【課題】反射率の高いＡｌ層をｎ側電極に使用してｎ型導電層とのコンタクト層に使用した場合でも、加熱によるｎ側電極のコンタクト性の悪化を抑制して、電圧低下を抑制することができる窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体材料により形成されたｎ型導電性基板と、ｎ型導電性基板に、ｎ型導電層、発光層、ｐ型導電層、ｐ型半導体層上に設けられたｐ側電極と、ｐ型導電層とは反対側のｎ型導電性基板上に設けられたｎ側電極とを備えている。ｎ側電極をｎ型導電性基板上に設けるときには、まず、ｎ型導電性基板にＳｉを含む塩素系化合物ガスの雰囲気中でプラズマ照射してｎ型導電性基板にイオン照射層を形成する（照射工程、ステップＳ５２）。次に、イオン照射層上に、Ａｌ電極とボンディング電極とを含む電極を形成してｎ側電極とする（電極形成工程、ステップＳ６０）。 （もっと読む）

【課題】高電流通電時の電流の集中や光の吸収や多重反射を防ぐ補助電極を形成することにより、光の透過率と発光出力と信頼性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を順次積層する工程と、前記ｐ型半導体層上に、絶縁層と、ｐ型パッド部及び前記ｐ型パッド部から伸びた線状のｐ型補助電極部を有する金属からなるｐ型電極層と、を形成する工程と、前記ｐ型半導体層及び前記ｐ型電極層を覆うように透光性電極を形成する工程と、前記透光性電極上の前記ｐ型電極層の前記ｐ型パッド部に重なる位置に、前記ｐ型ボンディングパッド電極を形成する工程と、を具備してなることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ装置の封止体との界面において、クラックや剥離を生じにくいシリコーンレンズを提供することを目的とする。
【解決手段】ＬＥＤ素子を封止する透明樹脂封止体を備えたＬＥＤ装置の、透明樹脂封止体に接着されるシリコーンレンズであって、レンズ部と透明樹脂封止体に接着される被接着面とを有し、被接着面に表面改質処理が施されているシリコーンレンズである。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光抽出効率を改善して、光効率を向上させること。
【解決手段】実施例は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下部に形成されて、前記活性層から放出される光を放出する透明支持層と、前記透明支持層の下部に形成され、前記透明支持層を取り囲む反射層と、前記反射層の下部に形成され、前記反射層を取り囲む伝導層と、を含む発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変えることができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板２０の表面にバファー層２２を介して積層され、格子状に形成された複数のストリート２３により区画された複数の領域に形成された光デバイス層２１の表面に移設基板３を接合する工程と、移設基板３が接合されたエピタキシー基板２０を所定のストリートに沿って切断し、複数のブロック２００に分割する工程と、エピタキシー基板２０の裏面側からエピタキシー基板２０を透過するレーザー光線をバファー層２２に集光点を位置付けて照射することによりバファー層２２を分解する工程と、複数のブロック２００に分割されたエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高輝度かつ低順方向電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一の導電型層１１と第二の導電型層１２に挟まれた発光層１３を有する化合物半導体１４において、第一の主表面１１ａを光取り出し面とし、第二の主表面１２ａに発光層１３からの光を第一の主表面１１ａ側に反射させる反射金属膜１５を介して、支持基板１６と化合物半導体１４が結合され、化合物半導体１４の第二の主表面１２ａと反射金属膜１５間に透明絶縁膜１７を有し、透明絶縁膜１７の一部に貫通して化合物半導体層と電気的にオーミック接合する界面電極１８を有する半導体発光素子において、発光波長が７８０ｎｍ以上の赤外光であり、第一の導電型層１１の内、Ｖ族がＡｓ系層である総膜厚が１．０μｍ以上であり、第一の導電型層１１、発光層１３、第二の導電型層１２および各層内のアンドープ層の各ヘテロ接合界面におけるバンドギャップの差が、０．３０ｅＶ以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体層表面の凹凸および反射層を有する半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれた発光層１２を有する半導体積層構造を有し、発光層１２のｎ型半導体層１１側から光を取り出す半導体発光素子であって、ｐ型半導体層１３上に形成された、発光層１２から発せられた光を反射する反射層１６と、を有し、ｎ型半導体層１１は、発光層１２と反対側の面に光の進路を変更するための凹凸領域１１０を有し、反射層１６の少なくとも一部は、凹凸領域１１０の端部の直上まで形成される。 （もっと読む）

【課題】支持基板にＧａＮ系層を形成する際の反りが小さく熱伝導率が高い支持基板を有するＧａＮ系層積層基板およびかかるＧａＮ系層積層基板を含むＧａＮ系デバイスを提供する。
