【課題】 光の取り出し効率を向上させるとともに、容易かつ再現性良く製造可能な半導体発光素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１は、電力を供給することで発光する発光層１２を有した半導体積層構造１１〜１３と、半導体積層構造１１〜１３の上面に形成されて発光層１２が出射する光に対して透明であり導電性を有する透明電極１４と、透明電極１４の上面に形成されて発光層１２が出射する光に対して透明であり透明電極１４よりも屈折率が高い透明高屈折率膜１５と、を備える。透明高屈折率膜１５は、透明電極１４から離れるに従い連続的または段階的に屈折率が低くなり、かつ、透明電極１４からの距離にかかわらず組成が一様である。 （もっと読む）

【課題】発光素子の半導体層の厚さを減少させ、発光素子の光抽出効率を改善しようとすること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を有する発光構造物と、前記発光構造物の下部に位置し、第２の導電型半導体層と電気的に連結された第２の電極層と、第２の電極層の下部に位置する主電極、及び前記主電極から分岐され、第２の電極層、第２の導電型半導体層及び活性層を貫通して第１の導電型半導体層と接する少なくとも１つの接触電極を有する第１の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間及び第１の電極層と前記発光構造物との間の絶縁層とを備え、第１の導電型半導体層は、第１の領域と、第１の領域と区分され、第１の領域より高さの低い第２の領域とを有し、第１の領域は前記接触電極と重畳されている。 （もっと読む）

【課題】ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成された低接触抵抗のｎ側電極を有するＧａＮ系発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法は、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板である基板１１０と、基板１１０上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体からなりｐｎ接合型の発光構造を含むエピ層１２０と、を有するエピウェハを準備する第１ステップと、前記エピウェハに含まれる基板１１０の裏面をポリッシングする第２ステップと、前記第２ステップでポリッシュされた基板１１０の裏面全体にｎ側オーミック電極を形成する第３ステップと、前記第３ステップで形成された前記ｎ側オーミック電極をエッチングによりパターニングする第４ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】
ｐ側窒化物半導体層における電流拡散性を向上させた窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体素子であって、前記ｐ型窒化物半導体層において、ｐ型コンタクト層と、前記ｐ型コンタクト層と組成の異なるＡｌＮ層とを有し、前記ｐ型コンタクト層と前記ＡｌＮ層とが接していることを特徴とする窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】フリップチップタイプの発光素子の発光効率を向上させながら、発光素子パッケージに実装したときの安定性及び信頼性が確保される発光素子を提供すること。
【解決手段】支持部材と、支持部材上に配置された第１の半導体層、第２の半導体層、及び第１の半導体層と第２の半導体層との間に介在する活性層を有する発光構造物と、第１の半導体層の第１の領域が露出し、第１の領域の第１の半導体層上に配置された第１の電極と、第２の半導体層上に配置された第２の電極と、少なくとも第１の電極と発光構造物との間に配置された絶縁層とを備え、第１の半導体層と第２の半導体層は互いに異なる導電性半導体層であって、活性層は、少なくとも一対の井戸層及び障壁層を有し、井戸層は障壁層より小さいバンドギャップを有し、第１の電極は、上面の面積が第２の半導体層の面積に対比して４０％〜９９％の面積を有する発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】キャップ層表面でのひび割れの発生を抑制することが可能な、半導体発光デバイス及び半導体発光デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光デバイスは、所定の基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の一部に形成された量子井戸層と、量子井戸層上に形成された、ｐ−ＧａＮからなるｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に形成された、ｐ−ＩｎＧａＮからなるキャップ層と、キャップ層上、及び、量子井戸層の形成されていないｎ型窒化物半導体層上にそれぞれ形成されたコンタクト電極と、を備える。本発明に係る半導体発光デバイスのキャップ層では、当該キャップ層とｐ型窒化物半導体層との間の界面からコンタクト電極の形成された側の面に向かうにつれて、キャップ層に含まれるＩｎの割合が増加する。 （もっと読む）

