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Fターム[5F041CA77]の内容

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【課題】信頼性の向上、及び製造歩留まりの向上を図ることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、シリコンを含む支持基板の主面上に複数の発光領域を形成する工程と、アルカリ性溶液による異方性エッチングによって、前記発光領域の表面に凹凸部を形成するとともに、前記支持基板の主面における前記複数の発光領域のあいだに、前記アルカリ性溶液による異方性エッチングによってV字状の溝を形成する工程と、前記溝の位置において前記支持基板を分割し、前記発光領域ごとに分ける工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】光取り出し効率が向上した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、半導体層と、前記半導体層の上面に配置された第1電極と、前記半導体層の下面に配置された第2電極と、を備える半導体発光素子であって、前記半導体層の上面は第1領域と、前記第1領域よりも前記半導体層の厚みが厚い第2領域とを有し、前記第1電極はパッド電極と、前記パッド電極から延伸する補助電極と、を備え、前記第1電極は前記第2領域上にあり、前記第2領域は、前記補助電極に沿ったものと、前記補助電極と異なる方向に延伸するものと、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光取出し面おける電流密度分布の偏りを小さくすることを目的とする
【解決手段】本発明に係る発光素子100は、第1主面及び第2主面を有する半導体部10と、第1主面上に配置された第1電極20と、第2主面上に配置された第2電極30と、を備える発光素子であって、第1主面の形状は矩形であり、第1電極20は矩形の対向する一対の辺のうち一方の辺12a側に設けられた第1接続部21及び第2接続部22と、第1接続部から他方の辺に向かって延伸する第1延伸部23と、第2接続部から他方の辺に向かって延伸する第2延伸部24と、第1延伸部から第2延伸部に向かって延伸する2つの第3延伸部25と、2つの第3延伸部で挟まれた領域において第2延伸部から第1延伸部に向かって延伸する第4延伸部26と、を有し、第3延伸部25と第4延伸部26との間隔は、第1及び第2接続部から離れるに従って狭くなる。 (もっと読む)


【課題】本発明の実施形態は、小型で利便性が高く、且つ、製造歩留りを向上させることが可能な半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第1半導体層と、第2半導体層と、発光層と、を含む積層体と、第1半導体層に接続された第1配線層と、第2半導体層に接続された第2配線層と、第1配線層に接続された第1ピラー部と、第2配線層に接続された第2ピラー部と、第1配線層と、第2配線層と、第1ピラー部と、第2ピラー部と、を覆う絶縁層と、を備える。第1ピラー部は、絶縁層の表面に露出した第1のモニタパッドを有し、第1配線層は、絶縁層の1つの側面に露出した第1のボンディングパッドを有する。第2ピラー部は、絶縁層の表面に露出した第2のモニタパッドを有し、第2配線層は、絶縁層の側面に露出した第2のボンディングパッドを有する。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能であり容易に作製できる多波長の光半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子1Aは、主面10aが第1の面方位を有するGaN基板10と、主面10aの第1の領域上に成長しており、活性層24を含むレーザ構造部20と、主面10aの第1の領域とは異なる第2の領域に対し接合層41を介して接合されており、表面40aが第1の面方位とは異なる第2の面方位を有するGaN薄膜40と、GaN薄膜40の表面40a上に成長しており、活性層34を含むレーザ構造部30とを備える。活性層24,34は、Inを含む井戸層をそれぞれ有し、これらの井戸層の発光波長は互いに異なる。 (もっと読む)


【課題】高性能の窒化物半導体発光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にn型窒化物半導体層を形成する工程と、n型窒化物半導体層上に発光層を形成する工程と、発光層上にp型窒化物半導体層を形成する工程と、p型窒化物半導体層を、酸素を含む雰囲気において、第1温度で熱処理する工程と、第1温度で熱処理したp型窒化物半導体層を、真空雰囲気において、第1温度よりも低い第2温度で熱処理する工程と、を含む窒化物半導体発光素子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、(a)成長基板を準備する工程と、(b)前記成長基板上に半導体層を形成する工程と、(c)前記半導体層を複数の素子部に分割するとともに、各素子部間の半導体層の少なくとも一部を犠牲層として残す工程と、(d)前記半導体層上に金属層を形成する工程と、(e)前記半導体層に、前記金属層を介して支持基板を設ける工程と、(f)前記成長基板に、前記素子部の全部を覆い、かつ前記犠牲層の外縁内に収まるようにレーザーを照射することにより、前記成長基板を前記半導体層から剥離する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】成長基板をLLO法によって除去する際に、異物の活性層端部への付着を防止しつつ、得られた素子の強度の向上ができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子の製造方法は、半導体積層体のストリート部の幅以内に犠牲部を形成し、犠牲部とともにその周囲部分を除去するウェットエッチングを施し、ストリートにあるエッチング残存物を除去する。 (もっと読む)


