、の範囲を満たすように井戸層130と障壁層131を形成する。あるいは、障壁層131のAl組成比をx(%)、井戸層130のIn組成比をz(%)として、162.9≦7.1x+10z≦216.1、かつ、3.1≦z≦9.2、の範囲を満たすように形成する。 (もっと読む)


【課題】発光層の品質を高めるとともに、発光効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板1上に、GaNバッファ層2、n型GaN層3、InGaN/GaN中間バッファ層4、MQW活性層5、p型AlGaN層6、p型GaN層7が順に積層されている。InGaN/GaN中間バッファ層4は、複数のInGaN膜と複数のGaN膜とが交互に積層された超格子構造を有し、InGaN膜のIn組成比率はn型GaN層3からMQW活性層5に向かって段階的に増加していくように構成される。 (もっと読む)


【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を実現する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光素子は、基板、導電性反射膜、活性領域、第1電極、透明導電膜、及び第2電極が設けられる。導電性反射膜は基板上に設けられる。活性領域は、第1導電型透明電極、第1導電型コンタクト層、発光層、第2導電型コンタクト層、及び第2導電型透明電極が導電性反射膜上に積層形成される。第1電極は活性領域と離間し、導電性反射膜上に設けられる。透明導電膜は、一端が第2導電型透明電極上部を覆うように設けられ、他端が絶縁膜を介して記導電性反射膜上に設けられ、活性領域の側面とは絶縁膜を介して接する。第2電極は、透明導電膜の他端上に設けられる。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】pn接合型のIII族窒化物半導体発光素子であって、第1の導電型を有する第1の半導体層、発光層及び第1の導電型とは逆の導電性を示す第2の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第1のインジウム組成を有する第1の窒化ガリウム・インジウム層と、第1の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第1のインジウム組成より小さい組成の第2のインジウム組成を有する第2の窒化ガリウム・インジウム層と、第1の窒化ガリウム・インジウム層と第2の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第1の窒化ガリウム・インジウム層及び第2の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 (もっと読む)


【課題】発光装置における歩留まりの向上および故障率の低減を図る。
【解決手段】発光ダイオード素子12とヒューズ13が直列に接続された複数のヒューズ付き発光ダイオード素子14を、並列に接続して並列構成単位15を形成する。そして、1つの並列構成単位15で、あるいは、複数の並列構成単位15を直列に接続して、発光ダイオード素子回路16を形成する。そのため、発光ダイオード素子12の何れかが短絡不良を起こしても、短絡不良を起こした発光ダイオード素子12に接続されたヒューズ13が断線して過電流を遮断することができる。その結果、短絡不良を起こした発光ダイオード素子12以外の発光ダイオード素子12は引続き発光することができ、発光装置11は引続き動作することができる。したがって、発光装置11の歩留りの向上および故障率の低減を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子10では、基板11は対向する第1および第2の面11a、11bと、第1および第2の面11a、11bに略直交する側面11cを有している。基板11の側面11cには、第1の面11aから第1の距離Lo1だけ離間した位置から第2の面11b側に向かって、第1の粗さR1と第1の幅aを有する第1の領域12と、第1の粗さR1より小さい第2の粗R2さと第1の幅aより小さい第2の幅bを有する第2の領域13が交互に形成されている。第1の領域12の繰り返しピッチは、一定である。基板11の第1の面11a上に、第1導電型の第1半導体層と、活性層と、第2導電型の第2半導体層が順に積層された半導体積層体15が形成されている。 (もっと読む)


【課題】同一の発光ピーク波長をもつ2層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板102の上面側に、中間電極104、下側第1導電型半導体層106、第1発光層108、第2導電型半導体層110、第1発光層108と同一の発光波長を有する第2発光層112、上側第1導電型半導体層114および上側電極116を順次具え、支持基板102の下面側に設けられる下側電極118と、上側第1導電型半導体層114および第2発光層112を貫通する凹部120に設けられ、第2導電型半導体層110と電気的に接続する基準電極122と、を有し、第1発光層108の電流が流れる有効領域108aを規制する絶縁部126を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】発光層14上に、MOCVD法によってp−AlGaNからなるpクラッド層15を形成する。圧力30kPa、Mg濃度は1.5×1020/cm3 とする。これにより、III 族元素極性の結晶に窒素極性の領域が多数生じ、pクラッド層15の表面は六角柱状の凹凸形状となる。次に、pクラッド層15上に、MOCVD法によって凹凸形状に沿って膜状にGaNからなるpコンタクト層16を形成する。 (もっと読む)


