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Fターム[5F041CA74]の内容

発光ダイオード (162,814) | LED形式 (36,241) | 製造方法 (9,002) | エッチング (2,018)

Fターム[5F041CA74]に分類される特許

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【課題】中間層の一部および支持基板の一部の少なくともいずれかが露出している複合基板であっても、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本複合基板の製造方法は、支持基板10と、その主面の少なくとも一部上に配置された中間層20と、その主面の少なくとも一部上に配置されたIII族窒化物層30aとを含み、III族窒化物層30aの主面と、中間層20の主面の一部および支持基板10の主面の一部の少なくともいずれかと、が露出している第1の複合基板1を準備する工程と、第1の複合基板1の中間層20の露出部分を選択的にエッチングにより除去することにより第2の複合基板2を得る工程と、第2の複合基板2の支持基板10の主面の露出部分を所定の深さまで選択的にエッチングにより除去することにより第3の複合基板3を得る工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】光出力の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子10では、半導体積層体15は、第1導電型の第1半導体層12と、半導体発光層13と、第2導電型の第2半導体層14がこの順に積層されている。半導体積層体15は、第2半導体層14および半導体発光層13を貫通して第1半導体層12に到る複数の柱状のトレンチ16を有している。複数の柱状のトレンチ16は、周期的に配列されている。半導体発光層13から放射される光に対して透光性を有する絶縁膜20が、トレンチ16内に埋め込まれている。第1電極18は、第1半導体層12に電気的に接続されている。第2電極19は、第2半導体層14の上面を覆っている。 (もっと読む)


【課題】光の出射方向の違いによる配光色度のバラツキが小さい発光装置および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材1と、基材1上に載置された発光素子10と、発光素子10を被覆する封止部材3と、を備える発光装置100であって、封止部材3は、蛍光体4と、複数の透明部材5とを含有し、透明部材5は、発光素子10上に設けられ、各透明部材5の最大高さおよび最大幅のそれぞれが、蛍光体4の粒径の1倍を超え3倍未満であり、透明部材5の含有量が、封止部材3に対して10〜78体積%であり、透明部材5と蛍光体4との体積比率(透明部材量/蛍光体量)が0.2〜10であり、蛍光体4は、発光素子10からの発光経路の少なくとも一部に隙間を設けて配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】発光層内を伝搬して半導体膜の端面に至る光を効率的に外部に取り出すことができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置1は、III族窒化物半導体からなる発光層を含む半導体膜20と、半導体膜の光取り出し面とは反対側の面に設けられた反射電極40と、反射電極に接合層を介して接合された支持基板60と、を含む。半導体膜20は、光取り出し面に対して斜め方向に傾斜したテーパー状端面20aを有する。光取り出し面は、半導体膜の結晶構造に由来する形状の複数の突起からなる凹凸構造を有し、光取り出し面のエッジ部周辺の第1領域101における複数の突起の平均サイズが、第2領域102における複数の突起の平均サイズよりも小である。 (もっと読む)


【課題】コンタクト部における光吸収の抑制と、電極と半導体層との良好なオーミック接触との両立を図り、順方向電圧をさほど上昇させることなく発光出力を向上させることが可能な紫外光を発する半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子100は、第1伝導型の半導体層105と、発光層104と、第2伝導型の半導体層103とをこの順に含む半導体積層体106と、第1伝導型半導体層105上に、コンタクト層107とオーミック電極層108とが積層してなるコンタクト部109と、オーミック電極層108に接し、第1伝導型半導体層105と電気的に接続する第1電極113と、第2伝導型半導体層103に電気的に接続する第2電極112と、を有し、コンタクト部109には第1伝導型半導体層105が露出する複数の島状の開口部111を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子に接合されている部材に起因して半導体発光素子に生じる応力を低減できる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置100は、半導体発光素子10と、半導体発光素子10を支持する基板20と、半導体発光素子10と基板20との間に位置するシリコーンエラストマー層30と、を含み、半導体発光素子10とシリコーンエラストマー層30とは、接合されている。 (もっと読む)


【課題】 ホールの供給を促して、発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子10では、第1導電型の第1不純物濃度を有する井戸層と第1不純物濃度より高い第1導電型の第2不純物濃度を有する障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層13が、第1半導体層12上に部分的に設けられている。バンドギャップが略一様で単一の組成を有する第2導電型の第2半導体層15、16が発光層13上に設けられている。第1電極21、22は、第1半導体層13上に設けられている。第2電極23、24が、第2半導体層16上に設けられている。発光層13に平行な方向における第1電極22と第2電極24の間の第1の距離L1が、発光層13に垂直な方向における第1電極21、22と第2電極23、24の間の第2の距離L2より大きい。 (もっと読む)