【課題】支持基板上に絶縁膜を介して半導体素子を搭載した半導体装置において、絶縁膜の絶縁性能が改善された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、支持基板と、支持基板上に設けられた第1の金属層と、第1の金属層上に設けられた絶縁体層と、絶縁体層上に第2の金属層を介して設けられ半導体膜と、を含む。絶縁体層と第1の金属層との間および絶縁体層と第2の金属層との間にはそれぞれ金属酸化物導電体層が設けられている。 (もっと読む)


【課題】支持基板上に絶縁膜を介して半導体素子を搭載した半導体装置において、絶縁膜の絶縁性能が改善された半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体装置は、支持基板と、支持基板上に設けられた金属層と、金属層上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に金属層を介して設けられ半導体膜と、を含む。絶縁膜は、第1の絶縁体層と、第2の絶縁体層と、第1および第2絶縁体層の間に設けられた金属酸化物導電体層と、を含む。 (もっと読む)


【課題】反射電極層の、反射率向上による高輝度化、接触抵抗の低減、剥がれの防止及び経時劣化に対する耐性の向上。
【解決手段】反射電極を有する半導体発光素子の製造方法であって、第1の導電型の第1半導体層、活性層および第2の導電型の第2半導体層を順次積層して半導体膜を形成する工程と、第2半導体層上に金属反射層と半導体膜との格子不整合を緩和する金属バッファ層を形成する工程と、金属バッファ層上に金属反射層を形成する工程と、金属反射層上に金属反射層の脱離を防止する金属パッシベーション層と、金属パッシベーション層上に金属パッシベーション層の酸化を防止する酸化防止層を形成する工程と、金属パッシベーション層と酸化防止層との間で相互拡散が生じるように熱処理を行って、これらの層の界面に合金層を形成する工程と、合金層の少なくとも一部を合金層上に形成された層とともに除去することにより反射電極を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】製造コストを大幅に減少させることができる、新規な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造方法は、成長基板を提供する工程S11と、前記成長基板に半導体基板を形成する工程S12と、前記成長基板と前記半導体基板との間に複数の溝を有する第一構造を形成する工程S13と、後続の素子の製造を進め、半導体素子を半導体基板に形成する工程S14と、前記成長基板の温度と前記半導体基板を変更する工程S15とを含んでいる。工程S15において、成長基板と半導体基板とは膨張係数が異なるので、応力が集中し、互いに剥離する。このように、レーザ剥離技術によって成長基板を除去する工程を必要としないため、コストを効果的に減少させることができる。 (もっと読む)


【課題】互いに対向する導電体層のエッジ同士の間に量子ドットなどのナノ要素を正確にかつ容易に挟むことができる量子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】導電体層と誘電体層との周期構造体からなる第1の薄片の一導電体層のエッジ上に複数のナノ要素を導入した後、この面に対し、導電体層と誘電体層との周期構造体からなる第2の薄片の一方の面を、第1の薄片の導電体層と第2の薄片の導電体層とが互いに交差するように、かつ第1の薄片の面に対して平行に保って接近させる。第1の薄片の導電体層17と第2の薄片の導電体層17との間に電圧を印加することで発生する電場により、交差部で互いに対向する第1の薄片の導電体層17のエッジと第2の薄片の導電体層17のエッジとの間にナノ要素を引き込む。第1の薄片と第2の薄片との間隔を狭めて交差部における第1の薄片の導電体層のエッジと第2の薄片の導電体層のエッジとの間にナノ要素19を挟む。 (もっと読む)


【課題】レーザ光をワークに照射することによりワークから発生する種々の粒塵による悪影響を除去すること。
【解決手段】ワークステージ10のステージ部11の周縁に、環状外壁部21bと天井壁部21aから構成される環状壁部21が設置され、ステージ部11には、排気機構に連結する排出口12が複数箇所に設けられている。この排出口12には配管22を介して例えばポンプやファンなどの排気機構が連結され、環状壁部21内の空気を吸引する。ワーク1にレーザ光を照射することにより、そのエッジ部からガスと一緒に、環状外壁部21bと天井壁部21aとで区切られた内部空間Aに噴き出された粒塵は、排出口12に向かう流体の流れにより、ステージ部11に設けられた排出口12から排出される。 (もっと読む)


