説明

Fターム[5F041CA74]の内容

発光ダイオード (162,814) | LED形式 (36,241) | 製造方法 (9,002) | エッチング (2,018)

Fターム[5F041CA74]に分類される特許

2,001 - 2,018 / 2,018


窒化ガリウム(GaN)ベースの発光ダイオード(LED)で、光はLEDの窒素面(N面)(42)を介して取り出される。また、N面(42)の表面は1つ以上の六角形状円錐に粗くされる。表面を粗くすると、LED内部で繰り返し起こる光の反射が減り、そのため、より多くの光をLEDから取り出せる。N面(42)の表面は、異方性エッチングによって粗くされる。この異方性エッチングとしては、乾式エッチング、PECエッチングが挙げられ得る。
(もっと読む)


【課題】ベアチップの周囲のみに蛍光体膜を配した状態で、プリント配線板等に設けられた凹部底部に実装可能な半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】SiC基板4の上面に結晶成長によって形成された発光層14を含む半導体多層膜8〜18からなるLED6a,6b,…,6c,6dがブリッジ配線30によって直列に接続されてLEDアレイチップが構成されている。各LED6a〜6dを覆うように蛍光体膜48が配されている。SiC基板4の下面には、電気的に互いに独立した2個の給電端子36、38が形成されていて、直列接続されたLED6a〜6dの内の、低電位側末端のLED6aのカソード電極32と給電端子36とがブリッジ配線40およびスルーホール42によって接続され、高電位側末端のLED6dのアノード電極34と給電端子38とがブリッジ配線44およびスルーホール46によって接続されている。 (もっと読む)


半導体ウエハを加工することは、第1の厚さを有する半導体ウエハ上に複数の発光デバイス(LED)を形成することを含むことができる。ウエハ上の複数のLEDをキャリアの表面と接触させ、ウエハをキャリアに結合する。ウエハの第1の厚さは、ウエハの裏面を加工することによって、第1の厚さよりも小さい第2の厚さまで低減される。キャリアがウエハ上の複数のLEDから分離され、ウエハが切削されて複数のLEDが互いに分離される。関係するデバイスも開示されている。

(もっと読む)


基板、基板上のn型エピタキシャル領域、およびn型エピタキシャル領域上のp型エピタキシャル領域を備える発光ダイオードおよび発光デバイスの作製方法が提供される。p型エピタキシャル領域の少なくとも一部が、基板に対してメサを構成している。オーミックコンタクトが、p型エピタキシャル層の露出部分の上に設けられている。オーミックコンタクトは、オーミックコンタクトの側壁が、メサの側壁およびp型エピタキシャル層に対して実質的に位置合わせされるように、メサの側壁およびp型エピタキシャル層と自己位置合わせされている。

(もっと読む)


空洞共振発光素子を製作する方法では、窒化ガリウム種結晶(14)及び供給源材料(30)を、多ゾーン炉(50)内に配設される密封容器(10)内に配設される窒素含有過熱流体(44)内に配置する。窒化ガリウム種結晶(14)上で窒化ガリウム材料を成長させて、単結晶窒化ガリウム基板(106、106’)が得られる。成長は、窒化ガリウム種結晶(14)と供給源材料(30)の間に時間的に変化する熱勾配(100、100’、102、102’)を適用して、この成長の少なくとも一部の間、成長速度を速くすることを含む。単結晶窒化ガリウム基板(106、106’)上に、第III族窒化物層のスタック(112)を堆積させる。スタック(112)は、1以上の空洞共振発光素子(108、150、160、170、180)が製作されるように適合された第1ミラーサブスタック(116)及び活性領域(120)を含む。 (もっと読む)


本発明は、放射を生成する活性層(14)を含むエピタキシャル多層構造体(12)の設けられた放射を発する薄膜半導体チップに関する。この多層構造体(12)は、第1の主表面(16)と、この第1の主表面(16)とは反対側に配置され放射を生成する活性層において形成された放射を出力結合する第2の主表面(18)を有する。さらに多層構造体(12)の第1の主表面(16)が反射性の層もしくは界面と結合されており、多層構造体(12)の第2の主表面に接する多層構造体(12)の領域(22)が、凸状の突出部(26)によって1次元または2次元で構造形成されている。
(もっと読む)


窒化物半導体単結晶ウエハを研磨すると加工変質層ができる。加工変質層を除去するためのエッチングが必要である。しかし窒化物半導体は化学的に不活性であって適当なエッチャントがない。水酸化カリウムとか燐酸がGaNのエッチャントとして提案されているがGa面を腐食する力は弱い。 加工変質層を除去するためにハロンゲンプラズマを用いたドライエッチを行う。ハロゲンプラズマでGa面をも削り取る事ができる。しかしドライエッチによって新たに金属粒子による表面汚染の問題が生ずる。そこで選択性がなく腐食性があって酸化還元電位が1.2V以上であるHF+H、HSO+H、HCl+H、HNO等をエッチャントとしてウエットエッチングする。
(もっと読む)


発光素子100は、III−V族化合物半導体からなる発光層部24と、該発光層部24の少なくとも一方の主表面側に形成され、発光層部24からの発光光束のピーク波長に相当する光量子エネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII−V族化合物半導体からなる厚さ40μm以上の透明厚膜半導体層90とを有する。透明厚膜半導体層90は、側面部90Sが化学エッチング面とされ、かつ、該透明厚膜半導体層90のドーパント濃度が5×1016/cm以上2×1018/cm以下とされる。これにより、透明厚膜半導体層を有するとともに、その側面部からの光取り出し効率を飛躍的に高めることができる発光素子を提供する。
(もっと読む)


