【課題】結晶性及び輝度の向上した窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成されるｐ―タイプの窒化物層と、前記ｐ―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるｎ―タイプのＺｎＯ層とを含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子のＦＣ（フリップチップ）実装技術において、順方向電圧（Ｖｆ）の上昇を抑制し、且つ発光出力（Ｐｏ）を増大させる。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び当該第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の半導体層が積層された積層半導体層と、前記第１の半導体層と接続する第１の電極と、前記第２の半導体層の表面に設けた第２の電極と、を備え、前記第２の電極は、他の部分より膜厚が大きい複数の膜厚部を有し且つ前記発光層から出射する光に対して透過性の透明導電層と、前記透明導電層上に積層され且つ当該透明導電層より低屈折率の絶縁層と、前記絶縁層上に積層され且つ導電性の金属反射層と、前記絶縁層を通して設けられ、一端が前記透明導電層の前記膜厚部に電気的に接続され且つ他端が前記金属反射層と電気的に接続される導体部と、を含むことを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、高出力、高効率で信頼性に優れた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸からなる活性層１３を有する発光ダイオードにおいて、光取り出し層であるｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２の表面に光取り出し効率向上のための凹凸構造を設ける。凹凸構造は臭化水素酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、マスクを形成する工程を用いることなく異方性エッチングにより形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜用の成長基板を剥離した発光素子面から機械的に安定した配線電極を確実に形成できる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成長基板１１上にデバイス構造層１２を形成する工程と、発光素子に対応した位置に第１電極層１３を形成する工程と、第１電極層の周辺に構造保護犠牲層１４を形成する工程と、デバイス構造層に素子分離溝１７を形成する素子分離工程と、デバイス構造層側に支持基板２０を貼り付ける接合工程と、成長基板の剥離を行う工程と、デバイス構造層を第１電極層を有する発光素子と構造保護犠牲層上の逆テーパ部２６とに分離する順テーパ溝２４形成工程と、構造保護犠牲層をエッチングして逆テーパ部をリフトオフするリフトオフ工程と、デバイス構造層の露出面に第２電極層２８を形成する工程と、発光素子の側壁に絶縁層を形成して第２電極層と電気的に接続した配線電極層２９を形成する配線電極層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】低温成長などの方法でＧａＮ系半導体膜に形成された粗化面を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子において、電極として形成される金属膜の光吸収に基づく損失を低減するための素子構造を提供する。
【解決手段】上面が粗化されたｐ型導電層と、該ｐ型導電層の下面側に配置された発光層と、該ｐ型導電層とで該発光層を挟むように配置されたｎ型導電層とを含む、積層構造のＧａＮ系半導体膜から、少なくとも該ｐ型導電層および該発光層の一部を除去することによって、該ｐ型導電性層、該発光層および該ｎ型導電層を含む積層部と、該ｎ型導電層の平坦な露出面とが隣接する構造が形成されており、該露出面上に第１電極金属膜を含むｎ側電極が形成され、該ｐ型導電性層の上面にＴＣＯ膜からなる透光性電極が形成されている、ＧａＮ系ＬＥＤ素子。 （もっと読む）

【課題】光の取出効率を十分に向上させながら、発光ダイオード装置を簡便に製造することのできる、発光ダイオードの製造方法を提供すること。
【解決手段】光半導体層３、および、その上に形成される電極部４を備える発光積層体５を用意し、光半導体層３の上に、電極部４を被覆するように、光反射成分を含有する封止樹脂層１４を形成し、封止樹脂層１４を、電極部４の上面が露出されるように、部分的に除去することにより、発光ダイオード素子２０を製造し、発光ダイオード素子２０と、端子１５が設けられたベース基板１６とを対向配置させ、電極部４と端子１５とを電気的に接続して、発光ダイオード素子２０をベース基板１６にフリップチップ実装して、発光ダイオード装置２１を製造する。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子及び発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、発光層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記ｎ型半導体層は、窒化物半導体を含む。前記ｐ側半導体層は、窒化物半導体層を含む。前記発光層は、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられる。前記ｐ側電極は、前記ｐ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第１主面において、前記ｐ型半導体層の一部に接する。前記ｎ側電極は、前記ｎ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第２主面において、前記ｎ型半導体層の一部に接する。前記ｎ側電極は、平面視において、前記ｐ側電極よりも外側で前記ｐ側電極の周りに設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、量子井戸に誘起される分極電界を低減し、発光効率を向上させることができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられ、前記ｎ形半導体および前記ｐ形半導体層のバンド端発光よりも長波長の光を発光する少なくとも１つ以上の量子井戸を含む発光層と、を備える。そして、前記ｐ形半導体層に隣り合う前記量子井戸を構成する第１の障壁層および第２の障壁層のうちの前記ｐ形半導体層に近い前記第１の障壁層にｐ形不純物がドープされる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、基板に設けられる凹凸の形状を改善し光出力を向上させることが可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態は、発光層を含む窒化物半導体の積層体を有する半導体発光装置の製造方法であって、前記発光層から放射される発光に対して透光性の基板の表面に形成された炭素を含むマスクを用い、塩素および窒素を含む雰囲気中で前記基板を選択的にエッチングする工程と、前記基板のエッチングされた表面に、前記基板よりも屈折率が大きい窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層を含む前記積層体を前記基板上に形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】望ましい光抽出効率を有すると同時に、ｐ電極の接触領域を増大させ、これによりオーム接触抵抗を改善するＬＥＤを提供する。
【解決手段】発光ダイオード（ＬＥＤ）が、その製造方法とともに提供される。上記ＬＥＤは、基板１上に形成される導電性のｎ型領域２と、上記ｎ型領域上に形成される活性領域３と、上記活性領域上に形成される第１のｐ型領域４と、上記活性領域からの光抽出を行うように上記第１のｐ型領域上に形成される複数のナノ構造であって、５００ｎｍ未満の直径を有するナノ構造５と、上記第１のｐ型領域上に、上記ナノ構造との組み合わせによって非平面の表面を形成するように再成長した第２のｐ型領域６と、上記非平面の表面上に形成されるｐ型電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体層に接するコンタクト電極の信頼性を高めた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、絶縁膜と、ｐ側コンタクト電極と、ｎ側コンタクト電極と、ｐ側金属保護膜と、ｎ側金属保護膜とを備えている。半導体層は、発光層と、第１の面と、第１の面の反対側に形成された第２の面とを有する。ｐ側コンタクト電極は、絶縁膜に形成された第１の開口の内側で、第２の面における発光部に接して設けられている。ｎ側コンタクト電極は、第２の開口の内側で、第２の面における非発光部に接して設けられている。ｐ側金属保護膜は、ｐ側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。ｎ側金属保護膜は、ｎ側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】外部端子の極性を識別可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、ｐ側金属ピラーと、ｎ側金属ピラーと、絶縁材とを備えている。ｐ側金属ピラーは、ｐ側電極と接続された面とは異なる面で絶縁材から露出されたｐ側外部端子を有する。ｎ側金属ピラーは、ｎ側電極と接続された面とは異なる面で絶縁材から露出されたｎ側外部端子を有する。ｐ側外部端子とｎ側外部端子とは、面積及び平面形状の少なくともいずれかが互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】第一ｎ型半導体層のドーパント濃度に起因する結晶性の低下が生じにくく、かつ、高い出力の得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に、前記第一ｎ型半導体層のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する前記第一ｎ型半導体層の再成長層、第二ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】支持基板との接合を容易にすることが図られた半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置の製造方法は、基板上方に、第１導電型の第１半導体層を形成する工程と、第１半導体層上方に、第１導電型と反対の第２導電型の第２半導体層を形成する工程と、第２半導体層及び第１半導体層をエッチングして、深さが基板に達し、基板の面内に複数の発光素子領域を画定する第１分離溝を形成する工程と、第２半導体層をエッチングして、深さが第１