【課題】 4元発光層とGaP基板との接合界面において酸素、炭素等の不純物が発生し、通電した際に順方向電圧が上昇することを抑制し、これによって順方向電圧に対する寿命特性の悪化を抑制することができる化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子を提供する。
【解決手段】 少なくともn型GaP基板上に(AlGa1−xIn1−yPからなるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層が順次積層された4元発光層を有し、4元発光層の、n型GaP基板側の主表面の反対側となる主表面上に、電流拡散層であるp型GaP層が積層された化合物半導体基板であって、n型GaP基板と4元発光層との間に、n型クラッド層よりもキャリア濃度の高い、(AlGa1−xIn1−yPからなる高濃度キャリア層が形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板を成長基板として用いた場合に問題となる、窒化物成長時における線欠陥の発生を低減化できる、シリコン基板を成長基板として用いる窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成される窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体とを含むことを特徴とする。特に、前記窒化物成長用シード層はGaNパウダーで形成される。 (もっと読む)


【課題】成膜用の成長基板を剥離した発光素子面から機械的に安定した配線電極を確実に形成できる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成長基板11上にデバイス構造層12を形成する工程と、発光素子に対応した位置に第1電極層13を形成する工程と、第1電極層の周辺に構造保護犠牲層14を形成する工程と、デバイス構造層に素子分離溝17を形成する素子分離工程と、デバイス構造層側に支持基板20を貼り付ける接合工程と、成長基板の剥離を行う工程と、デバイス構造層を第1電極層を有する発光素子と構造保護犠牲層上の逆テーパ部26とに分離する順テーパ溝24形成工程と、構造保護犠牲層をエッチングして逆テーパ部をリフトオフするリフトオフ工程と、デバイス構造層の露出面に第2電極層28を形成する工程と、発光素子の側壁に絶縁層を形成して第2電極層と電気的に接続した配線電極層29を形成する配線電極層形成工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】高効率の半導体発光素子及び発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、n型半導体層と、p型半導体層と、発光層と、p側電極と、n側電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記n型半導体層は、窒化物半導体を含む。前記p側半導体層は、窒化物半導体層を含む。前記発光層は、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられる。前記p側電極は、前記p型半導体層の前記発光層とは反対の側の第1主面において、前記p型半導体層の一部に接する。前記n側電極は、前記n型半導体層の前記発光層とは反対の側の第2主面において、前記n型半導体層の一部に接する。前記n側電極は、平面視において、前記p側電極よりも外側で前記p側電極の周りに設けられている。 (もっと読む)


【課題】低温成長などの方法でGaN系半導体膜に形成された粗化面を有するGaN系LED素子において、電極として形成される金属膜の光吸収に基づく損失を低減するための素子構造を提供する。
【解決手段】上面が粗化されたp型導電層と、該p型導電層の下面側に配置された発光層と、該p型導電層とで該発光層を挟むように配置されたn型導電層とを含む、積層構造のGaN系半導体膜から、少なくとも該p型導電層および該発光層の一部を除去することによって、該p型導電性層、該発光層および該n型導電層を含む積層部と、該n型導電層の平坦な露出面とが隣接する構造が形成されており、該露出面上に第1電極金属膜を含むn側電極が形成され、該p型導電性層の上面にTCO膜からなる透光性電極が形成されている、GaN系LED素子。 (もっと読む)


【課題】光の取出効率を十分に向上させながら、発光ダイオード装置を簡便に製造することのできる、発光ダイオードの製造方法を提供すること。
【解決手段】光半導体層3、および、その上に形成される電極部4を備える発光積層体5を用意し、光半導体層3の上に、電極部4を被覆するように、光反射成分を含有する封止樹脂層14を形成し、封止樹脂層14を、電極部4の上面が露出されるように、部分的に除去することにより、発光ダイオード素子20を製造し、発光ダイオード素子20と、端子15が設けられたベース基板16とを対向配置させ、電極部4と端子15とを電気的に接続して、発光ダイオード素子20をベース基板16にフリップチップ実装して、発光ダイオード装置21を製造する。 (もっと読む)


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