【解決手段】本ＧａＮ系層積層基板１は、少なくとも１層の厚さＡのＧａＮ系層１０と、厚さＢの第１の金属製支持基板２０としてＡｇ製支持基板およびＣｕ製支持基板のいずれかと、厚さＣの第２の金属製支持基板３０としてＭｏ製支持基板とがこの順に積層され、第１の金属製支持基板がＡｇ製支持基板である場合には、Ｂ／（Ｂ＋Ｃ）比が０．６５以上０．９１以下であり、かつ、Ｃ／Ａ比が０．８０以上１．１５以下であり、第１の金属製支持基板がＣｕ製支持基板である場合には、Ｂ／（Ｂ＋Ｃ）比が０．７０以上０．９１以下であり、かつ、Ｃ／Ａ比が０．８０以上１．１５以下である。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。
【解決手段】組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層１１と、該活性層１１を挟む第１のクラッド層９と第２のクラッド層１３とを有する発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３とを備え、第１及び第２のクラッド層９、１３が組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなり、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
素子生産量と光抽出効率を向上させることができる垂直型発光素子の製造方法およびその垂直型発光素子に用いる基板モジュールを提供すること。
【解決手段】
垂直型発光素子の製造方法において、基板１０とＬＥＤ構造のインターフェースが分離するまたは剥離するところに隙間１３’を形成することで、基板１０を該基板１０に形成されたＬＥＤ構造から容易に分離または剥離できるようにする。基板１０とエピタキシャル層２０からなる基板モジュールは制御可能な方式で基板１０とエピタキシャル層２０との間のインターフェースに複数の隙間１３’を形成している。そして、該エピタキシャル層２０にＬＥＤ構造を形成させ、ＬＥＤ構造をスーパーストレート７０に付着させ、基板１０をエピタキシャル層２０から分離し、かつ、基板１０の所在部に導電層と接触電極を形成させて、垂直型発光素子を形成させる。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、支持基板２０と、支持基板２０の側から第１導電型の第１導電型層と、光を発する活性層１５と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２導電型層とを有する発光部１０と、支持基板２０と発光部１０との間に設けられ、光を発光部１０の側に反射する反射部４０と、反射部４０と発光部１０との間に設けられ、光を透過し、電気絶縁性を有する絶縁層５０と、絶縁層５０と発光部１０との間の一部に設けられる界面電極６０と、第２導電型層の活性層１５の反対側の表面に設けられ、界面電極６０の直上とは異なる領域に設けられる第１電極７２と、第１電極７２が設けられる側に第１電極７２とは別に設けられ、第１電極７２が接触している第２導電型層とは異なる発光部１０の部分、又は界面電極６０に電気的に接続する第２電極７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】十分に高い生産性を有する光半導体装置の製造方法及びその製造方法により得られる光半導体装置を提供すること。
【解決手段】発光素子３０５と、発光素子３０５を封止する封止材５１０と、封止材５１０に接着された所定形状の表面を有する光学素子５８０と、を備える光半導体装置５００の製造方法であって、光重合性化合物を含有し発光素子３０５を浸漬した光の照射のみで硬化可能な樹脂組成物３１５の表面上に光学素子５８０を載置した状態で、光学素子５８０を介して樹脂組成物３１５を露光することによって、樹脂組成物３１５の光学的に透明な硬化物であり、光学素子５８０における所定形状の表面とは反対側の面が封止材５１０における発光素子５８０から発せられる光の出射面に密着してなる封止材５１０を得る工程を有する、光半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】放熱性や発光特性が良く、高い生産性・歩留まりを実現できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１００は、透明基板１と、配線層３１と、透明基板１と配線層３１との間に設けられる半導体発光素子構造部２０と、を有し、半導体発光素子構造部２０は、半導体発光層６と、透明導電層８と、透明絶縁膜１１と、透明導電層８の透明絶縁膜１１に覆われるように設けられる金属反射層９と、透明絶縁膜１１の配線層３１側に離間領域１８，１９を介して設けられ、配線層３１と電気的に接続される第１電極部２１及び第２電極部２２と、を有し、第１電極部２１は、第１コンタク卜部１４を介して第１半導体層５と電気的に接続され、第２電極部２２は、第２コンタクト部１５により第２半導体層３と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の特性を変えることが可能な半導体発光素子測定装置を提供する。
