【課題】発光層の品質を高めるとともに、発光効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ中間バッファ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６、ｐ型ＧａＮ層７が順に積層されている。ＩｎＧａＮ／ＧａＮ中間バッファ層４は、複数のＩｎＧａＮ膜と複数のＧａＮ膜とが交互に積層された超格子構造を有し、ＩｎＧａＮ膜のＩｎ組成比率はｎ型ＧａＮ層３からＭＱＷ活性層５に向かって段階的に増加していくように構成される。 （もっと読む）

【課題】赤色光、青色光および緑色光を発光する発光装置の小型化を可能にできるIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体発光素子１０は、第１〜第３の面１１ｃ〜１１ｅ、及び裏面１１ｂを有する窒化ガリウム支持基体１１と、第１及び第２の面１１ｃ、１１ｄ上にそれぞれ設けられた第１及び第２のIII族窒化物半導体積層部１２、１３と、第３の面１１ｅ上に設けられた第３のIII族窒化物半導体積層部１４とを備える。第１及び第２のIII族窒化物半導体積層部１２，１３は、緑色光を発生する組成比のインジウムを含む活性層１２ｂ、１３ｂを有する。第３のIII族窒化物半導体積層部１４は、青色光を発生する組成比のインジウムを含む活性層１４ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】良好なＰＮ接合を側面に有して、良好な電気的特性を有する半導体素子等を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体コア１１を覆うように第１導電型の半導体シェル１２を形成する。また、第１導電型の半導体シェル１２を覆うように第２導電型の半導体シェル１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】同一の発光ピーク波長をもつ２層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板１０２の上面側に、中間電極１０４、下側第１導電型半導体層１０６、第１発光層１０８、第２導電型半導体層１１０、第１発光層１０８と同一の発光波長を有する第２発光層１１２、上側第１導電型半導体層１１４および上側電極１１６を順次具え、支持基板１０２の下面側に設けられる下側電極１１８と、上側第１導電型半導体層１１４および第２発光層１１２を貫通する凹部１２０に設けられ、第２導電型半導体層１１０と電気的に接続する基準電極１２２と、を有し、第１発光層１０８の電流が流れる有効領域１０８ａを規制する絶縁部１２６を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体を破損することなく効率的に基板上に実装する方法の提供。
【解決手段】第１基板の上に犠牲層を介して形成された半導体層を第２基板に移設して半導体装置を製造する方法であって、第１の粘着面に移設用基板が接合された両面粘着材の第２の粘着面を前記半導体層の上に接合する工程と、エッチングを行って前記犠牲層を除去することにより、前記第１基板から前記両面粘着材に接合された前記半導体層を分離し、前記分離された前記半導体層を第２基板に接着剤を介して接合する工程と、前記両面粘着材から前記移設用基板を分離し、その後、前記半導体層から前記両面粘着材を剥離する工程とを含み、前記第１の粘着面における粘着力は、前記第２の粘着面における粘着力よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】エッチングにより、適切に、エッチング対象物の表面に凹凸形状を形成して粗面化を行うことができるエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、エッチング対象物の表面１６をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング液組成物であって、有機酸、有機酸塩、無機酸、無機酸塩、キレート剤、界面活性剤、糖アルコール類、フェノール類、アゾール類、および複素環化合物からなる群から選択される少なくとも一つと、酢酸と、フッ化水素酸と、硝酸とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ結晶基板上にモフォロジーが良好で均一な物性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層が成長された高特性のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、ＧａＮ結晶基板１００と、ＧａＮ結晶基板１００の主面１００ｍ上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２００と、を含み、ＧａＮ結晶基板１００は、マトリックス結晶領域１００ｓとｃ軸反転結晶領域１００ｔとを含み、主面１００ｍと｛０００１｝面１００ｃとの間のオフ角θについて、＜１０−１０＞方向および＜１−２１０＞方向のうちいずれか一方の方向を第１方向とし他方の方向を第２方向とするとき、第１方向のオフ角成分の絶対値｜θ₁｜が０．０３°以上１．１°以下、かつ、第２方向のオフ角成分の絶対値｜θ₂｜が０．７５×｜θ₁｜以下である。 （もっと読む）

【課題】成長用基板に形成された窒化物半導体層を容易に剥離できる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法では、第１のサイズｄ１を有する第１基板３１に窒化物半導体層１１を形成する。窒化物半導体層１１上に第１のサイズｄ１より小さい第２のサイズｄ２を有する第１接着層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２接着層１２ｂ形成する。第１および第２接着層１２ａ、１２ｂを重ね合わせ、第１および第２基板３１、３２を張り合わせる。第２のサイズｄ２より大きいまたは等しい第３のサイズｄ３を有する凹部３１ａを生じるように第１基板３１を除去する。凹部３１ａに薬液を注入し、窒化物半導体層１１が露出するまで第１基板３１をエッチングする。薬液で、露出した窒化物半導体層１１を更にエッチングし、窒化物半導体層１１の露出面を粗面化する。 （もっと読む）