本発明は高輝度の窒化物マイクロ発光ダイオード(LED)及びその製造方法に関するものである。本発明はマイクロサイズの複数の発光チップ10を形成し、そのチップ間のギャップをSiO、Si、DBR(ZrO/SiO、HfO/SiO)、ポリアミドなどの充填材5で埋め込むと共に、発光チップアレイと充填材の上面11をCMP加工により平坦化した後、大面積の透明電極6を形成する。それによって、全ての発光チップが同時に作動するように構成したことを特徴とする高輝度の窒化物マイクロLED及びその製造方法を提供する。また、フリップチップ構造を採用してマイクロサイズ発光チップアレイの電極形成の均一度が向上した高輝度の窒化物マイクロLEDを提供する。
(もっと読む)


本発明は複数のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法に関し、これらの半導体チップはそれぞれ少なくとも1つの半導体層を備えた複数の構造素子をそれぞれ有する。この方法においては基板ならびに成長表面を有するチップ結合体ベースが提供される。閉塞していないマスク材料層を、形状および/または開口面が異なる静的で分散的な複数の窓を有するように成長表面上に形成し、ここでマスク材料は後続のステップにおいて成長すべき半導体層の半導体材料がこのマスク材料上では実質的に成長しない、または成長表面に比べて実質的に成長しにくい。続けて、半導体層が実質的に窓の内部に位置する成長表面の領域の上に析出される。さらなるステップではチップ複合体ベースが被着された材料と共に半導体チップに個別化される。さらに本発明は本方法に応じて製造されるオプトエレクトロニクス半導体チップに関する。
(もっと読む)


【課題】異なる色の発光素子の組み合わせからなる半導体発光装置において、色むらの低減を図ること。
【解決手段】LEDチップアレイ(2)は、青色LED(6)と赤色LED(8)を有する。青色LED(6)は、SiC基板(4)上に結晶成長によって形成されている。SiC基板(4)上には、半導体プロセスによるボンディングパッド(46)、(48)が形成されている。赤色LED(8)は、青色LED(6)とは別途に作製され、前記SiC基板(4)上の前記ボンディングパッド(46)、(48)にフリップチップ実装されている。 (もっと読む)


複数の縦型構造光学電子装置を結晶基板上に形成し、レーザリフトオフ処理で基板を取り除く工程を含んだ縦型構造光学電子装置の製造方法が開示されている。続いてこの方法は基板の代わりに金属支持構造体を形成する。1例ではこの形成には電気メッキ処理及び/又は無電メッキ処理が利用される。1例では縦型構造体はGaN型であり、結晶基板はサファイヤ製であり、金属支持構造体は銅を含む。本発明の利点には、高性能で生産効率が高い大量生産用の縦型構造LEDの製造が含まれる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、1回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製することを課題とする。
【解決手段】 基板11の一面上に、n型半導体薄膜層13と、活性層と、p型半導体薄膜層17とを積層形成し、このp型半導体薄膜層17上面に一方の電極32を基板11の他面上に他方の電極33aを設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、基板11の他面側から電極33aと接続されるn型半導体薄膜層13に到達する深さの縦穴20を波長が500nm以下の短波長レーザを照射して設け、基板11の他面に設けた電極33aとn型半導体薄膜層13を縦穴20に形成した導電性材料30を介して電気的に接続し、電極32を基台100の第1のリード電極101に接続し、電極33aを第2のリード電極103にワイヤボンド線104で接続する。 (もっと読む)


発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。
(もっと読む)


発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。 (もっと読む)


【課題】 Al層上にCu層を接続性よく形成することができる、多層配線構造又は電極取り出し構造、電気回路装置、及びこれらの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 アルミニウムの電極パッド56、57及び電極層77上に絶縁層79を形成する工程と、電極パッド56、57及び電極層77上において絶縁層79にビアホール70’を形成する工程と、ビアホール70’内に無電解Niメッキ層81を形成する工程と、無電解Niメッキ層81上にCu配線86を形成する工程とを有する、多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。 (もっと読む)


【課題】各発光素子の発光強度を均等にして、高性能かつ高信頼性のLEDアレイを提供する。
【解決手段】単結晶基板1上に一導電型半導体層2と逆導電型半導体層3と個別電極4とを順次積層し、この一導電型半導体層2を引き出した延在部7の上に共通電極5と絶縁膜6とを並設して成る発光素子を複数個配列して成る発光素子群9にて構成され、この発光素子群9内における各発光素子の延在部7における共通電極5に至る電極間隔xが異なるとともに、一方の発光素子の電極間隔xと他方の発光素子の電極間隔xとを同じにして、双方の共通電極5を通電せしめるように成し、そして、前記延在部7と共通電極5との接触面積sを、電極間隔xが長くなるにしたがって、大きくしている。 (もっと読む)


【目的】 LDの出力を監視するモニタPDを裏面入射型あるいは表面入射型のPDとし、しかも基板上に実装容易な形態のLD・PD発光装置を提供する事。
【構成】 基板と、基板の表面の一部に形成され光を導くコアを有する光導波路層と、光導波路層の一部或いは全部を除いた基板面に設けられ前方光と後方光を生じ前方光は光導波路コアを伝送するようにしたLDと、LDの背後において基板を穿つことによって形成されLDの後方光を反射する光路変換溝と、LD後方光を検出するため光路変換溝の上に跨りLDより高い位置に固定されたモニタ用PDとを含む。 (もっと読む)


2,001 - 2,018 / 2,018