【課題】非極性面または半極性面を主面とする大型で良質なIII族窒化物半導体結晶をより簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】極性面を主面とする下地基板１０上に、極性面以外のファセット面１１〜１８を含む凸状ライン部２１〜２４を２５００μｍ以上のピッチで複数本形成し、前記主面に垂直な方向にIII族窒化物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、基板１１０の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜１２０と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第１の窒化物半導体層１１１と、各第１の窒化物半導体層１１１の側面上にのみ成長により形成された複数の第２の窒化物半導体層１１２と、複数の第１の窒化物半導体層１１１及び複数の第２の窒化物半導体層１１２を覆うように成長により形成された第３の窒化物半導体層１１３とを有している。複数の第２の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第３の窒化物半導体層は、第２の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 （もっと読む）

【課題】ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成されたｎ側電極を有し、素子内を流れる電流の経路を制御することにより発光効率を改善したＧａＮ系発光ダイオードを提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードは、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板である基板と、該基板上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体からなりｐｎ接合型の発光構造を含むエピ層と、該基板の裏面に形成されたｎ側電極と、該エピ層の上面に形成された透光性のｐ側オーミック電極と、該ｐ側オーミック電極上の一部に形成されたｐ側電極パッドとを有する。前記基板の裏面のうち前記ｎ側電極に覆われた領域には、ポリッシング仕上げされた領域である低接触抵抗領域と、ドライエッチング仕上げされた領域である高接触抵抗領域とが含まれ、前記基板の裏面への前記ｐ側電極パッドの正射影の全部または一部が前記高接触抵抗領域に含まれる。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、発光層と、電子ブロック層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光層は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられ、窒化物半導体を含む。前記電子ブロック層は、前記発光層と前記ｐ形半導体層との間に設けられ、前記発光層から前記ｐ形半導体層の方向に増加するアルミニウム組成比を有する。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることができ、且つ、小型化を図ることができる半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電形の第１半導体層１２と、第２導電形の第２半導体層１１と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる発光層１３と、を含み、前記発光層が放射する光を前記第２半導体層側の第１の主面から放射する積層体１５と、前記積層体の前記第１の主面１５ａとは反対側の第２の主面１５ｂ側において、前記第１半導体層に接続される第１電極１６と、前記積層体の前記第２の主面側において前記第２半導体層に接続される第２電極１７と、前記第１電極に接続される第１配線部２１と、前記第２電極に接続される第２配線部２２と、前記積層体の前記第２の主面側に設けられ、前記第１配線部と、前記第２配線部と、を覆う封止部２５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】色度ばらつきを低減した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、第１の面とその反対側に形成された第２の面と発光層とを含む半導体層と、第２の面における発光層を有する領域に設けられたｐ側電極と、第２の面における発光層を含まない領域に設けられたｎ側電極とをそれぞれが含む３つ以上のチップと、第１の面上に設けられた同種類の蛍光体層とを備えている。チップは、平面視で中央に位置する中央チップと、中央チップを挟んで対称配置された少なくとも２つの周辺チップとを有する。周辺チップ間で第１の面上の蛍光体層の厚さは同じであり、中央チップの第１の面上の蛍光体層と、周辺チップの第１の面上の蛍光体層とは、厚さが異なる。 （もっと読む）