【解決手段】可動ステージ３１は、ＬＥＤチップ１０、１１を載置し、位置調整部３８の制御により、水平方向（例えば、ｘ軸方向、ｙ軸方向）に移動する。プローブ針３２は、ＬＥＤチップ１０、１１の表面に形成されたボンディング電極に接触させてＬＥＤチップ１０、１１に所要の電圧を印加する。光検出部３４は、ＬＥＤチップ１０、１１からの光を検出する。光学特性測定部３６は、光検出部３４による検出結果に基づいて、ＬＥＤチップ１０、１１の光学特性を測定する。レーザ光源３３は、レーザ光によりＬＥＤチップ１０、１１の表面の一部を切除する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた高発光効率の半導体発光素子を実現する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光素子の製造方法は、半導体発光素子ウエハを形成する工程、及びＰ型コンタクト層表面に多数の微細な凹凸を形成する工程を有する。半導体発光素子ウエハを形成する工程では、基板の第１主面にエピタキシャル成長法を用いて組成の異なるエピ層を積層形成して、最上層にＰ型コンタクト層を設ける。Ｐ型コンタクト層表面に多数の微細な凹凸を形成する工程では、エピ層形成後、エピタキシャル成長を実施した反応炉で水素とアンモニアの混合ガス中或いは窒素とアンモニアの混合ガス中で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明では、放熱性が良好で長期使用時の耐久性に優れた製造コストの安価なバックライト用発光装置を提供する。
【解決手段】光沢度が８０〜１１０％であるＳｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが表面に施された熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である凸凹部を有する銅或いは銅合金異形断面板と、当該異形断面板の凹部の底面に直接実装された複数個の発光素子と、当該凹部の底面に形成されたカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路と、当該複数個の発光素子間を直列接続する配線と、当該直列接続された複数個の発光素子の先頭の素子をアノードパターニング回路に接続する配線および末端の素子をカソードパターニング回路に接続する配線と、当該複数個の発光素子を覆うように前記凹部内を封止する透明樹脂とから構成される。 （もっと読む）

【課題】銀めっき層の変色を防止して高い反射率を保持することができると共に、生産性に優れた光半導体装置の製造方法及びその製造方法にて製造された光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体装置１００の製造方法では、トランスファ成形によって配線部材１０上に形成された薄膜５０において、光半導体素子２０が搭載される領域及びボンディングワイヤ１８が接続される領域に該当する部分の薄膜５０を除去する。これにより、光半導体素子２０が搭載される領域及びボンディングワイヤ１８が接続される領域に該当する部分の薄膜５０のみが取り除かれるため、その他の部分の銀めっき層の変色を薄膜５０にて防止でき、銀めっき層において高い反射率を保持することができる。また、金めっきを使用することがないため、コストの低減を図ることができ、光半導体装置１００の生産性を優れたものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】新しい発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る発光素子は、基板と、前記基板の上に配置された発光ダイオードと、前記発光ダイオードを囲むガイドリングと、前記発光ダイオードを覆うように、前記ガイドリング内に形成された第１のモールディング部材と、前記第１のモールディング部材の上の第２のモールディング部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】高効率半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板21上に物質層及び金属層を順次に形成させ、金属層を陽極酸化してホー
ルが形成された金属酸化層に形成させ、それ自体で凹凸構造パターンとして使用するか、
金属酸化層のホールに対応するように金属酸化層下部の基板または物質層内にホールを形
成させて凹凸構造パターンとして使用して、その上部に第１半導体層23、活性層25及び第
２半導体層26を順次に形成させることによって凹凸構造を備える半導体発光素子を形成す
る。 （もっと読む）

【課題】基板の剥がれや破壊などを発生させずに、異種の基板を接合する半導体装置の製
造方法を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、支持基板の一方の面に半導体積層体を設けて第１の基板を形成させ、第１の基板のうち半導体積層体が形成された面に、第１の基板の熱膨張係数とは異なる熱膨張係数を有する第２の基板を密着させ、第１の基板と第２の基板のうち、熱膨張係数が小さい一方の基板に対して、他方の基板より高い温度で加熱して接合する。第１の基板は、ナイトライド系半導体層を有するサファイア基板、またはＧａＡｓ基板であり、第２の基板は、シリコン基板、ＧａＡｓ基板、Ｇｅ基板、金属基板のいずれかであってもよい。第１の基板と第２の基板の間に、第１接合層と第２接合層と第３接合層と順に積層し、第１接合層と第２接合層と第３接合層とを介して、第１の基板と第２の基板を加熱して接合してもよい。 （もっと読む）