半導体層に達し、各々の発光素子領域の内部に複数の発光部分と電極配置部分とを画定する第２分離溝を形成する工程と、各々の発光部分の第２半導体層上に、第１電極を形成する工程と、第２分離溝の底に露出した第１半導体層上から、電極配置部分の第２半導体層上に延在した形状で、第２電極を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光むらが低減された半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、ｎ型半導体層２１、発光層２２及びｐ型半導体層２３が積層された半導体層２０と、ｎ型半導体層２１に接続されたｎ側電極３０と、ｐ型半導体層２３上にｐ側透光性電極４４を有し、ｐ側透光性電極４４に接続されたｐ側電極４０と、を備えた半導体発光素子であって、半導体発光素子１を上面から見て、ｐ側電極４０は、ｎ側電極３２を囲むように形成されたｐ側延伸部４６、４７、４８とｐ側パッド電極４２とを有し、ｎ側電極３０は、ｎ側パッド電極３２とｎ側延伸部３６とを有し、ｎ側延伸部３６はｐ側パッド電極４２方向に向かって延びるｎ側第１延伸部３６とｐ側パッド電極４２方向と異なる方向に延びるｎ側第２延伸部３７とを備える。 （もっと読む）

【解決すべき課題】
結晶性および光取り出し効率に優れ、かつ高電流域での順電圧増加が抑制された発光素子用基板、その発光素子基板の製造方法、およびその発光素子基板を用いた発光素子を提供する。
【解決手段】
基板上の第１主面上に半導体結晶を成長させることによって半導体発光素子が製造される半導体発光素子基板であって、
前記半導体結晶の成長が抑制される傾斜面を各々有する複数の凸部が前記第１主面上に形成されており、
前記複数の凸部は、前記傾斜面が前記第１主面上で偏在し、かつ前記第１主面に対して平行に伝搬する光がいずれかの凸部において反射されるように配置されていることを特徴とする、半導体発光素子基板。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜の被覆率を向上させた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０の製造方法では、発光部１３を含む多層構造の半導体層１１上に、発光部１３から放射される光に対して透明な透明導電膜１５を形成する。透明導電膜１５の一部にマスク材２０を形成する。マスク材２０を用いて、透明導電膜１５をウェットエッチングし、半導体層１１を露出させる。マスク材２０を用いて、露出した半導体層１１を異方性エッチングし、発光部１３を除去する。マスク材２０を除去し、半導体層１１であって活性層１３が除去されて露出した部分上に第１電極１６を形成し、透明導電膜１５上に第２電極１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】ケミカルリフトオフ時に化合物半導体層の内部応力による化合物半導体層の割れが生じない発光素子と発光素子および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、成長基板上の一部に、リフトオフ層を介して、半導体層からなる素子領域を形成する素子領域形成工程と、ケミカルリフトオフ工程において除去されない材料で構成された犠牲部を、成長基板上の素子領域の周囲に形成する犠牲部形成工程と、成長基板及び半導体層を覆い、素子領域から離れた領域におけるその表面の高さが発光層表面よりも低くなるように、被覆層を形成する被覆工程と、半導体層上における被覆層と犠牲部表面における被覆層とを除去する窓形成工程と、被覆層表面及び半導体層表面に反射層を形成する反射層形成工程と、反射層上にめっきを施すことによって支持部を形成するめっき工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ｎ電極とｐ電極が半導体膜の同一面側に設けられた半導体発光素子において、半導体膜内における横方向および積層方向における電流拡散を促進させ電流密度の均一化を図るとともに蛍光体を用いた光の混色のコントロールを容易にすることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
半導体発光素子は、第一の導電型を有する第一半導体層と、第二の導電型を有する第二半導体層と、第一半導体層と第二半導体層との間に設けられた活性層と、を含む半導体膜と、第一半導体層の内部に埋設され且つ半導体膜の外縁に沿って環状に伸長する埋設部を有する第一電極と、第二半導体層の表面に設けられた第二電極と、第一半導体層内に設けられ且つ第一半導体層の導電率よりも高い導電率を有する電流誘導部と、を含む。活性層は、第一電極の環状パターンの内側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】出力を向上できるとともに、静電耐圧を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ１ｂは、主表面１１ａと、この主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌＧａＡｓ層１１を含む、ＡｌＧａＡｓ基板１０と、ＡｌＧａＡｓ層１１の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層２３を含むエピタキシャル層２０とを備えている。ＡｌＧａＡｓ層の不純物濃度は、１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）