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Fターム[5F041CA65]の内容

発光ダイオード (162,814) | LED形式 (36,241) | 製造方法 (9,002) | 母体成長 (4,236) | 気相成長(VPE) (3,285) | MOCVD(有機金属気相熱分解法) (2,918)

Fターム[5F041CA65]に分類される特許

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【課題】活性層の内部量子効率を向上させた窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に設けられたバッファ層および活性層と、を備え、バッファ層は、交互に積層された、Inx1Ga1-x1N(0<x1≦1)の式で表わされる第1のバッファ層と、Inx2Ga1-x2N(0≦x2<1、x2<x1)の式で表わされる第2のバッファ層と、を有しており、第1のバッファ層のIn組成x1は変化し、第1のバッファ層の少なくとも1層のIn組成x1が、活性層のIn組成よりも大きい窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】設計したドーピング濃度および深さ方向分布の製造ばらつき(生産揺らぎ)を抑えて、発光出力を向上させかつ安定化させる。
【解決手段】p型電極11とn型電極12の形成後に、静電容量測定手段が、p型電極11とn型電極12間の静電容量を測定する静電容量測定工程と、不純物濃度分布演算手段が、測定した静電容量から不純物濃度分布を演算する不純物濃度分布演算工程(図示せず)と、第1不純物濃度分布制御手段が、演算した不純物濃度分布が最も低い値を特徴量として、次のロットまたは基板における発光層の形成時に、MOCVD手段を制御して最大の発光出力が得られるように制御する第1不純物濃度分布制御工程(図示せず)とを有している。 (もっと読む)


【課題】長い時間と多大な電力を要する後工程が不要であり、かつ窒化物半導体のpn接合界面が大気開放されても発光素子を製造可能な方法を提供する。
【解決手段】p型窒化物半導体層上に、主成分元素として亜鉛と酸素、ならびに副成分元素としてアルミニウム、ガリウム、およびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、組成物または混合物を用いて、スパッタリング法または真空蒸着法により、n型酸化亜鉛層を製膜する工程を有するヘテロ接合型発光素子の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】 Agのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第1導電型の第1の半導体層と、該第1の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第2導電型の第2の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第1の半導体層又は前記第2の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第1の半導体層又は前記第2の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるAgを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第1キャップ層と、該第1キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第2キャップ層との積層を少なくとも2セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 (もっと読む)


【課題】光出力の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子10では、半導体積層体15は、第1導電型の第1半導体層12と、半導体発光層13と、第2導電型の第2半導体層14がこの順に積層されている。半導体積層体15は、第2半導体層14および半導体発光層13を貫通して第1半導体層12に到る複数の柱状のトレンチ16を有している。複数の柱状のトレンチ16は、周期的に配列されている。半導体発光層13から放射される光に対して透光性を有する絶縁膜20が、トレンチ16内に埋め込まれている。第1電極18は、第1半導体層12に電気的に接続されている。第2電極19は、第2半導体層14の上面を覆っている。 (もっと読む)


【課題】活性層の端面での非発光再結合が抑制され、発光効率の向上した発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1導電型半導体層、活性層および第2導電型半導体層がこの順に設けられ、前記第2導電型半導体層に光取り出し面を有する積層体と、少なくとも前記活性層の端面近傍に設けられ、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する再結合抑制構造とを備えた発光素子。 (もっと読む)


【課題】高アスペクト比、高精細の障壁を備えた蛍光体基板を提供する。
【解決手段】本発明の蛍光体基板1は、基板2と、基板2上に設けられ、入射された励起光により発光する蛍光体層3R,3G,3Bと、蛍光体層の側面を囲む障壁4と、を備え、蛍光体層3R,3G,3Bと障壁4とを有する第1の領域M1と、第1の領域M1の外側に位置する第2の領域M2と、を備え、第2の領域M2には、第1の領域M1に形成された障壁4を構成する全ての部材あるいは一部の部材で形成された構造物5が設けられ、障壁4と構造物5の少なくとも一部とが連続体をなしている。 (もっと読む)