【課題】保護膜及び電極膜が均一な膜厚で形成され、安定で高輝度の発光が担保され、側面の劣化が防止され、高信頼性及び長寿命化が図られている発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、支持構造部６は反射層２の一部を含み、その側面６ｂがウェットエッチングで形成され、傾斜部６ｂａを含み、傾斜部６ｂａを含む水平方向の断面積が上面６ａに向かって連続的に小さく形成され、メサ型構造部７はその傾斜側面７ａがウェットエッチングで形成され、水平方向の断面積が頂面７ｂに向かって連続的に小さく形成され、保護膜８は上面６ａと、傾斜部６ｂａと、傾斜側面７ａと、頂面７ｂの周縁領域７ｂａとを覆うとともに、周縁領域７ｂａの内側に半導体層５の表面の一部を露出する通電窓８ｂを有し、電極層９は通電窓８ｂから露出された表面と直接接触すると共に上面６ａ上に形成された保護膜８を覆い、光射出孔９ｂを有する連続膜である。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が良好で、パッド電極が剥がれにくく、さらに反射層とそれを挟む層との間の密着性を考慮せずに高い反射性を有する材料からなる反射層を選択できる半導体発光素子およびこれを用いたランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２と発光層１３とｐ型半導体層１４とがこの順に積層された半導体層１０と、ｐ型半導体層１４上に形成された第１透明導電層１５ａと、第１透明導電層１５ａ上に部分的に形成された金属反射層２ａと、金属反射層２ａ上を覆うように形成された第２透明導電層１５ｂと、金属反射層２ａと平面視で重なる位置の第２透明導電層１５ｂ上に形成された正極１７とを備え、第１透明導電層１５ａおよび第２透明導電層１５ｂが、Ｉｎ_２Ｏ_３を８０質量％以上含む半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】素子作製時の裏面チッピングを抑制する。
【解決手段】半導体発光素子用ウエハを切削して素子化する半導体発光素子の製造方法において、前記半導体発光素子用ウエハは、半導体積層部と、前記半導体積層部の第一主面側に設けられる第一電極と、前記半導体積層部の第二主面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられる第二電極とを備え、前記半導体発光素子用ウエハの切削は、前記半導体発光素子用ウエハの第一方向及び該第一方向と直交する第二方向の複数の切削ラインに沿って、前記半導体発光素子用ウエハを前記支持基板の途中の深さまで切削して前記半導体発光素子用ウエハに格子状のハーフカット溝を形成する第一切削工程と、前記支持基板を完全に切断し溝の深さが前記半導体発光素子用ウエハに貼り付けたダイシングシートにまで達するように前記ハーフカット溝を更に切削する第二切削工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】凸パターンを覆うｎ型窒化物半導体層を良好に形成できながら、外部量子効率を向上させることができる発光素子およびこれを含む発光素子ユニットを提供すること
【解決手段】基板２の表面３に互いに第１ピッチｐ_１を空けて離散して配置された複数の凸部１９の集合体からなる凸パターン２０において、凸部１９は、互いに第１ピッチｐ_１よりも小さい第２ピッチｐ_２を空けて当該凸部１９の頂部に離散して形成された複数の微細凸部３５の集合体からなる微細凸パターン３６と、当該微細凸パターン３６を支持するベース部３７とを含む。 （もっと読む）

【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 基板上に複数の半導体発光素子が形成された半導体発光素子アレイであって、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層とを有する半導体発光層と、前記半導体発光層の一辺に沿って、該一辺と平行に形成された第１配線層と、前記第１配線層から前記半導体発光層にかけて延在し、前記半導体発光層の表面において、前記ｎ型半導体層と電気的に接続される複数の第２配線層とを有し、前記複数の第２配線層のうち、前記半導体発光層の他の前記半導体発光素子間との端部近傍に形成される第２配線層の前記半導体発光層への電流注入量が、前記半導体発光層の中心部近傍に形成される第２配線層の前記半導体発光層への電流注入量よりも高い半導体発光素子アレイが提供される。 （もっと読む）

【課題】欠陥が生じていない部分にダメージを与えることなく、半導体素子の欠陥を修復する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子１０の修復方法においては、検出した欠陥部２５上に形成されたレジスト膜１８を除去するようにレジスト膜１８をパターニングし、当該レジスト膜１８をマスクにして半導体層をエッチングすることによって、欠陥部２５を取り除く。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面側に備える反射メタルにより高い反射率で光を反射させて光取り出し効率を向上させることができ、しかもその反射メタルと基板との密着性に優れる、フェイスアップタイプの発光素子およびこれを含む発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】フェイスアップ姿勢で用いられる発光素子１であって、基板２と、基板２の表面３に順に積層されたｎ型ＧａＮ層６、発光層７およびｐ型ＧａＮ層８を有する窒化物半導体積層構造部９と、基板２の裏面４に形成された透明接着層１０と、ＡｇとＰｔ族金属とＣｕとを含む合金からなり、透明接着層１０に接触した状態で透明接着層１０の裏面に形成された反射メタル１１と、反射メタル１１の裏面に形成された接合メタル１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥修復後に新たな短絡が発生するのを防止し得る半導体素子の修復方法を提供する。
【解決手段】欠陥を検出する欠陥検出工程と、欠陥の上面に位置する透明導電膜８、ｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５、活性化層４及びびｎ型窒化ガリウム（ｎ−ＧａＮ）層３を上側から除去加工する除去加工工程とを含む。除去加工工程においては、透明導電膜８の残渣Ｒの垂下長さＬがｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５と活性化層４との合計膜厚Ｈよりも短くなるように透明導電膜８が除去加工される。 （もっと読む）