【課題】
高抵抗領域と低抵抗領域が隣接して形成されると、境界部に電流集中が生じる。
【解決手段】
窒化物半導体発光素子は、基板と、基板上に配置され、p型層、活性層、n型層を含む窒化物半導体積層と、p型層と基板との間に形成されたp側電極と、n型層上の限定された領域に形成されたn側電極と、n側電極に対向する領域を含んで、p型層内、またはp型層表面に形成され、実質的に電流を流さない高抵抗領域と、高抵抗領域外側のp型層に形成され、p側電極との間に電流を流す低抵抗領域と、高抵抗領域と低抵抗領域の間に形成され、制限された電流を流すグレーデッド領域と、を有する。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子(窒化物半導体素子)1は、主面10aを有する基板10と、n型層20a、n型コンタクト層20bおよびp型層20dを含む半導体層20と、を備える。主面10aはm面に対してa軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層20は、傾斜領域21と非傾斜領域22とを含む。傾斜領域21において、n型層20aおよびn型コンタクト層20bの所定領域上にn電極40が形成されている。 (もっと読む)


【課題】生産効率に優れたIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板として30ppm以上の不純物を含有する単結晶基板を用意し、この単結晶基板の主面の上に接して、III族窒化物半導体からなる中間層をスパッタリング法により積層させ、次いで前記中間層を覆うように積層半導体層を形成する素子形成工程と、単結晶基板を複数のチップに分割するための切断予定ラインに沿って、単結晶基板の不純物準位に対して光励起を起こさせる波長を有するレーザを前記単結晶基板の内部に集光することにより、単結晶基板の内部に加工痕を設けるレーザ加工工程と、加工痕及び前記切断予定ラインに沿って単結晶基板を分割することにより、複数のチップとする分割工程と、を具備してなるIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】電流拡がり及び発光効率が極大化された発光素子を提供すること。
【解決手段】第1のドーパントがドーピングされた第1の半導体層、第2のドーパントがドーピングされた第2の半導体層、及び前記第1及び第2の半導体層間に介在する第1の活性層を有する第1の領域と、前記第1の領域上に配置され、前記第1のドーパントがドーピングされ、露出領域を含む第3の半導体層、前記露出領域を除いた前記第3の半導体層上に配置され、前記第2のドーパントがドーピングされた第4の半導体層及び前記第3及び第4の半導体層間に介在する第2の活性層を有する第2の領域とを備え、前記第4の半導体層から前記第1の半導体層まで互いに離隔した第1及び第2のトレンチが形成された発光構造物と、所定の位置に配置された第1から第3の電極とを含んで発光素子を構成する。 (もっと読む)


【課題】キャリア密度に疎密を設けて全体として発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子10では、半導体発光層15は第1導電型の第1半導体層12と第2導電型の第2半導体層14の間に設けられている。網目状の第1電極16は、半導体発光層15と反対側の第1半導体層12上に設けられている。ドット状の第2電極18aは、半導体発光層15と反対側の第2半導体層14上に、第2半導体層14の表面に対して平行な平面視で第1電極16の網目の中心と重なるように設けられている。 (もっと読む)


【課題】光吸収の低減された発光ダイオード、製造方法、ランプ、照明装置を提供する。
【解決手段】基板1上に設けられた発光層24を含む化合物半導体層10と、基板1と化合物半導体層10との間に設けられたオーミックコンタクト電極7と、化合物半導体層10の基板1の反対側に設けられたオーミック電極11と、オーミック電極11の表面を覆うように設けられた枝部12bと枝部12bに連結されたパッド部12aとを含む表面電極12と、発光層24のうちパッド部12aと平面視で重なる領域に配置されたパッド下発光層24aと、パッド部12aと平面視で重なる領域を除く領域に配置された発光層24との間に設けられ、パッド下発光層24aに供給される電流を妨げる電流遮断部13とを備える発光ダイオード100とする。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子と光学素子との高い位置合わせ精度を有し、かつ、半導体発光素子の出射部へのダメージを抑制できる光源モジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る光源モジュール100は、出射部11を有する半導体発光素子10と、出射部11から出射される光L1が入射する光学素子20と、を含み、光学素子20は、出射部11を避けて、半導体発光素子10に接合されている。 (もっと読む)


【課題】発光素子の半導体層の厚さを減少させ、発光素子の光抽出効率を改善しようとすること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第1の導電型半導体層、活性層及び第2の導電型半導体層を有する発光構造物と、前記発光構造物の下部に位置し、第2の導電型半導体層と電気的に連結された第2の電極層と、第2の電極層の下部に位置する主電極、及び前記主電極から分岐され、第2の電極層、第2の導電型半導体層及び活性層を貫通して第1の導電型半導体層と接する少なくとも1つの接触電極を有する第1の電極層と、第1の電極層と第2の電極層との間及び第1の電極層と前記発光構造物との間の絶縁層とを備え、第1の導電型半導体層は、第1の領域と、第1の領域と区分され、第1の領域より高さの低い第2の領域とを有し、第1の領域は前記接触電極と重畳されている。 (もっと読む)


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