【課題】発光層内を伝搬して半導体膜の端面に至る光を効率的に外部に取り出すことができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置1は、III族窒化物半導体からなる発光層を含む半導体膜20と、半導体膜の光取り出し面とは反対側の面に設けられた反射電極40と、反射電極に接合層を介して接合された支持基板60と、を含む。半導体膜20は、光取り出し面に対して斜め方向に傾斜したテーパー状端面20aを有する。光取り出し面は、半導体膜の結晶構造に由来する形状の複数の突起からなる凹凸構造を有し、光取り出し面のエッジ部周辺の第1領域101における複数の突起の平均サイズが、第2領域102における複数の突起の平均サイズよりも小である。 (もっと読む)


【課題】 製品寿命を良好に維持することが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光装置1であって、基板2と、基板2上に設けられた発光素子3と、基板2上に設けられた、発光素子3を取り囲む多孔質材料からなる枠体4と、枠体4の内周面4aから上面を経て枠体4の外周面4bにかけて連続して設けられた透光性の封止層5と、枠体4の下面であって内周面4aと外周面4bの間に設けられた接合部材6と、枠体4の内部には、封止層5と接合部材6で囲まれる領域に閉じ込められるように設けられた空隙部7とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】コンタクト部における光吸収の抑制と、電極と半導体層との良好なオーミック接触との両立を図り、順方向電圧をさほど上昇させることなく発光出力を向上させることが可能な紫外光を発する半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子100は、第1伝導型の半導体層105と、発光層104と、第2伝導型の半導体層103とをこの順に含む半導体積層体106と、第1伝導型半導体層105上に、コンタクト層107とオーミック電極層108とが積層してなるコンタクト部109と、オーミック電極層108に接し、第1伝導型半導体層105と電気的に接続する第1電極113と、第2伝導型半導体層103に電気的に接続する第2電極112と、を有し、コンタクト部109には第1伝導型半導体層105が露出する複数の島状の開口部111を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 ホールの供給を促して、発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子10では、第1導電型の第1不純物濃度を有する井戸層と第1不純物濃度より高い第1導電型の第2不純物濃度を有する障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層13が、第1半導体層12上に部分的に設けられている。バンドギャップが略一様で単一の組成を有する第2導電型の第2半導体層15、16が発光層13上に設けられている。第1電極21、22は、第1半導体層13上に設けられている。第2電極23、24が、第2半導体層16上に設けられている。発光層13に平行な方向における第1電極22と第2電極24の間の第1の距離L1が、発光層13に垂直な方向における第1電極21、22と第2電極23、24の間の第2の距離L2より大きい。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子(窒化物半導体素子)1は、主面10aを有する基板10と、n型層20a、n型コンタクト層20bおよびp型層20dを含む半導体層20と、を備える。主面10aはm面に対してa軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層20は、傾斜領域21と非傾斜領域22とを含む。傾斜領域21において、n型層20aおよびn型コンタクト層20bの所定領域上にn電極40が形成されている。 (もっと読む)


【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。
【解決手段】 サファイア単結晶基板10と、サファイア単結晶基板10の一方主面10Aに第1素子機能部22を備え、他方主面10Bに第2素子機能部32を備え、第1素子機能部22が光を発光し、第2素子機能部32がサファイア単結晶基板10を透過した光を受光することで、高い周波数の信号を精度良く伝送する。 (もっと読む)


【課題】GaN基板を電流経路として有効利用した発光ダイオード素子を用いて、高信頼性化および発光効率の向上を図った発光装置を提供する。
【解決手段】この発光装置は、下記(A)の発光ダイオード素子と、該発光ダイオード素子に印加される電流が最大電流Imaxを超えないように制御する制御回路と、を備え、(a)Imax/A≧220〔A/cm〕;かつ(b)下記(A)の発光ダイオード素子のI−V曲線が、20(mA)〜Imax(mA)の範囲内に、該曲線の傾きの変化率が減少から増加に転じる点を有さない、ことを特徴とする。(A)活性層を含む複数のGaN系半導体層を有する積層構造がGaN系半導体基板の主面上に設けられ、n側電極が該GaN系半導体基板の表面または該GaN系半導体基板上に積層されたコンタクト層の表面の一部に形成され、該n側電極の面積Aが該活性層の面積Aの20%以下である、発光ダイオード素子。 (もっと読む)


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