【課題】エッチングにより、適切に、エッチング対象物の表面に凹凸形状を形成して粗面化を行うことができるエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、エッチング対象物の表面１６をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング液組成物であって、過酸化水素水と、有機酸とを含む。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト層のドーパント濃度の低下と結晶性低下に起因する、順方向電圧の増大、発光出力の低下が生じにくいＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層と多重量子井戸構造からなる発光層とｐ型クラッド層とを順次積層した後、キャリアガスとＧａ源及び窒素源を含む原料ガスとを連続的に供給するとともに、Ｍｇ源を含むドーパントガスを間欠的に供給するＭＯＣＶＤ法により、前記ｐ型クラッド層上にｐ型コンタクト層を形成する工程を有し、前記ドーパントガスを供給する際に前記キャリアガスの流量を減少させることにより、前記ｐ型コンタクト層の形成中における前記キャリアガスと原料ガスとドーパントガスとの総流量を一定に保つことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】低Ｖｆ化を図りながら、逆バイアス印加時の漏洩電流を確実に防止することができ、高輝度及び高光束を有する信頼性の高い窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層がこの順に積層された窒化物半導体素子であって、前記ｎ側窒化物半導体は、ｎ型コンタクト層、アンドープ半導体層及びｎ型多層膜層がこの順に積層されてなり、該ｎ型多層膜層が、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の総膜厚を有し、前記活性層は９０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の総膜厚を有する窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の剥がれを抑制することが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】基板２上に、ｎ型層３ａ、発光層３ｂ、およびｐ型層３ｃを有する光半導体層３を形成する第１工程と、ｎ型層上の露出領域Ｓｐ内に第１電極４を形成する第２工程と、ｐ型層上に、発光層で発光した光を反射する第１金属層５ａ、および第１金属層を覆うとともに金を含む第２金属層５ｂを順次積層して第２電極５を形成する第３工程と、第２電極上に、チタンおよびシリコンの少なくとも一方を含む密着層６を形成する第４工程と、密着層を酸素雰囲気中で加熱して、密着層の表面を酸化させる第５工程と、表面を酸化させた密着層、第２電極、ｐ型層および発光層を被覆するようにシリコンを含む絶縁膜７を形成する第６工程と、第２電極と重なる領域の一部に位置する、絶縁膜および密着層をエッチングして、第２電極の一部を露出させる第７工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるＧａＰの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上、及び製造工程の簡素化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。第１半導体層は、第１導電形であって、第１部分と、第１部分よりも厚い第２部分と、を含む。第２部分は、第１部分の主面から立ち上がる側面を有する。発光層は、第２部分の上に設けられる。第２半導体層は、第２導電形であって、発光層の上に設けられる。第１電極層は、第１部分の主面に沿って設けられ、第２部分の側面に接する。第２電極層は、第２半導体層の上に設けられる。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法は、成長用基板と、前記成長用基板の上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成された窒化物半導体層と、を有する構造体の、前記窒化物半導体層の側に支持基板を接合した後、第１の処理材を用いて前記成長用基板を除去する工程と、前記成長用基板を除去した後、前記第１の処理材とは異なる第２の処理材を用いて前記バッファ層及び前記窒化物半導体層の厚さを減少させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法は、成長用基板と、前記成長用基板の上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の第１部分の上に形成された層間絶縁膜と、前記窒化物半導体層の第２部分の上に形成された電極と、前記窒化物半導体層の上に形成された層間絶縁膜及び電極と、を有する構造体の、前記層間絶縁膜及び前記電極の上に支持基板を接合した後、第１の処理材を用いて前記成長用基板を除去する工程と、前記成長用基板を除去する前記工程の後に、前記層間絶縁膜をエッチングストップ層として前記窒化物半導体層をパターニングする工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】効率良く射出し、複数の射出面の間隔が大きい発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００の第１利得領域１６０は第１面１３０の垂線Ｐに対して一方側に傾いて第１面１３０と接続し、第２利得領域１７０は垂線Ｐに対して他方側に傾いて第１面１３０と接続し、第１利得領域１６０の第１面１３０側の第１端面１８０と、第２利得領域１７０の第１面１３０側の第３端面１８４とは、第１面１３０において重なり、第１利得領域１６０及び第２利得領域１７０は、同じ傾きで第２面１３２と接続する。曲線形状の第１利得部分１６２及び第２利得部分１７２と、直線形状の第３利得部分１６４及び第４利得部分１７４とは、第５利得部分１６６及び第６利得部分１７６を介して接続され、第５利得部分１６６及び第６利得部分１７６と接する場所の絶縁層１１６の屈折率がスロープ形状もしくは階段形状である第１接続部分１４０及び第２接続部分１５０を有する。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、透明電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆い、一部または全部が前記第１半導体層に埋め込まれている。前記透明電極は、前記光取り出し面および前記低屈折率層を覆い前記発光層から放出される光に対して透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】工程数が少なく生産性を向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、パッド電極層形成工程Ｓ１１で、窒化物半導体発光素子構造上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極となるパッド電極層を形成し、レジストパターン形成工程Ｓ１２で、パッド電極層上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する領域を被覆するレジストパターンを形成する。次に、パッド電極層エッチング工程Ｓ１３で、このレジストパターンをマスクとして、パッド電極層をエッチングしてｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する。続いて、このレジストパターンを除去せずに、保護層形成工程Ｓ１４で、窒化物半導体発光素子構造の表面およびレジストパターン上に絶縁性の保護層を形成した後に、レジストパターン除去工程Ｓ１５で、レジストパターンを除去する。 （もっと読む）

【課題】放熱性を高め光取り出し効率を改善する半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第１電極と、第２電極と、誘電体部と、パッド電極と、を備える。積層構造体は、第１半導体層、第２半導体層及び発光層を含む。積層構造体は、第２半導体層側の表面から第１半導体層に到達する凹部を有する。第１電極は、凹部内において第１半導体層に接する接触部と、引き出し部とを有する。第２電極は第２半導体層と接し光反射する。誘電体部は接触部を覆い凹部内に埋め込まれる。誘電体部は、第１電極と第２電極との間、及び、第１半導体層と第２電極との間を電気的に絶縁する。パッド電極は引き出し部と電気的に接続される。第１半導体層から第２半導体層へ向かう積層方向にみたときに発光層と重なる第２電極の領域の面積は、接触部の第１半導体層との接触面積よりも大きい。 （もっと読む）