【課題】成長用基板の剥離の際の半導体層の損傷を抑制した半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子用ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、凹凸が設けられた主面を有する第1基板の主面上に、発光層を含む窒化物半導体層を形成する工程と、窒化物半導体層と第2基板とを接合する工程と、第1基板を介して窒化物半導体層に光を照射して第1基板を窒化物半導体層から分離する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体層を形成する工程は、凹凸の凹部の内壁面上に窒化物半導体層の少なくとも一部と同じ材料を含む薄膜を形成しつつ、凹部の内側の空間内に空洞を残すことを含む。分離する工程は、薄膜に光の少なくとも一部を吸収させて、窒化物半導体層のうちで凹部に対向する部分に照射される光の強度を、窒化物半導体層のうちで凹凸の凸部に対向する部分に照射される光の強度よりも低くすることを含む。 (もっと読む)


【課題】良好なPN接合を側面に有して、良好な電気的特性を有する半導体素子等を提供すること。
【解決手段】第1導電型の半導体コア11を覆うように第1導電型の半導体シェル12を形成する。また、第1導電型の半導体シェル12を覆うように第2導電型の半導体シェル13を形成する。 (もっと読む)


【課題】順方向電圧の上昇を抑制し、且つ光取り出し効率を向上させたフリップチップ実装半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第1の導電型を有する第1の半導体層、発光層及び第2の導電型を有する第2の半導体層160が積層された積層半導体層と、第1の半導体層と接続する第1の電極と、第2の半導体層の表面に設けた第2の電極170と、を備え、第2の電極は、他の部分より膜厚が大きい複数の膜厚部を有し、光透過性を示す透明導電層171と、透明導電層上に積層され第1の屈折率を有し光透過性を示す第1の絶縁層と、第1の屈折率より高い第2の屈折率を有し光透過性を示す第2の絶縁層とを交互に積層して構成された多層絶縁層172と、多層絶縁層上に積層され導電性を有する金属反射層173aと、多層絶縁層を通して設けられ一端が透明導電層の膜厚部に電気的に接続され他端が金属反射層と電気的に接続される導体部176と、を含む。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成される、低転位密度で結晶品質が優れた窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、機能層と、を備えた窒化物半導体層が提供される。下地層は、シリコン基板の上に形成されたAl含有窒化物半導体層の上に形成され、不純物濃度が低く、GaNを含む。機能層は、下地層の上に設けられる。機能層は、下地層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し第1導電形のGaNを含む第1半導体層を含む。Al含有窒化物半導体層は、多層構造体を含む。多層構造体は、Alを含む窒化物半導体を含む複数の第2層と、複数の第2層の間に設けられ第2層におけるAl組成比よりも低いAl組成比を有する窒化物半導体を含む第1層と、を含む。下地層の厚さは、第1層の厚さよりも厚く、第1半導体層の厚さよりも薄い。 (もっと読む)


【課題】任意の基板上に形成でき良好な結晶性を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記第1層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。前記機能層は、前記第1層の上に形成され、窒化物半導体を含む。 (もっと読む)


【課題】GaN結晶基板上にモフォロジーが良好で均一な物性を有するIII族窒化物半導体層が成長された高特性のIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本III族窒化物半導体発光素子は、GaN結晶基板100と、GaN結晶基板100の主面100m上に配置された少なくとも1層のIII族窒化物半導体層200と、を含み、GaN結晶基板100は、マトリックス結晶領域100sとc軸反転結晶領域100tとを含み、主面100mと{0001}面100cとの間のオフ角θについて、<10−10>方向および<1−210>方向のうちいずれか一方の方向を第1方向とし他方の方向を第2方向とするとき、第1方向のオフ角成分の絶対値|θ1|が0.03°以上1.1°以下、かつ、第2方向のオフ角成分の絶対値|θ2|が0.75×|θ1|以下である。 (もっと読む)


【課題】成長用基板に形成された窒化物半導体層を容易に剥離できる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法では、第1のサイズd1を有する第1基板31に窒化物半導体層11を形成する。窒化物半導体層11上に第1のサイズd1より小さい第2のサイズd2を有する第1接着層12aを形成し、第2基板32上に第2接着層12b形成する。第1および第2接着層12a、12bを重ね合わせ、第1および第2基板31、32を張り合わせる。第2のサイズd2より大きいまたは等しい第3のサイズd3を有する凹部31aを生じるように第1基板31を除去する。凹部31aに薬液を注入し、窒化物半導体層11が露出するまで第1基板31をエッチングする。薬液で、露出した窒化物半導体層11を更にエッチングし、窒化物半導体層11の露出面を粗面化する。 (もっと読む)


【課題】静電耐圧が高い窒化物半導体発光素子を歩留まりが高く製造する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、成長用基板と、該成長用基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、該n型窒化物半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたp型窒化物半導体層とを有し、n型窒化物半導体層の発光層と接する側の表面から基板に向けて略垂直に延び、直径が2nm〜200nmであるパイプ穴を5000個/cm2以下有することを特徴とする。 (もっと読む)


101 - 120 / 2,918